一种衰减器的制作方法及衰减器与流程

文档序号:37475620发布日期:2024-03-28 18:58阅读:37来源:国知局
一种衰减器的制作方法及衰减器与流程

本技术属于衰减器,更具体地说,是涉及一种衰减器的制作方法及衰减器。


背景技术:

1、衰减器是一种在指定的频率范围内可以引入对功率进行预定衰减的电路结构,一般作为电子或通信的高频器件或微波器件的包边使用。

2、现有技术中,衰减器的包边侧一般采用溅射工艺或者手工焊接工艺成型,溅射工艺需要提供对应的溅射设备。对于小尺寸的衰减器,不仅其制作设备和工艺所消耗的成本较高,且难度大、效率低、良品率低,并且溅射工艺的粘接性和可靠性较低。


技术实现思路

1、本技术实施例的目的在于提供一种衰减器的制作方法及衰减器,以解决现有衰减器采用溅射工艺而导致的制作成本高、难度大、效率低、良品率低、可靠性低等技术问题。

2、为实现上述目的,本技术采用的技术方案是:

3、提供一种衰减器的制作方法,所述方法包括:

4、提供一陶瓷基体,所述陶瓷基体具有沿所述陶瓷基体的厚度方向相背设置的正面和背面;

5、利用激光束在所述正面上对所述陶瓷基体进行第一次切割并形成多个基体单元,并使所述激光束的第一次切割深度小于所述陶瓷基体的厚度;其中,所述切割包括横向切割和纵向切割,所述横向和所述纵向交叉垂直;

6、利用激光束在每个所述基体单元沿所述纵向的至少一侧进行打孔,并使所述激光束的打孔深度等于所述陶瓷基体的厚度;其中,所述基体单元沿所述纵向的侧面的至少部分构成所述孔的部分孔壁;

7、在每个所述基体单元的所述正面和所述背面中的一者上印刷第一信号电极、第二信号电极和第一接地电极,在每个所述基体单元的所述正面和所述背面中的另一者上印刷第二接地电极,在每个所述部分孔壁上印刷第三接地电极,并在设定条件下对所述陶瓷基体进行烘干和烧结;其中,所述第三接地电极连接所述第一接地电极和所述第二接地电极;

8、利用激光束或高速切割刀对所述陶瓷基体进行第二次切割并使每个所述基体单元被完全分离;其中,所述第一次切割的切割深度和所述第二次切割的切割深度之和等于所述陶瓷基体的厚度。

9、一些实施例中,所述第一次切割通过一对所述横向切割和一对所述纵向切割形成一个所述基体单元,一对所述横向切割和一对所述纵向切割两两交叉垂直;

10、在所述基体单元沿所述纵向的至少一侧进行打孔,并在沿所述纵向的至少一侧形成弧形凹面,所述弧形凹面构成所述孔的部分孔壁。

11、一些实施例中,在所述基体单元沿所述纵向的两侧分别进行打孔,并在沿所述纵向的两侧分别形成所述弧形凹面。

12、一些实施例中,所述第一次切割通过一道所述横向切割和一对所述纵向切割形成一个所述基体单元,一道所述横向切割和一对所述纵向切割两两交叉垂直;

13、在所述基体单元沿所述纵向的一侧进行打孔,所述孔的最大孔径大于所述基体单元沿所述横向的尺寸,所述基体单元沿所述纵向的一侧构成所述孔的部分孔壁;其中,一道所述横向切割和所述孔沿所述纵向设在所述基体单元的两侧。

14、一些实施例中,所述第一次切割的切割深度为所述陶瓷基体的厚度的一半;

15、所述第二次切割的切割深度为所述陶瓷基体的厚度的一半。

16、一些实施例中,在所述基体单元的所述正面的不同区域分别印刷第一电极浆料,以供分别形成所述第一信号电极、第二信号电极和所述第一接地电极;在第一设定条件下对所述陶瓷基体进行烘干和烧结;

17、在所述基体单元的所述背面上印刷第二电极浆料,以供形成所述第二接地电极;在所述部分孔壁上印刷所述第二电极浆料,以供形成所述第三接地电极;在第二设定条件下对所述陶瓷基体进行烘干和烧结;

18、其中,所述第一设定条件和所述第二设定条件不同,所述第一电极浆料和所述第二电极浆料不同。

19、一些实施例中,在所述基体单元的所述正面的不同区域分别印刷电极浆料,以供分别形成所述第一信号电极、第二信号电极和所述第一接地电极;

20、在所述基体单元的所述背面上印刷第二电极浆料,以供形成所述第二接地电极;在所述部分孔壁上印刷所述第二电极浆料,以供形成所述第三接地电极;

21、在所述设定条件下对所述陶瓷基体进行烘干和烧结。

22、本技术提供的衰减器的制作方法的有益效果在于:

23、与现有技术相比,本技术提供的衰减器的制作方法,利用激光束在陶瓷基体的正面上进行第一次切割并形成多个基体单元,利用激光束在每个基体单元沿纵向的至少一侧进行打孔,在每个基体单元上印刷第一信号电极、第二信号电极、第一接地电极、第二接地电极、第三接地电极,并在设定条件下对陶瓷基体进行烘干和烧结,再利用激光束或高速切割刀对陶瓷基体进行第二次切割而形成单独的基体单元。

24、由于本技术提供的衰减器的制作方法利用激光束进行第一次切割和打孔,激光切割和打孔具有更高的切割精度和准确性、具有更高质量的切割切面、可实现更小尺寸的基体单元的切割、具有更小的热影响区而允许基体单元不产生形变或产生更加微小的材料变形、具有更加高速的切割效率、具有更低的维护成本、具有更高的操作安全性,因此可以降低衰减器的制作成本和制作难度,可以提高衰减器的制作效率,并提高衰减器的良品率。

25、由于本技术提供的衰减器采用在设定条件下对陶瓷基体进行烘干和烧结而形成各个电极,相比于溅射工艺,烘干和烧结工艺使得电极与基体单元具有良好的粘接可靠性,提高衰减器的结构稳定性和使用可靠性。

26、本技术的另一目的还在于提供一种衰减器,所述衰减器依据如上所述的衰减器的制作方法制得;

27、所述衰减器包括基体单元,所述基体单元具有沿所述基体单元的厚度方向相背设置的正面和背面,以及连接所述正面和所述背面的侧面;

28、所述正面和所述背面中的一者上设有第一信号电极、第二信号电极和第一接地电极,所述正面和所述背面中的另一者上设有第二接地电极,所述侧面上设有第三接地电极,所述第三接地电极连接所述第一接地电极和所述第二接地电极。

29、一些实施例中,所述基体单元具有交叉垂直设置的横向和纵向,所述基体单元沿所述纵向的两个所述侧面分别设有弧形凹面;

30、其中,所述正面上设有沿所述纵向间隔开的两个所述第一接地电极,所述背面上设有沿所述纵向间隔开的两个所述第二接地电极,两个所述弧形凹面分别设有第三接地电极,一个所述第三接地电极连接一个所述第一接地电极和一个所述第二接地电极;

31、其中,所述第一信号电极和所述第二信号电极设在两个所述第一接地电极之间,所述第一信号电极和所述第二信号电极沿所述横向间隔设置。

32、一些实施例中,所述基体单元具有交叉垂直设置的横向和纵向;

33、其中,所述第一信号电极和所述第二信号电极设在所述基体单元沿所述纵向的一端,所述第一信号电极和所述第二信号电极沿所述横向间隔设置;

34、其中,所述第一接地电极设在所述基体单元沿所述纵向的另一端,所述第三接地电极覆盖所述基体单元沿所述纵向的所述另一端所在的侧面,所述第二接地电极覆盖所述基体单元的所述背面。

35、本技术提供的衰减器相比于现有技术的有益效果,与本技术提供的衰减器的制作方法相比于现有技术的有益效果一致,此处不再赘述。

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