1.一种高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述gan hemt器件包括自下而上层叠设置的衬底、gan缓冲层、第一gan沟道层、第一渐变algan势垒层、第二gan沟道层和第二渐变algan势垒层;
2.根据权利要求1所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述ganhemt器件还包括:覆盖所述第二渐变algan势垒层表面的sin钝化层。
3.根据权利要求1所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述ganhemt器件的侧面具有器件电隔离区。
4.根据权利要求1所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述gan缓冲层的厚度为0.6~1.5μm。
5.根据权利要求1所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述第一gan沟道层的厚度为400nm,所述第二gan沟道层的厚度为10nm。
6.一种高线性双渐变沟道的gan hemt器件的制备方法,其特征在于,包括:
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在制备完所述源极和所述漏极之后,以及在制备所述栅极之前,所述方法还包括:
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在制备完所述源极和所述漏极之后,所述方法还包括:
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在衬底上沉积gan缓冲层,包括:在衬底上沉积厚度为0.6~1.5μm的gan缓冲层。
10.根据权利要求6所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件的制备方法,其特征在于,