高线性双渐变沟道的GaNHEMT器件及其制备方法

文档序号:37649743发布日期:2024-04-18 20:23阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述gan hemt器件包括自下而上层叠设置的衬底、gan缓冲层、第一gan沟道层、第一渐变algan势垒层、第二gan沟道层和第二渐变algan势垒层;

2.根据权利要求1所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述ganhemt器件还包括:覆盖所述第二渐变algan势垒层表面的sin钝化层。

3.根据权利要求1所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述ganhemt器件的侧面具有器件电隔离区。

4.根据权利要求1所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述gan缓冲层的厚度为0.6~1.5μm。

5.根据权利要求1所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件,其特征在于,所述第一gan沟道层的厚度为400nm,所述第二gan沟道层的厚度为10nm。

6.一种高线性双渐变沟道的gan hemt器件的制备方法,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在制备完所述源极和所述漏极之后,以及在制备所述栅极之前,所述方法还包括:

8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在制备完所述源极和所述漏极之后,所述方法还包括:

9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在衬底上沉积gan缓冲层,包括:在衬底上沉积厚度为0.6~1.5μm的gan缓冲层。

10.根据权利要求6所述的高线性双渐变沟道的gan hemt器件的制备方法,其特征在于,


技术总结
本发明公开了一种高线性双渐变沟道的GaN HEMT器件及其制备方法,该器件包括自下而上层叠设置的衬底、GaN缓冲层、第一GaN沟道层、第一渐变AlGaN势垒层、第二GaN沟道层和第二渐变AlGaN势垒层;GaN HEMT器件还包括制备在第二渐变AlGaN势垒层上的源极、漏极和栅极;第一渐变AlGaN势垒层和第二渐变AlGaN势垒层的厚度均为10nm,第一渐变AlGaN势垒层中Al组分的质量百分比浓度从上至下由15%递减至0,第二渐变AlGaN势垒层中Al组分的质量百分比浓度从上至下由30%递减至0。本发明提供的GaN HEMT器件既具有宽的栅压摆幅,又具有平坦的跨导曲线,实现了高线性度。

技术研发人员:张濛,董洁,杨凌,于谦,侯斌,武玫,宓珉瀚,马晓华
受保护的技术使用者:西安电子科技大学
技术研发日:
技术公布日:2024/4/17
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