人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
[0033]由于现有技术中在形成透明导电层时，往往会破坏基片的钝化效果，因此，本申请提供一种异质结太阳能电池的制造方法，能够克服在形成透明导电层时对钝化效果的破坏。
[0034]请参考图2所示，图2是本申请提供的一种异质结太阳能电池的制造方法的流程图；本申请提供的一种异质结太阳能电池的制造方法，包括:
[0035]步骤SlOO:提供异质结太阳能电池第一结构，所述第一结构可以包括基片、设置于所述基片两侧的本征层以及在两侧本征层上分别设置的第一掺杂层和第二掺杂层。
[0036]步骤SllO:在该第一结构中的第一掺杂层和/或第二掺杂层上形成保护层；形成具有所述保护层的异质结太阳能电池结构，将该结构称之为异质结太阳能电池第二结构。
[0037]步骤S120:在所述异质结太阳能电池第二结构的两侧形成透明导电层，或者在所述异质结太阳能电池第二结构的一侧且位于所述保护层上形成透明导电层。
[0038]通过上述步骤，在异质结太阳能电池第一结构中的第一掺杂层和/或第二掺杂层上形成保护层，在此基础上形成具有保护层的异质结太阳能电池第二结构，在该第二结构的两侧或者具有保护层的一侧形成透明导电层；当沉积透明导电层时，由于存在保护层，因此，能够避免沉积透明导电层对基片表面钝化效果的破坏，提高光电转换效率及电池性能，并且延长异质结太阳能电池的寿命。
[0039]上述步骤的具体实现方式如下:
[0040]请参考图2a，图2a是本申请提供的一种异质结太阳能电池的制造方法第一实施例的流程图。
[0041]步骤S100-1:提供异质结太阳能电池第一结构，所述第一结构可以包括基片、设置于所述基片两侧的本征层以及在两侧本征层上分别设置的第一掺杂层和第二掺杂层。
[0042]在步骤中，基片可以采用单晶硅片或多晶硅片，并对该基片进行制绒、清洗等处理。
[0043]对于硅片需要先对其进行制绒和清洗，制绒的目的是减小电池表面的反射，使得更多的光子能够被基片吸收，通常制绒是将硅片表面处理为金字塔形状，该形状更有利于光线斜射到硅片内部，降低电池表面的光的反射率，使得光程变大，硅片作为有源层吸收的光子数量变多；制绒同时还具有能够去除硅片表面损伤的作用。
[0044]其中，制绒方式可以采用湿法制绒或干法制绒；湿法制绒可以使用一定配比的碱性溶液(例如:KOH，NaOH，四甲基氢氧化胺等)进行一定时间的各向异性腐蚀；干法制绒主要是通过光刻掩膜板得到图形再使用反应离子刻蚀(RIE Aeactive 1n Etching)进行刻蚀(主要通过C2H4和SF6);干法制绒在没有掩膜的情况下可以通过机器进行反应离子刻蚀(RIE)，使用气体为SFjP O 2。
[0045]制绒后需要对制绒后的硅片进行清洗，清洗的主要作用在于去除制绒后残余在硅片表面的金属离子和硅片表面形成的自然氧化膜。另外，在清洗时，用于去除硅片表面氧化膜的化学液体还能够起到对硅片部分钝化的作用。对于硅片的清洗，可以采用化学清洗，例如:使用RCA洗液(碱性和酸性过氧化氢溶液)，RCAI号为碱性过氧化氢溶液，配比可以是，H2O:H202:NH4OH = 5:1:1-5:2:1 ；RCAII 号为酸性过氧化氢溶液，配比可以是，H2O = H2O2 = HC1=6:1:1-8:2:1 ;RCA洗液使用条件为:75°C _85°C，清洗时间10-20分钟，清洗顺序先使用RCAI后在使用RCAII。
[0046]对硅片处理之后在基片的两侧设置本征层，本征层起到钝化硅片表面的缺陷的作用。所述本征层可以为本征非晶硅层，通过化学气相沉积法在处理后的基片的两侧沉积本征非晶硅层，其中化学气相沉积法可以采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或者热丝化学气相沉积(HWCVD)等实现沉积。
