一种coa基板及其制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示器技术领域，特别是涉及一种COA基板及其制作方法。
【【背景技术】】
[0002]COA(Color Filter on Array)基板是将彩色滤色片制作在阵列基板上，请参照图1，图1为现有技术的COA基板的结构不意图，如图1所不，现有的COA基板包括衬底基板111、第一金属层112、栅极绝缘层113、有源层114、欧姆接触层115、第二金属层116、第一钝化层117 ;色阻层118、第二钝化层119、透明导电层120，透明导电层120包括像素电极，像素电极通过贯穿色阻层118和第二钝化层119的过孔121连接第二金属层的漏极区。
[0003]但是现有的COA基板通常在高温中制程，高温会造成色阻层中的有机材料挥发形成气泡，由于过孔121存在空余的空间，会使得产生的气泡残留在过孔中。在显示器通电时，气泡占据了液晶分子的位置，因而液晶分子不能到达气泡残留处，从而影响显示效果。
[0004]因此，有必要提供一种COA基板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
【
【发明内容】
】
[0005]本发明的目的在于提供一种COA基板及其制作方法，以解决现有技术过孔中残留气泡影响显示效果的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明构造了一种COA基板的制作方法，包括以下步骤:在衬底基板上形成第一金属层，对所述第一金属层进行图形化处理形成栅极；
[0007]在所述栅极及未被所述栅极覆盖的衬底基板上形成栅绝缘层；
[0008]在所述栅绝缘层上形成有源层；
[0009]在所述有源层上形成欧姆接触层；
[0010]在所述欧姆接触层上形成第二金属层，对所述第二金属层进行图形化处理形成漏极和源极；
[0011 ] 在所述第二金属层上形成第一钝化层；
[0012]在所述第一钝化层上形成色阻层；
[0013]在所述色阻层上形成第二钝化层；
[0014]在所述第二钝化层上形成连接所述第二金属层的漏极的过孔；
[0015]在所述第二钝化层上及所述过孔内形成透明导电层以及
[0016]在所述COA基板的表面形成隔离子和/或黑色矩阵，并在所述过孔内填充隔离子材料或黑色矩阵材料。
[0017]在本发明的COA基板的制作方法中，所述在所述过孔内填充隔离子材料或黑色矩阵材料的步骤包括:在所述过孔内填充所述隔离子材料或所述黑色矩阵材料，直至所述COA基板的表面平整。
[0018]在本发明的COA基板的制作方法中，所述在所述COA基板的表面形成隔离子的步骤包括:
[0019]在所述COA基板的表面涂布所述隔离子材料；以及
[0020]对所述隔离子材料进行图形化处理形成所述隔离子。
[0021]在本发明的COA基板的制作方法中，所述在所述COA基板的表面形成隔离子和黑色矩阵的步骤包括:
[0022]在所述COA基板的表面涂布所述黑色矩阵材料；以及
[0023]对所述黑色矩阵材料进行图形化处理形成所述隔离子和所述黑色矩阵。
[0024]在本发明的COA基板的制作方法中，所述在所述色阻层上形成所述第二钝化层的步骤包括:通过涂布方式在所述色阻层上形成所述第二钝化层，其中所述第二钝化层的材料为有机透明材料。
[0025]本发明还提供一种COA基板，所述COA基板包括:
[0026]衬底基板；
[0027]第一金属层，位于所述衬底基板上，包括薄膜晶体管的栅极区；
[0028]栅极绝缘层，部分位于所述第一金属层上，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；
[0029]有源层，部分位于所述栅极绝缘层上，用于形成沟道；
[0030]欧姆接触层，位于所述有源层上；
[0031]所述第二金属层，位于所述欧姆接触层上，包括薄膜晶体管的漏极区和源极区；
