1.一种用于光调制器的有源区的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂工艺和所述第四掺杂工艺包括p型掺杂，所述第二掺杂工艺与所述第三掺杂工艺包括n型掺杂。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对第一掺杂区远离所述界面的部分执行第三掺杂工艺以形成第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述界面之间具有第一预设距离；包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对第二掺杂区远离所述界面的部分执行第四掺杂工艺以形成第四掺杂区，所述第四掺杂区与所述界面之间具有第二预设距离；包括：
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设距离等于所述第二预设距离。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂工艺的掺杂浓度等于所述第二掺杂工艺的掺杂浓度；所述第三掺杂工艺的掺杂浓度等于所述第四掺杂工艺的掺杂浓度。
7.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，对所述第一区域和第二区域分别执行第一掺杂工艺和第二掺杂工艺，包括：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，m＝2，n＝2，所述衬底包括脊状结构和位于脊状结构两侧的平板层，所述脊状结构的中心线位于所述界面上；暴露出的所述第一掺杂区、暴露出的第三一掺杂区、部分第三二掺杂区以及暴露出的所述第二掺杂区、暴露出的所述第四一掺杂区、部分第四二掺杂区均位于所述脊状结构上；
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂工艺、第二掺杂工艺、第三掺杂工艺及第四掺杂工艺包括扩散和离子注入中的至少一种。
10.一种用于光调制器的有源区结构，其特征在于，所述有源区结构采用权利要求1-9中任一项所述的制备方法制成。