1.一种磁体结构，其特征在于，包括若干磁体单元，每个所述磁体单元为一体式结构件，每个所述磁体单元包括在第一方向上相背的第一侧和第二侧；
2.根据权利要求1所述的磁体结构，其特征在于，所述磁偏角的范围包括：0°～90°。
3.根据权利要求2所述的磁体结构，其特征在于，所述磁体单元以所述中心面为对称面，以所述中心面为对称的两部分所述磁体单元的磁偏角对应相等；
4.根据权利要求1-3任一所述的磁体结构，其特征在于，从所述中心面至任一所述端面之间的所述磁体单元的磁偏角呈等差数值增大。
5.根据权利要求1-4任一所述的磁体结构，其特征在于，所述磁体单元在所述第一方向上的厚度与所述磁体单元在所述第二方向上的宽度的比值小于等于1。
6.根据权利要求5所述的磁体结构，其特征在于，所述磁体单元在所述第一方向上的厚度与所述磁体单元在所述第二方向上的宽度的比值小于等于1/2。
7.根据权利要求1-6任一所述的磁体结构，其特征在于，所述磁体单元包括在所述第二方向上分布的中心部分和两个端部，所述中心部分以所述中心面对称；
8.根据权利要求7所述的磁体结构，其特征在于，所述中心部分的剩余磁化强度大于1.0t。
9.根据权利要求7或8所述的磁体结构，其特征在于，所述中心部分的磁偏角α1范围包括：0°≤α1≤10°。
10.根据权利要求7-9任一所述的磁体结构，其特征在于，所述端部的磁偏角α2范围包括：60°≤α2≤90°。
11.根据权利要求1-10任一所述的磁体结构，其特征在于，所述磁体单元的相对密度大于90％。
12.根据权利要求1-11任一所述的磁体结构，其特征在于，所述磁体单元的数量为多个，其中一个所述磁体单元一端部的端面与其中另一个所述磁体单元一端部的端面相接，相接的两个所述端面处的极性相反；
13.根据权利要求1-11任一所述的磁体结构，其特征在于，还包括若干单向磁体，至少一个所述磁体单元一端部的端面与所述单向磁体一端部的端面相接，相接的两个所述端面处的极性相反；
14.一种磁体结构的制备方法，其特征在于，所述磁体结构包括磁体单元，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度包括：700℃～900℃；
16.根据权利要求14或15所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体的变形速率包括104～10-1/s。
17.根据权利要求14-16任一所述的制备方法，其特征在于，所述使所述磁粉成型获得前驱体，包括：
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述冷坯的密度包括3.0g/cm3～5.0g/cm3；
19.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述第二预设温度包括：600℃～900℃；
20.根据权利要求14-19任一所述的制备方法，其特征在于，所述在第一预设温度、第一预设压力条件下，使所述前驱体变形之后，所述方法还包括：对变形后的所述前驱体进行表面加工、表面处理。
21.根据权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述对变形后的所述前驱体进行表面加工、表面处理后，所述方法还包括：对表面处理后的所述前驱体充磁。
22.根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述磁体单元的数量为多个，所述获得所述磁体单元之后，所述方法还包括：粘接多个所述磁体单元，获得所述磁体结构。
23.根据权利要求14-19任一所述的制备方法，其特征在于，所述磁体单元的数量为多个，所述使所述前驱体变形，获得所述磁体单元，包括：
24.一种功能模组，其特征在于，包括动件和上述权利要求1-13任一所述的磁体结构，所述磁体结构用于驱动所述动件移动。
25.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和上述权利要求1-13任一所述的磁体结构，所述磁体结构装配于所述壳体。