制备电流扩展层和电极。
[0122]优选地，在步骤102之后，该方法还可以包括:
[0123]用有机溶剂冲洗外延片。
[0124]需要说明的是，外延片减薄过程中需要先用石蜡将外延片粘在陶瓷盘上面，然后才能通过研磨的方式将外延片减薄至一定厚度，最后采用有机溶剂清洗，以去除外延片上的石蜡。
[0125]步骤103:在外延片的背面蒸镀0DR。
[0126]图2d为步骤103执行之后的LED芯片的结构示意图。其中，I为蓝宝石衬底，2为PSS层，3为外延层，4为划片道，7为电流阻挡层，8为电流扩展层、9为电极，10为0DR。
[0127]在本实施例中，外延片的背面为蓝宝石衬底未生长PSS层的表面(图2d中的粗线表不)O
[0128]在具体实现中，该步骤103可以采用光学镀膜机实现。
[0129]可选地，该步骤103可以包括:
[0130]在外延片放入光学蒸镀机之后，抽真空至5.0*E_5Pa ；
[0131]在外延片的背面蒸镀五氧化三钛和二氧化硅交替的膜层，并在五氧化三钛和二氧化硅交替的膜层上蒸镀一层氧化铝层；
[0132]在氧化铝层上蒸镀金属银的膜层；
[0133]在金属银的膜层上再蒸镀一层氧化铝层。
[0134]需要说明的是，通过蒸镀不同的氧化物和金属银实现0DR，可以提高芯片的发光亮度。
[0135]具体地，五氧化三钛和二氧化硅交替的膜层的层数可以为20层。
[0136]在具体实现中，蒸镀五氧化三钛和二氧化硅交替的膜层和在五氧化三钛和二氧化硅交替的膜层上的氧化铝层时，离子源的功率可以为800-1000W。蒸镀金属银的膜层时，离子源熄火。蒸镀金属银的膜层上的氧化铝层时，需要重新开启离子源，可以将离子源的功率稳定在1000W。
[0137]需要说明的是，氧化铝层的作用是防止膜层暴露在空气中被氧化。
[0138]步骤104:从外延片的正面沿着划片道进行激光划片。
[0139]图2e为步骤104执行之后的LED芯片的结构示意图。其中，I为蓝宝石衬底，2为PSS层，3为外延层，4为划片道，7为电流阻挡层，8为电流扩展层、9为电极，10为0DR。
[0140]在具体实现中，该步骤104可以采用隐形切割技术实现。激光功率可以为
0.3-0.6W，激光频率可以为90-1 1KHz，切深可以为40-50 μ m。
[0141]步骤105:对外延片进行裂片加工，得到LED芯片。
[0142]图2f为步骤105执行之后的LED芯片的结构示意图。其中，I为蓝宝石衬底，2为PSS层，3为外延层，4为划片道，7为电流阻挡层，8为电流扩展层、9为电极，10为ODR。
[0143]可以理解地，在步骤105以前且在步骤104之后，还可以包括步骤:检查划片道边缘处的外延层是否被激光灼伤。若划片道边缘处的外延层灼伤，则表示这些芯片都被损伤，不能正常发光，或者光电性能异常，无需继续加工。
[0144]本发明实施例通过首先在外延片的正面的第一区域覆盖光刻胶，然后采用电子束蒸发，在外延片的正面的第二区域和光刻胶上蒸镀金层，接着采用剥离技术，在金层内形成通孔，采用金层作掩膜，在外延片的正面形成划片道，由于等离子体不与金反应，因此金层可以很薄，不会由于太厚而造成浪费，也不会由于应力释放使外延片形变而导致外延片破碎和LED芯片报废，同时也可以有效保护外延片，避免造成LED芯片的电性参数不良和导致LED芯片报废，大大降低了外延片破裂的风险和由此带来的成本损失，节约了 LED芯片的制造成本。
[0145]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种具备全角反射镜ODR的发光二极管LED芯片的制备方法，所述方法包括: 提供一外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次形成在所述蓝宝石衬底上的图形化蓝宝石衬底PSS层、外延层，所述外延层包括依次层叠在所述PSS层上的N型层、有源层和P型层，所述外延层上开设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽； 在所述外延片的正面形成划片道，所述外延片的正面为所述外延片的与所述蓝宝石衬底相反的一侧的表面，所述划片道的深度等于所述划片道处的所述外延层的厚度与所述PSS层的厚度之和； 在所述外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄所述外延片； 在所述外延片的背面蒸镀0DR，所述外延片的背面为所述蓝宝石衬底未生长所述PSS层的表面； 从所述外延片的正面沿着所述划片道进行激光划片； 对所述外延片进行裂片加工，得到LED芯片； 其特征在于，所述在所述外延片的正面形成划片道，包括: 在所述外延片的正面的第一区域覆盖光刻胶，所述第一区域为形成划片道的区域； 采用电子束蒸发，在所述外延片的正面的第二区域和所述光刻胶上蒸镀金层，所述第二区域为所述外延片的正面中除所述第一区域之外的区域； 采用剥离技术，在所述金层内形成通孔； 采用等离子体刻蚀，沿着所述金层内的通孔形成所述外延层内的划片道； 沿着所述外延层内的划片道形成所述PSS层内的划片道； 采用湿法腐蚀，去除所述金层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金层的厚度为200-500nm。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延片的正面的第一区域覆盖光刻胶，包括: 在所述外延片的正面涂覆光刻胶； 对所述外延片的正面上的光刻胶进行曝光和显影，去除所述第二区域的光刻胶。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为3.0-3.5 μπι。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述采用剥离技术，在所述金层内形成通孔，包括: 采用蓝膜剥离所述光刻胶上的金层； 去除残留的光刻胶，并冲水甩干。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述去除残留的光刻胶，包括: 采用有机溶剂去除残留的光刻胶。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述湿法腐蚀采用王水与水的混合溶液。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述王水与水的混合溶液的体积比为，盐酸:硝酸:水=3:1:1。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延片的背面蒸镀0DR，包括: 在所述外延片放入光学蒸镀机之后，抽真空至5.0*E-5Pa ； 在所述外延片的背面蒸镀五氧化三钛和二氧化硅交替的膜层，并在五氧化三钛和二氧化硅交替的膜层上蒸镀一层氧化铝层； 在所述氧化铝层上蒸镀金属银的膜层； 在所述金属银的膜层上再蒸镀一层氧化铝层。
【专利摘要】本发明公开了一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：提供一外延片；在外延片的正面形成划片道；在外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄外延片；在外延片的背面蒸镀ODR；从外延片的正面沿着划片道进行激光划片；对外延片进行裂片加工，得到LED芯片；其中，在外延片的正面形成划片道，包括：在外延片的正面的第一区域覆盖光刻胶；在外延片的正面的第二区域和光刻胶上蒸镀金层；在金层内形成通孔；沿着金层内的通孔形成外延层内的划片道；沿着外延层内的划片道形成PSS层内的划片道；去除金层。本发明解决了LED芯片报废，为制造商带来成本损失的问题。
【IPC分类】H01L33-62, H01L33-00, H01L33-60
【公开号】CN104617193
【申请号】CN201510033508
【发明人】孙虎, 周武
【申请人】华灿光电(苏州）有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2015年1月23日