一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种太赫兹波源。特别是涉及一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源。
【背景技术】
[0002]由于0.3-10太赫兹波能够很强的穿透像塑料、纸、木料、人体、大气等一类物质，因此它可以广泛应用于安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域，具体分类可以包括邮件扫描、纸类生产、塑料焊接检测、古画分析、人体透视、食品质量检测、皮肤癌分类等。要实现以上技术必须提供功率较大的太赫兹波源或太赫兹发生器，同时要配备经济而高质量的THz波检测器和成像设备包括太赫兹照相机。
[0003]由于太赫兹波处于远红外波段，其热效很强，故其探测器基本上可分为两类，一类属于利用其热效应制成的探测器，如热功率计(bolometer)、热电探测器(pyroelectricdetector)等；另一类是利用其光波性质的探测器，如光电探测器(photo-conductivedetector)和肖特基二极管(SBD)等。而这些探测器应用的前提是有一个大功率的太赫兹波源充当光源。
[0004]微带天线是一种使用微带贴片作为辐射元的天线，它具有剖面低、体积小、重量轻、易于加工、便于获得圆极化的优点，并且非常有利于集成，在天线应用中占有非常重要的地位。目前已在空间电子学，生物电子学和常规天线领域中获得了广泛的应用。电气上的特点是能得到单方向的宽方向图，易于实现线极化或圆极化和双频工作。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是，提供一种微带天线天线的辐射方向垂直于天线水平面，能够实现芯片之间的竖直通信的具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源。
[0006]本发明所采用的技术方案是:一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，包括有超窄双阱的RTD器件，所述的超窄双阱的RTD器件的集电区金属电极上连接有第一矩形微带贴片天线，所述的超窄双阱的RTD器件的发射区金属电极上连接有第二矩形微带贴片天线，所述的第一矩形微带贴片天线和第二矩形微带贴片天线的上端面位于同一水平面上，所述的超窄双阱的RTD器件分别与所述的第一矩形微带贴片天线之间的空间以及与第二矩形微带贴片天线之间的空间均填充有二氧化硅钝化层。
[0007]所述的超窄双阱的RTD器件包括有由下至上依次形成的衬底、缓冲层和发射区电极接触层，所述发射区电极接触层上分别形成有发射区和发射区金属电极，所述发射区上由下至上依次形成有发射区隔离层、第一势皇、第一势阱、子势阱、第二势阱、第二势皇、集电区隔离层、集电区、集电区电极接触层和集电区金属电极。
[0008]所述的衬底为半绝缘InP衬底，厚度为100 — 300 μ m。
[0009]所述的缓冲层由Intl 53Gaa47As层构成，厚度为200nm。
[0010]所述的发射区电极接触层、发射区、集电区和集电区电极接触层是由掺Si浓度达到ZWO19cnT3Ina53Gaa47As层构成，其中发射区电极接触层的厚度为400nm，发射区的厚度为20nm，集电区的厚度为15nm，集电区电极接触层的厚度为8nm。
[0011]所述的发射区隔离层厚度为2nm。
[0012]所述的第一势皇和第二势皇是由AlAs层构成，厚度为1.2nm。
[0013]所述的第一势阱、第二势阱和集电区隔离层是由Ina53Gaa47As层构成，其中，第一势阱和第二势阱的厚度为1.2nm，集电区隔离层的厚度为2nm。
[0014]所述的子势讲是由InAs层构成，厚度为1.2nm。
[0015]所述的集电区金属电极和发射区金属电极材质为金属，厚度均为100-300nm。
[0016]本发明的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，天线的制作可以与引线的引出合二为一，减少工艺步骤，从而降低成本，提高了器件的集成度和实用性；微带天线天线的辐射方向垂直于天线水平面，这样就实现了芯片之间的竖直通信。
【附图说明】
[0017]图1是本发明的整体结构的断面结构示意图；
[0018]图2是本发明的整体结构的俯视图；
[0019]图3是本发明中超窄双阱的RTD器件的断面结构示意图；
[0020]图4是本发明中超窄双阱的RTD器件的俯视图。
[0021]图中
[0022]1:超窄双阱的RTD器件2:第一矩形微带贴片天线
[0023]3:第二矩形微带贴片天线4:二氧化硅钝化层
[0024]11:衬底12:缓冲层
[0025]13:发射区电极接触层14:发射区
[0026]15:发射区隔离层16:第一势皇
[0027]17:第一势阱18:子势阱
[0028]19:第二势阱110:第二势皇
[0029]111:集电区隔离层112:集电区
[0030]113:集电区电极接触层114:集电区金属电极
[0031]115:发射区金属电极
【具体实施方式】
[0032]下面结合实施例和附图对本发明的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源做出详细说明。
[0033]如图1、图2所示，本发明的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，包括有超窄双阱的RTD器件I，所述的超窄双阱的RTD器件I的集电区金属电极上连接有第一矩形微带贴片天线2，所述的超窄双阱的RTD器件I的发射区金属电极上连接有第二矩形微带贴片天线3，所述的第一矩形微带贴片天线2和第二矩形微带贴片天线3的上端面位于同一水平面上，所述的超窄双阱的RTD器件I分别与所述的第一矩形微带贴片天线2之间的空间以及与第二矩形微带贴片天线3之间的空间均填充有二氧化硅钝化层4。
[0034]如图3、图4所示，所述的超窄双阱的RTD器件I包括有由下至上依次形成的衬底
11、缓冲层12和发射区电极接触层13，所述发射区电极接触层13上分别形成有发射区14和发射区金属电极115，所述发射区14上由下至上依次形成有发射区隔离层15、第一势皇16、第一势阱17、子势阱18、第二势阱19、第二势皇110、集电区隔离层111、集电区112、集电区电极接触层113和集电区金属电极114。其中，
[0035]所述的衬底11为半绝缘InP衬底，厚度为100 — 300 ym;所述的缓冲层12由Ina53Gaa47As层构成，厚度为200nm;所述的发射区电极接触层13、发射区14、集电区112和集电区电极接触层113是由掺Si浓度达到2*1019cm_3InQ.53GaQ.47As层构成，其中发射区电极接触层13的厚度为400nm，发射区14的厚度为20nm，集电区112的厚度为15nm，集电区电极接触层113的厚度为8nm ;所述的发射区隔离层15厚度为2nm ;所述的第一势皇16和第二势皇110是由AlAs层构成，厚度为1.2nm;所述的第一势阱17、第二势阱19和集电区隔离层111是由Ina53Gaa47As层构成，其中，第一势阱17和第二势阱19的厚度为1.2nm，集电区隔离层111的厚度为2nm ;所述的子势阱18是由InAs层构成，厚度为1.2nm ;所述的集电区金属电极114和发射区金属电极115材质为金，厚度均为100-300nm。
[0036]下面对本发明的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源的制备过程进行详细描述: