1.一种iii族氮化物晶体管器件，包括：
2.根据权利要求1所述的iii族氮化物晶体管器件，其中二维电荷气被隔离区局部地中断。
3.根据权利要求1或者权利要求2所述的iii族氮化物晶体管器件，其中隔离区具有在横向上围绕电流感测iii族氮化物晶体管器件的闭合环的形状。
4.根据权利要求2或者权利要求3所述的iii族氮化物晶体管器件，其中iii族氮化物基半导体本体包括第一主表面，并且隔离区包括注入区，或者隔离区包括延伸到第一表面中并且包括绝缘材料的沟槽。
5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的iii族氮化物晶体管器件，其中隔离区具有大于异质结距第一表面的深度的距第一表面的深度。
6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的iii族氮化物晶体管器件，
7.根据权利要求6所述的iii族氮化物晶体管器件，其中感测源极指状物具有与所述多个有源晶体管单元的源极指状物中的一个源极指状物的长度对准的长度，并且被通过第一间隙与该一个源极指状物间隔开，并且隔离区的一部分被定位在第一间隙中。
8.根据权利要求6或者权利要求7所述的iii族氮化物晶体管器件，进一步包括被布置在每个有源晶体管单元的源极指状物上的源极金属化指状物和被布置在感测源极指状物上的感测源极金属化指状物，其中源极金属化指状物和感测源极金属化指状物彼此间隔开并且电绝缘。
9.根据权利要求6至8中的任何一项所述的iii族氮化物晶体管器件，其中感测栅极指状物与开关iii族氮化物晶体管器件的多个晶体管单元的栅极指状物之一是一体的。
10.根据权利要求6至9中的任何一项所述的iii族氮化物晶体管器件，其中感测漏极指状物具有与多个晶体管单元的漏极指状物中的一个漏极指状物的长度对准的长度，并且被通过第二间隙与该一个漏极指状物间隔开，并且隔离区的一部分被定位在第二间隙中。
11.根据权利要求10所述的iii族氮化物晶体管器件，其中感测漏极指状物被通过在第二间隙上延伸的漏极金属化指状物电连接到开关iii族氮化物晶体管器件的多个晶体管有源单元的漏极指状物。
12.根据权利要求11所述的iii族氮化物晶体管器件，其中漏极金属化指状物被布置在开关iii族氮化物晶体管器件的多个晶体管有源单元的漏极指状物之一和感测漏极指状物上，并且在开关iii族氮化物晶体管器件的多个晶体管有源单元的漏极指状物之一和感测漏极指状物之间延伸。
13.根据权利要求11或者权利要求12所述的iii族氮化物晶体管器件，进一步包括源极焊盘、漏极焊盘、栅极焊盘和电流感测焊盘，其中
14.根据权利要求1至14中的任何一项所述的iii族氮化物晶体管器件，其中开关iii族氮化物晶体管和电流感测iii族氮化物晶体管之间的电流比率(kilis)是5000或者更大，或者10000或者更大。
15.根据权利要求14所述的iii族氮化物晶体管器件，其中电流感测iii族氮化物晶体管器件包括单个感测源极指状物、单个感测栅极指状物和单个感测漏极指状物，并且感测源极指状物和感测漏极指状物的长度被选择，以便提供5000或者更大、或者10000或者更大的电流比率。