一种封装结构、电路板、电源及电子设备的制作方法

本技术涉及液冷领域，尤其涉及一种封装结构、电路板、电源及电子设备。

背景技术：

1、随着半导体相关技术的发展，半导体器件应用于各种领域，成为多种电子设备中必不可少的元件。当前存在对电子设备中的半导体器件进行散热的需求，相关技术中的散热方式主要有风冷技术和液冷技术。与风冷技术相比，液冷技术具有高效制冷、节能降耗、静音低噪、系统稳定、节约空间的优点。

2、液冷技术主要包括冷板式液冷、浸没式液冷和喷淋式液冷，其中，浸没式液冷是以冷却液作为传热介质，将具有散热需求的电子设备完全浸没在冷却液中，通过直接接触进行热交换。

3、由于冷却液直接和电子设备接触，虽然电子设备中的半导体器件被密封材料围绕，但是若密封材料的密封性较为薄弱，存在冷却液进入半导体器件内部，从而导致半导体器件性能下降甚至损坏的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术实施例提供了一种封装结构、电路板、电源及电子设备，该封装结构能够提供较好的密封性能，降低冷却液进入封装结构内部的概率。

2、本技术实施例的第一方面，提供了一种封装结构，包括围绕半导体器件的第一保护层，所述第一保护层和所述半导体器件的表面接触；

3、围绕所述第一保护层的第二保护层，所述第二保护层和所述第一保护层的表面接触；

4、连接所述半导体器件的引线贯穿所述第一保护层和所述第二保护层；所述引线的侧壁凹凸不平。

5、在本技术实施例中，通过第一保护层和第二保护层避免冷却液和半导体器件接触，提高密封性能。通过在引线的侧壁形成凹凸不平的结构，可以增加引线侧壁的面积，进而增加冷却液通过引线和两层保护层之间的缝隙进入封装结构内部的长度，最终提高冷却液进入封装结构的难度，降低冷却液进入封装结构内部的概率。

6、作为一种可选的实施方式，所述引线具有多个凸起结构。

7、在本技术实施例中，凸起结构增加引线侧壁的面积，提高冷却液进入封装结构的难度。

8、作为一种可选的实施方式，所述凸起结构的延伸方向和第一方向呈锐角或直角，所述第一方向为引线从所述半导体器件引出的方向。

9、作为一种可选的实施方式，当所述凸起结构的延伸方向和第一方向呈直角，所述凸起结构在所述第一方向的截面为方形。

10、作为一种可选的实施方式，当所述凸起结构的延伸方向和第一方向呈锐角，所述凸起结构在所述第一方向的截面为平行四边形或三角形。

11、在本技术实施例中，通过设置凸起结构的多种形状，满足不同应用场景的散热需求。

12、作为一种可选的实施方式，所述凸起结构包括主凸起和多个第一子凸起，所述第一子凸起设置于所述主凸起的表面。

13、作为一种可选的实施方式，至少部分数量的所述第一子凸起的延伸方向和所述主凸起的延伸方向相同。

14、作为一种可选的实施方式，所述凸起结构包括主凸起和多个第一子凹陷，所述第一子凹陷设置于所述主凸起的表面。

15、作为一种可选的实施方式，至少部分数量的所述第一子凹陷的凹陷方向和所述第一方向呈钝角或直角。

16、在本技术实施例中，通过将凸起结构设置为包括主凸起和第一子凸起或第一子凹陷，进一步增加引线侧壁的面积，进一步提高冷却液进入封装结构的难度。

17、作为一种可选的实施方式，多个所述凸起结构的厚度沿着所述第一方向逐渐降低。

18、在本技术实施例中，通过将凸起结构的厚度沿着第一方向的反方向逐渐增加，冷却液进入封装结构内部在经过多个凸起结构时的长度也在逐渐增加，从而逐渐增加冷却液进入的难度。

