1.一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，包括从下至上依次相连的衬底、下包覆层、下波层，有源层、上波导层、上包覆层，其特征在于，所述有源层为低热损耗量子阱；
2.根据权利要求1所述的一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，其特征在于，所述第一低热损耗量子阱层、第二低热损耗量子垒层、第三低热损耗量子阱层均为ingan、gan、inn、alinn、aln、alingan、ingan/gan超晶格、ingan/ingan超晶格、ingan/alingan超晶格、ingan/alinn超晶格、ingan/algan超晶格的任意一种或任意组合。
3.根据权利要求2所述的一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，其特征在于，所述第一低热损耗量子阱层以及所述第三低热损耗量子阱层的饱和电子漂移速率分布、密度分布均具有倒u型分布；所述第一低热损耗量子阱层以及所述第三低热损耗量子阱层的纵向声速分布、横向声速分布均具有u型分布；
4.根据权利要求3所述的一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，其特征在于，所述第一低热损耗量子阱层的饱和电子漂移速率分布具有y＝ax2+bx+c曲线分布，其中，a＜0；
5.根据权利要求4所述的一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，其特征在于，所述第一低热损耗量子阱层的密度分布具有y＝hx2+ix+j曲线分布，其中，h＜0；
6.根据权利要求5所述的一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，其特征在于，所述第一低热损耗量子阱层的纵向声速分布具有y＝p1 x2+q1 x+o1曲线分布，其中，p1＞0；
7.根据权利要求6所述的一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，其特征在于，所述第一低热损耗量子阱层的横向声速分布具有y＝p2x2+q2x+o2曲线分布，其中，p2＞0；
8.根据权利要求7所述的一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，其特征在于，所述第一低热损耗量子阱层的重空穴有效质量分布具有y＝cscx第一象限曲线分布；
9.根据权利要求7所述的一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，其特征在于，所述第一低热损耗量子阱和第三低热损耗量子阱的饱和电子漂移速率分布、密度分布、纵向声速分布、横向声速分布具有如下关系：e≤a≤m≤h＜0＜r2≤p2≤r1≤p1；
10.根据权利要求1所述的一种具有低热损耗量子阱的氮化物半导体激光芯片，其特征在于，所述下包覆层、下波导层、上波导层、上包覆层为gan、ingan、inn、alinn、algan、alingan、aln、gaas、gap、inp、algaas、alingaas、algainp、ingaas、ingaasn、alinas、alinp、algap、ingap、gasb、insb、inas、inassb、algasb、alsb、ingasb、algaassb、ingaassb、sic、ga2o3、bn、金刚石的任意一种或任意组合；