[0032]第一钝化层，位于所述第二金属层上，用于隔离所述第二金属层和色阻层；
[0033]所述色阻层，位于所述第一钝化层上，用于形成彩膜色阻；
[0034]第二钝化层，位于所述色阻层上，所述第二钝化层上设置有连接所述第二金属层的漏极的过孔；以及
[0035]透明导电层，位于所述第二钝化层上及所述过孔内；以及
[0036]隔离子和/或黑色矩阵，设置在所述COA基板的表面，其中所述过孔内填充有隔离子材料或黑色矩阵材料。
[0037]在本发明的COA基板中，所述过孔内填充有设定量的隔离子材料或黑色矩阵材料，所述设定量的隔离子材料或黑色矩阵材料用于使所述COA基板的表面平整。
[0038]在本发明的COA基板中，在所述COA基板的表面设置有所述隔离子材料，所述隔离子材料用于在所述COA基板的表面形成所述隔离子。
[0039]在本发明的COA基板中，在所述COA基板的表面设置有所述黑色矩阵材料，所述黑色矩阵材料用于在所述COA基板的表面形成所述黑色矩阵。
[0040]在本发明的COA基板中，所述第二钝化层的材料为有机透明材料。
[0041]本发明的COA基板及其制作方法，通过在形成隔离子和/或黑色矩阵时，在所述过孔内填充隔离子材料或黑色矩阵材料，从而提高显示效果。
【【附图说明】】
[0042]图1为现有技术的COA基板的结构示意图；
[0043]图2为本发明第一实施例的COA基板的结构示意图；
[0044]图3为本发明第二实施例的COA基板的结构示意图；
[0045]图4为本发明第三实施例的COA基板的结构示意图。【【具体实施方式】】
[0046]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0047]请参照图2，图2为本发明第一实施例的COA基板的结构示意图。
[0048]本发明的COA基板如图2所示，包括衬底基板11、第一金属层12、栅极绝缘层13、有源层14、欧姆接触层15、第二金属层16、第一钝化层17 ;色阻层18、第二钝化层19、透明导电层20。
[0049]所述第一金属层12，位于所述衬底基板11上，包括薄膜晶体管的栅极区，对所述第一金属层12进行图形化处理形成的栅极，所述栅极区部分以外的第一金属层在制程过程中被刻蚀掉；为了隔离所述第一金属层12和所述第二金属层16、以及隔离所述第一金属层12和有源层14，在所述第一金属层12上设置所述栅极绝缘层13，仅在所述第一金属层的栅极区设置有所述栅极绝缘层13，其余所述栅极绝缘层13设置在所述衬底基板上。所述有源层14，部分位于所述栅极绝缘层13上，用于形成所述薄膜晶体管的漏极和源极之间的沟道；所述欧姆接触层15位于所述有源层14上，用于在所述薄膜晶体管的栅极闭合时，导通源极和漏极。所述欧姆接触层的材料可为氮化硅。
[0050]所述第二金属层16，位于所述欧姆接触层15上，包括薄膜晶体管的漏极区和源极区；对所述第二金属层16进行图形化处理形成漏极和源极；所述漏极和源极以外的第二金属层在制程过程中被刻蚀掉。
[0051]第一钝化层17，位于所述第二金属层16上，用于将所述漏极和所述源极分别与所述色组层18隔离；所述色阻层18，位于所述第一钝化层17上，对所述色阻层18进行图形化处理以形成彩膜色阻；第二钝化层19，位于所述色阻层18上，用隔离所述色阻层18和所述透明导电层20 ;所述第二钝化层19上设置有连接所述第二金属层16的所述漏极的过孔21 ;所述过孔21贯穿所述色阻层18、所述第二钝化层19、以及所述第一钝化层17。所述透明导电层20，位于所述第二钝化层19上(仅部分覆盖在所述第二钝化层19上)，其包括像素电极，所述像素电极与所述漏极之间通过过孔21连接，所述第二钝化层19的材料可为有机透明材料。
[0052]在所述COA基板的表面还设置有隔离子22，其中所述过孔21内填充有隔离子材料。具体地，所述隔离子22设置在未被所述透明导电层20覆盖的所述第二钝化层19上，且在所述过孔内填充有设定量的隔离子材料，所述设定量的隔