1.一种纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构，其特征在于，所述复合磁芯由纳米晶薄膜和铁氧体薄片叠压构成，由若干层纳米晶薄膜叠压成设定厚度的纳米晶；将叠压成设定厚度的纳米晶和薄片铁氧体交错叠压，每相邻的铁氧体和纳米晶组合构成一个叠压单元，多层叠压单元叠加构成复合磁芯。
2.一种如权利要求1所述纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构的优化方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构的优化方法，其特征在于，所述基于磁路等效法构建立复合磁芯均匀化模型，得到复合磁芯的等效磁导率具体为：
4.根据权利要求3所述的一种纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构的优化方法，其特征在于，所述单个叠压单元的匀质化模型具体为：将铁氧体磁阻rfe和纳米晶磁阻rna并联后得到叠压单元的等效磁阻req：
5.根据权利要求4所述的一种纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构的优化方法，其特征在于，所述复合磁芯的等效磁导率具体为：
6.根据权利要求5所述的一种纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构的优化方法，其特征在于，所述的不同厚度配比下复合磁芯内部磁通密度分布表示为：
7.根据权利要求2所述的一种纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构的优化方法，其特征在于，所述复合磁芯中磁芯损耗ploss包括铁氧体损耗pfe和纳米晶损耗pna两部分，所述的复合磁芯的损耗模型基于修正斯坦梅兹方程，表示为：
8.根据权利要求2所述的一种纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构的优化方法，其特征在于，所述复合磁芯的功率密度模型具体表示为：
9.根据权利要求2所述的一种纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构的优化方法，其特征在于，所述对复合磁芯结构进行多目标多变量优化的步骤具体包括：
10.根据权利要求9所述的一种纳米晶和铁氧体交错叠压的复合磁芯结构的优化方法，其特征在于，所述优化模型优化的约束条件包括磁芯饱和约束，以确保复合磁芯中铁氧体和纳米晶均不会饱和。