层，所述阻隔单元和所述 平坦化单元均呈周期排布，所述平坦化单元设置在相邻所述阻隔单元的间隙中并延伸至所 述阻隔单元上，这样能够保证相邻阻隔单元层能相互覆盖组成单元之间的缝隙位置，有效 阻挡水氧的横向穿透，有效保障了器件的性能和使用寿命。而且所述柔性聚合物基板能在 大于所述平坦化单元的尺度范围内任意尺寸裁切，简化了柔性光电器件的工艺步骤，降低 了生产成本。
【附图说明】
[0034] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合 附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0035] 图1是本发明中玻璃载板分区示意图；
[0036] 图2A是本发明玻璃载板中所述高粗糙区域微观示意图；
[0037] 图2B是本发明玻璃载板中所述高粗糙区域与所述柔性聚合物基板贴合后的截面 图；
[0038] 图3A是本发明玻璃载板中所述低粗糙区域微观示意图；
[0039] 图3B是本发明玻璃载板中所述低粗糙区域与所述柔性聚合物基板贴合后的截面 图；
[0040] 图4是实施例1中所述光电器件的截面图；
[0041] 图5A是本发明中所述柔性聚合物基板与之所承载的所述光电器件从所述高粗糙 区域剥离后所述玻璃基板的示意图；
[0042] 图5B是图5A中沿A-A'线的截面图；
[0043] 图6是本发明中在光电器件剥离后在残留的所述柔性聚合物基板上设置掩膜层 的截面示意图；
[0044] 图7是本发明中对所述柔性聚合物基板进行灰化工艺后的截面示意图；
[0045] 图8是本发明中所述低粗糙区域所述柔性聚合物基板剥离的机理图。
[0046] 图中附图标记表示为：1-玻璃载板、11-高粗糙区域、12-低粗糙区域、2-柔性聚 合物基板、3-缓冲层、41-栅极绝缘层、42-半导体沟道层、43-层间介质层、44-栅极、45-源 极、46-漏极、5-平坦化层、6-阳极、7-有机功能层、8-阴极、9-封装层、10-掩膜层、13-贯 通通道。
【具体实施方式】
[0047] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实 施方式作进一步地详细描述。然而，本发明可以多种不同的方式来实现而不局限于在此描 述的实施例。相反地，下述所提供的实施例，对本领域的技术人员来说，使得本发明充分公 开并且完全覆盖本发明的范围。附图中，为了清楚起见，夸大了各层或区域的尺寸和相对尺 寸。
[0048] 除非另有限定，在此所采用的所有术语(包括技术和科技术语）具有与本领域所属 技术人员通常所理解的相同意思。
[0049] 实施例1
[0050] 本实施例提供一种柔性光电器件的制备方法，具体包括如下步骤：
[0051] S1、如图1所示，在玻璃载板1划分4个器件制备单元区域，所述器件制备单元区 域由用于器件制备的高粗糙区域11和用于柔性基板粘附的低粗糙区域12组成，所述低粗 糙区域12环绕所述高粗糙区域。
[0052] 所述高粗糙区域11和所述低粗糙区域12通过酸法刻蚀工艺制备，所述粗糙区域 的粗糙度为Ra〈〇.1，本实施例优选为〇. 05,所述低粗糙区域的厚度为0.1Um;所述高粗糙 区域的粗糙度为〇. 3〈Ra〈0. 5,本实施例优选为0. 4,所述高粗糙区域的厚度为0. 5ym。作为 本发明的其他实施例，还可以通过碱法刻蚀等其他玻璃刻蚀工艺对所述高粗糙区域11和 所述低粗糙区域12进行粗糙处理，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0053]S2、在所述器件制备单元区域上直接设置柔性聚合物基板2,再置于腔室内进行高 温、高压处理；所述柔性聚合物基板2可以直接放置或通过旋转涂布、化学气相沉积、真空 蒸镀等聚合物成膜方法设置在所述玻璃载板1上，本实施例优选所述柔性聚合物基板2可 以直接放置所述玻璃载板1上，所述柔性聚合物基板2选自但不限于聚乙烯（PE)、聚丙烯 (PP)、聚苯乙烯（PS)、聚矾醚（PES)、聚对萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚酰亚胺（PI)、聚对苯 二甲酸乙二醇酯（PET)等，本实施例优选PI基板。先对覆盖有所述柔性聚合物基板2的 所述玻璃载板1置于腔室内进行抽真空处理，真空度为〇.OOlPa，使得所述柔性聚合物基 板2与所述玻璃载板1紧密贴合，然后再进行高温、高压处理，腔室内温度为220°C，压力为 0. 4MPa，处理时间为60分钟。
