1.一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，其特征在于：下波导层与下限制层之间和/或下波导层与有源层之间具有手性双重拓扑态层，所述手性双重拓扑态层通过打破镜面对称性和空间反转对称性形成动量空间手性相反成对外尔点的双重拓扑态。
2.如权利要求1所述的一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，其特征在于，所述手性双重拓扑态层为nbrhte4@wp2、mop2@nbirte4、crsite3@tairte4、tarhte4@crgete3、mop2@wp2的任意一种或任意组合的三维拓扑莫尔超晶格结构。
3.如权利要求1所述的一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，其特征在于，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述阱层为ingan、inn、alinn、gan的任意一种或任意组合，所述垒层为gan、algan、alingan、aln、alinn的任意一种或任意组合。
4.如权利要求2所述的一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，其特征在于，所述下限制层为ingan、inn、gan、alingan、aln、algan、alinn、gaas、gap、inp、algaas、alingaas、algainp、ingaas、alinas、alinp、algap、ingap、sic、ga2o3、bn的任意一种或任意组合，
5.如权利要求4所述的一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，其特征在于，所述电子阻挡层和上限制层均为gan、algan、alingan、aln、al inn的任意一种或任意组合。
6.根据权利要求1所述的一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，其特征在于：其特征在于，所述手性双重拓扑态层的任意组合包括以下二元组合的三维拓扑莫尔超晶格结构：
7.根据权利要求1所述的一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，其特征在于所述手性双重拓扑态层的任意组合包括以下三元组合的三维拓扑莫尔超晶格结构：nbrhte4@wp2/mop2@nbirte4/crsite3@tairte4，nbrhte4@wp2/mop2@nbirte4/tarhte4@crgete3，
8.如权利要求1所述的一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，其特征在于，所述手性双重拓扑态层的任意组合包括以下四元组合的三维拓扑莫尔超晶格结构：nbrhte4@wp2/mop2@nbirte4/crsite3@tairte4/tarhte4@crgete3，
9.如权利要求1所述的一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，其特征在于，所述手性双重拓扑态层的任意组合包括以下五元组合的三维拓扑莫尔超晶格结构：
10.如权利要求1所述的一种具有手性双重拓扑态层的半导体激光元件，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石、硅、ge、sic、aln、gan、gaas、inp、蓝宝石/sio2复合衬底、蓝宝石/aln复合衬底、蓝宝石/sinx、蓝宝石/sio2/sinx复合衬底、镁铝尖晶石mgal2o4、mgo、zno、zrb2、lialo2和ligao2复合衬底的任意一种。