1.一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，包括：少模或双模光子激光器和光电反馈环路；
2.根据权利要求1所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述反射介质和光放大器可以是窄/宽带反射式半导体光放大器，所述反射式光放大器由半导体光放大器构成，经过所述窄/宽带反射式半导体光放大器的光信号进入所述马赫-曾德尔调制器；所述窄/宽带反射式半导体光放大器与所述马赫-曾德尔调制器之间可以设置有加热器用于微调少模或双模激光器的腔长。
3.根据权利要求2所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述选模结构设置有分布式布拉格光栅反射器，所述分布式布拉格光栅反射器上耦合有加热器用于微调少模或双模激光器的腔长。
4.根据权利要求2所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，经过所述马赫-曾德尔调制器的光信号进入所述少模或双模光子集成激光器后通过所述第一加热器与微型光电探测器耦合，所述微型光电探测器用于监测光信号；
5.根据权利要求2所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述选模结构还包括两个输出路径,两个所述输出路径之间通过一个第二微环耦合，第一输出路径上设置有所述分布式布拉格光栅反射器以及加热器，第二输出路径通过一个所述第一微环与所述微型光电探测器耦合，经过所述马赫-曾德尔调制器的光信号进入所述少模或双模光子集成激光器后通过所述第一加热器与所述微型光电探测器耦合。
6.根据权利要求2所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述选模结构设置有sagnac反射器，所述反射式半导体光放大器由布拉格光栅和半导体光放大器构成，所述sagnac反射器耦合有加热器以及所述微型光电探测器，所述激光输出路径与所述微型光电探测器之间通过至少一个第一微环耦合，经过所述马赫-曾德尔调制器的光信号进入所述少模或双模光子集成激光器后与所述第一微环耦合。
7.根据权利要求2所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述选模结构设置有光耦合器，所述光耦合器将所述马赫-曾德尔调制器输出的信号分为上下两部分光路，所述上部分光路包括带有第一加热器的第一分布式布拉格光栅反射器，所述上部分光路为所述激光输出路径；所述下部分光路间隔设置有第二加热器以及第二分布式布拉格光栅反射器，所述下部分光路尾部连接有所述微型光电探测器。
8.根据权利要求2所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述选模结构设置有光耦合器，所述光耦合器的一端为上下两部分光路，另一端通过所述第一微环与所述激光输出路径耦合；所述上下两部分光路均设置有分布式布拉格光栅反射器，所述上下两部分光路尾部连接有所述微型光电探测器，所述上下部分光路的任一分布式布拉格光栅反射器上设置有加热器；所述激光输出路径上设置有至少一个加热器。
9.根据权利要求2所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述选模结构设置有两个分布式布拉格光栅反射器组合形成的法布里-珀罗干涉以及单独一个分布式布拉格光栅反射器，所述法布里-珀罗干涉仪与所述马赫-曾德尔调制器之间设置有加热器。
10.根据权利要求2所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述选模结构设置有两个所述分布式布拉格光栅反射器组合形成的法布里-珀罗干涉仪以及所述sagnac反射器，所述法布里-珀罗干涉仪和所述sagnac反射器之间耦合有加热器。
11.根据权利要求10所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述法布里-珀罗干涉仪设置于所述光放大反射模块，所述法布里-珀罗干涉仪位于所述反射式半导体光放大器与所述马赫-曾德尔调制器之间。
12.一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述混频鉴相输出的信号通过所述低通滤波器后也可以通过所述光学移相器进行射频信号的相位噪声抑制。
14.一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的一种少模或双模耦合光电振荡器，其特征在于，所述混频器输出的信号通过低通滤波器后也可以通过光学移相器在光信号进行射频信号的相位噪声抑制。