1.一种超晶格材料生长界面控制方法，其特征在于：用以控制生长吸收层为inassbx/gasb超晶格且空穴势垒层为inassbx/alasysb超晶格的超晶格材料的生长过程，其中，
2.根据权利要求1所述的超晶格材料生长界面控制方法，其特征在于：其中所述sb-2束流与所述gasb生长所需sb束流相匹配；sb-2束流、as-2束流与所述alasysb所需sb和as束流相匹配；as-1束流、sb-1束流与所述inassbx所需as和sb束流相匹配。
3.根据权利要求1或2所述的超晶格材料生长界面控制方法，其特征在于：所述as-1束流大于所述as-2束流且二者处于非同一数量级；所述sb-1束流小于所述sb-2束流且二者处于非同一数量级。
4.根据权利要求1所述的超晶格材料生长界面控制方法，其特征在于：所述第一预设时间及所述第三预设时间均为3~10秒，所述第二预设时间及所述第四预设时间均为15~600秒，步骤s1和步骤s9之间的时间间隔以及步骤a和步骤i之间的时间间隔不超过5秒。
5.根据权利要求1所述的超晶格材料生长界面控制方法，其特征在于：所述预设层数为2~15层。
6.根据权利要求1所述的超晶格材料生长界面控制方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的超晶格材料生长界面控制方法，其特征在于：所述inassbx/gasb超晶格吸收层中0.081≤x≤0.099，所述inassbx/alasysb超晶格空穴势垒层中0.072≤y≤0.088。
8.一种超晶格材料加工设备，其特征在于：用以实施所述权利要求1~7中任意一项所述的超晶格材料生长界面控制方法，其包括第一as炉、第二as炉、第一sb炉以及第二sb炉。
9.一种探测器，其特征在于：包括采用权利要求1~7中任意一项所述的超晶格材料生长界面控制方法制备的超晶格材料，其包括依次设置的：衬底、缓冲层、p型电极、电子势垒层、吸收层、空穴势垒层以及n型电极。
10.根据权利要求9所述的探测器，其特征在于：所述电子势垒层为almga1-masnsb1-n，其中，n=0.04m/(0.443+0.033m)，所述空穴势垒层中的inassbx厚度与所述吸收层中inassbx厚度一致或高2-10å。