1.一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：包括封装层(1)、多层防静电结构、mos管(3)、绝缘骨架(4)和金属网层(5)，所述绝缘骨架(4)内设置多层空腔框(41)，所述空腔框(41)包括多个空腔段(411)，多层空腔框(41)之间分别通过绝缘骨架(4)支撑，所述防静电结构包括多个液态屏蔽段(21)和多个液态封装膜(22)，所述液态封装膜(22)包覆在液态屏蔽段(21)外，并封装在空腔段(411)内，多层防静电结构分别封装在多层空腔框(41)内，且上下两层空腔框(41)内的液态封装膜(22)错开布置，下层防静电结构的液态屏蔽段(21)位于上层防静电结构的液态屏蔽段(21)之间的间隙，所述mos管(3)封装在最内层防静电结构内，且与最内层防静电结构的液态封装膜(22)的内侧设有塑封间隙(100)，所述金属网层(5)环绕在绝缘骨架(4)的最外侧，并避开mos管(3)的引脚，多层防静电结构分别装配完成后，通过塑封料进行塑封填充在塑封间隙(100)、多层防静电结构之间绝缘骨架(4)的间隙形成封装层(1)、以及金属网层(5)外围，形成用于强静电工况的mos管。
2.根据权利要求1所述的一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：液态屏蔽段(21)由导电液填充在液态封装膜(22)内成型，导电液是在室温下导电率大于20×10-3s/cm。
3.根据权利要求2所述的一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：同一层防静电结构内多个液态屏蔽段(21)是同一种导电液，相邻两层防静电结构内的导电液的导电率差值的绝对值不小于10×10-3s/cm，且多层防静电结构内的液态屏蔽段(21)的导电液的导电率由外到内依次递增，金属网层(5)的导电率与防静电结构内的导电液的导电率差值的绝对值不小于20×10-3s/cm。
4.根据权利要求3所述的一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：液态封装膜(22)采用柔性耐高温材料制成，厚度不超过0.3mm。
5.根据权利要求4所述的一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：空腔段(411)的为长方体，长方体的长宽厚尺寸为a×b×c，1mm≤a≤2mm，0.3mm≤b≤0.8mm，0.6mm≤c≤1mm。
6.根据权利要求5所述的一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：防静电结构的层数为两层或三层，且封装完成后厚度不超过4mm。
7.根据权利要求1所述的一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：所述mos管(3)包括p型半导体(31)、一对n型半导体(32)、源极引脚(33)、漏极引脚(34)和栅极引脚结构(35)，所述p型半导体(31)设有一对n型半导体沟道，一对n型半导体(32)分别装配在一对n型半导体沟道内，所述源极引脚(33)的一端连接在一侧n型半导体(32)的外侧面，所述漏极引脚(34)的一端连接在n型半导体(32)的外侧面，所述栅极引脚结构(35)包括绝缘片(351)、场效应片(352)和栅极引脚(353)，所述绝缘片(351)的一侧面贴装在p型半导体(31)表面，并位于一对n型半导体沟道之间，所述场效应片(352)贴装在绝缘片(351)的另一侧面，所述栅极引脚(353)的一端连接在场效应片(352)的外侧面；
8.根据权利要求7所述的一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：源极引脚(33)、漏极引脚(34)和栅极引脚(353)均从一侧引出封装层(1)，且均设有弯折段(36)，所述弯折段外侧设置多层防静电结构，用于屏蔽从引脚侧的静电场对mos管(3)击穿。
9.根据权利要求8所述的一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：采用以下步骤进行封装：
10.根据权利要求9所述的一种用于强静电工况的mos管，其特征在于：绝缘骨架(4)与mos管(3)的四个侧面之间的塑封间隙(100)采用隔离模板先进行固定，在一侧塑封前先抽掉这一侧对应的隔离模板，直到四个侧面均完成塑封。