[0047]在两侧的本征非晶硅层上分别设置第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层可以为P型非晶硅掺杂层，所述第二掺杂层可以为N型非晶硅掺杂层；或者，所述第一掺杂层可以为N型非晶硅掺杂层，所述第二掺杂层可以为P型非晶硅掺杂层。
[0048]在本实施例中第一掺杂层为P型，第二掺杂层为N型。
[0049]由于本征非晶娃层的存在，使得在P型非晶娃掺杂层和N型非晶娃掺杂层完成p-n结成结的同时完成对硅片表面的钝化，进而降低表面、界面漏电流。
[0050]步骤S110-1:在该第一结构中的第一掺杂层和第二掺杂层上形成保护层；形成具有所述保护层的异质结太阳能电池结构，将该结构称之为异质结太阳能电池第二结构。
[0051]在步骤中，所述保护层可以通过采用低压化学气相沉积法(LPCVD)沉积掺硼氧化锌(BZO)实现，沉积条件为:沉积的厚度范围为大于等于3nm，小于等于7nm，优选为5nm;沉积温度范围为大于等于120°C，小于等于170°C，优选为150°C ;沉积压强范围大于等于35Pa，小于等于75Pa，优选为50Pa ;水(H2O)流量范围为大于等于1500sccm，小于等于1700sccm，优选为1640sccm ;二乙基锌(DEZ)流量范围为大于等于1200sccm，小于等于1450sccm，优选为1395sccm ;氢气(H2)流量范围为大于等于260sccm，小于等于430sccm，优选为385sccm ;乙硼烧(B2H6)流量范围为大于等于270sccm，小于等于450sccm，优选为330sccmo
[0052]可以理解的是，对于保护层沉积厚度并不限定于上述范围，所述保护层的厚度在采用离子轰击靶材形成透明导电层时，能够抵抗离子轰击穿透所述保护层；并且该厚度还需具有能够接受经过所述透明导电层的光的透光度，例如:保护层能够将经过所述透明导电层的波长范围在大于等于300nm，小于等于1200nm的光，透射至HIT电池内部即可；从而能够让光进入到掺杂层内形成光电子。
[0053]保护层也不仅仅限于在第一掺杂层和第二掺杂层上通过沉积掺硼氧化锌(BZO)形成，还可以通过沉积In、Zn或Sn的氧化物或者该些氧化物的复合多元氧化物等形成保护层O
[0054]本申请的保护层可以同时在第一掺杂层和第二掺杂层上形成，并且可以根据需求形成单层的保护层或者形成多层的保护层；所述保护层还可以仅在第一掺杂层或第二掺杂层上形成，并且也可以根据需求形成单层保护层或者多层保护层。
[0055]步骤S120-1:在所述异质结太阳能电池第二结构的两侧形成透明导电层，或者在所述异质结太阳能电池第二结构的一侧且位于所述保护层上形成透明导电层，另一侧形成透明导电氧化物/金属复合层。
[0056]在该步骤中，所述透明导电层要求具备低电阻和高透光性，可以包括:金属薄膜、透明导电氧化物薄膜(TCO 〖Transparent Conductive Oxide)、高分子薄膜、复合膜、其他化合物薄膜等等。本申请提供的透明导电层可以为TC0，其材料可以选用In、Sb、Zn或Cd的氧化物或者该些氧化物的复合多元氧化物等沉积形成。当透明导电层为氧化铟锡(ΙΤ0:1ndium Tin Oxide)导电薄膜时，沉积条件为:氧化铟锡厚度范围为大于等于50nm，小于等于90nm，优选为70nm;溅射靶材为氧化铟锡(ITO)陶瓷靶，溅射功率范围为大于等于2kw，小于等于4kw，优选为3km ;?贱射压强范围为大于等于0.3Pa，小于等于0.7Pa，优选为
0.5Pa ;氩气流量范围为大于等于150sccm，小于等于350sccm，优选为250sccm ;氧气流量范围为大于等于lsccm，小于等于5sccm，优选为3sccm ;厚度范围是大于等于70nm，小于等于IlOnm0铟锡氧化物薄膜是一种η型半导体陶瓷薄膜，具有