[0054] 作为本发明的其他实施例，所述腔室内温度为200?250°C，压力为0? 3? 0. 5MPa，处理时间为30?90分钟均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0055] 作为本发明的其他实施例，对覆盖有所述柔性聚合物基板2的所述玻璃载板1置 于腔室内进行抽真空处理时，真空度为1〇_ 4?l〇_2Pa，均能实现本发明的目的，属于本发明 的保护范围。
[0056] 在所述器件制备单元区域上直接设置柔性聚合物基板2,再置于腔室内进行高温、 高压处理；高温、高压条件下，柔性聚合物基板2中聚合物分子能量加大，运动速度加快，逐 渐挣脱聚合物分子间氢键的束缚，使得氢键断开；而所述玻璃载板1的表面具有大量的一 Si-0H，根据勒沙特列原理，高温、高压条件下，聚合物分子逐渐与玻璃表面的一0H形成氢 键，使得柔性聚合物基板2紧密贴合与玻璃载板1表面。
[0057] 如图3A与图3B所示，通过酸法刻蚀工艺在所述器件制备单元区域中制成所述低 粗糙区域12,所述低粗糙区域12表面的一0H数量相对较多，柔性聚合物基板2在所述玻 璃载板1的附着力较大。如图2A与图2B所示，由于所述高粗糙区域11的顶端接触效应， 使得该区域柔性聚合物基板2与玻璃载板1之间接触面积减少，从而降低了该区域柔性聚 合物基板2与玻璃载板1之间氢键的数量，在不影响光电器件制备的情况下尽量减少柔性 聚合物基板2在所述玻璃载板1上的附着力，在器件的裁切工艺后，随着裁切边缘空气的渗 入，可轻易将该区域的所述柔性聚合物基板2与之所承载的光电器件从玻璃载板1上剥离 出来。
[0058] 在柔性聚合物基板2的固定过程中未使用粘合剂、也未设置牺牲层，工艺步骤更 加简单，也不会出现胶体污染等问题，工艺成本低；而且，所述低粗糙区域12的粗糙度小 于0. 1，表面粗糙度低，平面较光滑，所述高粗糙区域11的粗糙度（Ra)为0. 4,厚度仅为 〇. 5ym，使得所述柔性聚合物基板2表面平整度高，有利于后续光电器件的制备过程。
[0059] S3、在所述柔性聚合物基板2表面的所述高粗糙区域11进行光电器件的制备与封 装；本实施例中光电器件为主动型0LED器件，作为本发明的其他实施例，所述光电器件还 可以为0?￥、(7^1\051儿0)(液晶显示器)、1^0(发光二极管)、？0?(等离子显示装置)、1^〇 (发光电化学池）等，均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0060] 本实施例中所述主动型0LED器件的结构示意图如图4所示，结构与制备工艺同现 有技术，包括依次设置在柔性基板2上的缓冲层3,TFT(薄膜场效应管）中的半导体沟道层 42、栅极绝缘层41、栅极44,设置在栅极44上的层间介质层43,设置在层间介质层43上的 源极45和漏极46 ;TFT上设置平坦化层5,用于器件结构的平坦化，便于有机发光二极管的 制备，所述有机发光二极管有包括阳极6、有机功能层7、阴极8 ;其中有机功能层7包括有 机发光层，以及空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等结构中的一种 或多种的组合。待有机发光二极管制作完毕后可在所述主动型0LED器件上方设置柔性封 装层9进行封装。
[0061] 作为本发明的其他实施例，步骤S3所述光电器件的制备步骤之前，还包括在所述 柔性聚合物基板2上制备包括至少2层阻隔单元层和至少1层平坦化单元层交替设置的水 氧阻隔层，所述阻隔单元层包括呈阵列分布的若干阻隔单元，所述平坦化单元层包括呈阵 列分布的若干平坦化单元，所述平坦化单元设置在相邻所述阻隔单元的间隙中并延伸至所 述阻隔单元上。这样能够保证相邻阻隔单元层能相互覆盖组成单元之间的缝隙位置，有效 阻挡水氧的横向穿透，有效保障了光电器件的性能和使用寿命。而且所述柔性聚合物基板 2能在大于所述平坦化单元的尺度范围内任意尺寸裁切，简化了柔性光电器件的工艺步骤， 降低了生产成本。
[0062] 其中，所述阻隔单元的材料相同或者不同，选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛、 氧化锆、氮氧化铝、氮氧化硅、非晶碳中的一种或多种的组合。
[0063] 其中，所述平坦化单元的材料选自聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