19、作为一种可选的实施方式，所述引线具有多个凹陷结构。

20、在本技术实施例中，凹陷结构增加引线侧壁的面积，提高冷却液进入封装结构的难度。

21、作为一种可选的实施方式，所述凹陷结构的凹陷方向和第一方向呈钝角或直角，所述第一方向为引线从所述半导体器件引出的方向。

22、作为一种可选的实施方式，当所述凹陷结构的凹陷方向和第一方向呈直角，所述凹陷结构在所述第一方向的截面为方形。

23、作为一种可选的实施方式，当所述凹陷结构的凹陷方向和第一方向呈钝角，所述凹陷结构在所述第一方向的截面为平行四边形或三角形。

24、在本技术实施例中，通过设置凹陷结构的多种形状，满足不同应用场景的散热需求。

25、作为一种可选的实施方式，所述凹陷结构包括主凹陷和多个第二子凹陷，所述第二子凹陷设置于所述主凹陷的表面。

26、作为一种可选的实施方式，至少部分数量的所述子凹陷的凹陷方向和所述主凹陷的凹陷方向相同。

27、作为一种可选的实施方式，所述凹陷结构包括主凹陷和多个第二子凸起，所述第二子凸起设置于所述主凹陷的表面。

28、作为一种可选的实施方式，至少部分数量的所述子凸起的延伸方向和所述第一方向呈锐角或直角。

29、在本技术实施例中，通过将凹陷结构设置为包括主凹陷和第二子凹陷或第二子凸起，进一步增加引线侧壁的面积，进一步提高冷却液进入封装结构的难度。

30、作为一种可选的实施方式，多个所述凹陷结构的凹陷深度沿着所述第一方向逐渐降低。

31、在本技术实施例中，通过将凹陷结构的凹陷深度沿着第一方向的反方向逐渐增加，冷却液进入封装结构内部在经过多个凹陷结构时的长度也在逐渐增加，从而逐渐增加冷却液进入的难度。

32、作为一种可选的实施方式，所述凹凸不平至少设置于所述引线被所述第二保护层围绕的部分。

33、作为一种可选的实施方式，所述凹凸不平设置于所述引线被所述第二保护层和所述第一保护层围绕的部分。

34、在本技术实施例中，通过设置凹凸不平所在位置，从而提高冷却液进入的难度。

35、作为一种可选的实施方式，所述第一保护层的密封程度大于所述第二保护层的密封程度。

36、在本技术实施例中，通过设置第一保护层大于第二保护层的密封程度，从而进一步增加冷却液进入的难度。

37、本技术实施例第二方面，提供了一种电路板，所述电路板的表面设置有如本技术第一方面所述的任意一项所述的封装结构，所述电路板和所述封装结构中的半导体器件连接。

38、本技术实施例第三方面，提供了一种电源，包括电路板，以及与所述电路板连接的半导体器件，所述半导体器件设置于如本技术第一方面所述的任意一项所述的封装结构中。

39、本技术实施例第四方面，提供了一种电子设备，包括电路板，以及与所述电路板连接的半导体器件，所述半导体器件设置于如本技术第一方面所述的任意一项所述的封装结构中。作为一种可选的实施方式，电子设备还可以包括电源，电源包括电路板，以及与所述电路板连接的半导体器件，所述半导体器件设置于如本技术第一方面所述的任意一项所述的封装结构中。

40、从以上技术方案可以看出，本技术实施例具有以下优点：

41、本技术实施例提供一种封装结构，封装结构可以包括围绕半导体器件的第一保护层，第一保护层和半导体器件的表面接触，即第一保护层包裹半导体器件，从而实现利用第一保护层提供密封性能，避免冷却液和半导体器件接触。围绕第一保护层的第二保护层，第二保护层和第一保护层的表面接触，即第二保护层包裹第一保护层，通过第二保护层进一步避免冷却液和半导体器件接触，进一步提高密封性能。连接半导体器件的引线贯穿第一保护层和第二保护层，引线的侧壁凹凸不平，为了实现半导体器件的电引出，连接半导体器件的引线需要贯穿两层保护层，通过在引线的侧壁形成凹凸不平的结构，可以增加引线侧壁的面积，进而增加冷却液通过引线和两层保护层之间的缝隙进入封装结构内部的长度，最终提高冷却液进入封装结构的难度，降低冷却液进入封装结构内部的概率。