e为SnTe ;TaN iFegLu化层，其中， 冒号"："表示相互惨杂，CNx ;H为有机阻挡层108e的膜层氨化碳氮化合物的化学结构式， 其中，X表示含氮量，由制备工艺PECVD通入的馬的流量决定，但是由于制备工艺还存在某 些难W精确控制的因素，所W此处的含氮量X-般控制在0.01~1的范围内。
[0113] 如图2所示，上述有机电致发光器件具体按W下步骤制备：
[0114] 步骤201~步骤207同实施例1 ;
[0115] 步骤208,有机阻挡层108e的制备；在由上述步骤207制备的阴极层107e上，采 用阳CVD的方法，通入邸4和馬制备一层厚度为450nm的膜层氨化碳氮化合物CNx出作为 有机阻挡层1〇8日，所用邸4的流量为5sccm，N2的流量为5sccm，工作压强为10化，射频功率 为 0. lW/cm2 ;
[0116] 步骤209,无机阻挡层109e的制备；在由上述步骤208制备的有机阻挡层108e上， W蹄化物SnTe、氮化物TaN和合金氧化物化2山〇4组成的混合物作为无机阻挡材料，其中， 氮化物TaN占蹄化物SnTe的重量百分比为25wt%，合金氧化物化2山〇4占蹄化物SnTe的重 量百分比为15wt%，采用磁控姗射的方法制备得到厚度为120nm的无机阻挡层109e，所用磁 控姗射的本底真空度为5X 1〇-中a ;
[0117] 步骤210,有机阻挡层108e的重复制备；在由上述步骤209制备的无机阻挡层 109e上，采用阳CVD的方法，通入邸4和N2制备一层厚度为450nm的膜层氨化碳氮化合物 CNx出作为有机阻挡层108e，所用邸4的流量为5sccm，馬的流量为5sccm，工作压强为10化， 射频功率为0.1 W/cm2 ;
[0118] 步骤211，交替重复步骤210和步骤209共3次。
[011引 实施例6
[0120] 如图1F所示，本实施例的有机电致发光器件为；阳极导电基板lOlf为IT0玻璃 基板、空穴注入层102f为Mo〇3 ;NPB层、空穴传输层103f为TCTA层、发光层104f为TPBI : Ir (ppy) 3层、电子传输层l〇5f为化hen层、电子注入层106f为CsNs ;B地en层、阴极层107f 为A1层、有机阻挡层108f为CNx ;H层及无机阻挡层109f为化Te ;TiN JsAl乱2层，其中， 冒号"："表示相互惨杂，CNx ;H为有机阻挡层108f的膜层氨化碳氮化合物的化学结构式， 其中，X表示含氮量，由制备工艺PECVD通入的馬的流量决定，但是由于制备工艺还存在某 些难W精确控制的因素，所W此处的含氮量X-般控制在0.01~1的范围内。
[0121] 如图2所示，上述有机电致发光器件具体按W下步骤制备：
[0122] 步骤201~步骤207同实施例1 ;
[0123] 步骤208,有机阻挡层108f的制备；在由上述步骤207制备的阴极层107f上，采 用PECVD的方法，通入邸4和馬制备一层厚度为400nm的膜层氨化碳氮化合物CNx出作为 有机阻挡层108f，所用邸4的流量为5sccm，馬的流量为lOsccm，工作压强为25Pa，射频功 率为 0. 2W/cm2 ;
[0124] 步骤209,无机阻挡层109f的制备；在由上述步骤208制备的有机阻挡层108f上， W蹄化物化Te、氮化物TiN和合金氧化物Y3AI5O12组成的混合物作为无机阻挡材料，其中， 氮化物TiN占蹄化物化Te的重量百分比为20wt%，合金氧化物Y3AI乱2占蹄化物化Te的重 量百分比为20wt%，采用磁控姗射的方法制备得到厚度为llOnm的无机阻挡层109f，所用磁 控姗射的本底真空度为1 X 1〇-中a ;
[01巧]步骤210,有机阻挡层108f的重复制备；在由上述步骤209制备的无机阻挡层 109f上，采用阳CVD的方法，通入C&和馬制备一层厚度为400nm的膜层氨化碳氮化合物 CNx出作为有机阻挡层10壯，所用C&的流量为5sccm，馬的流量为lOsccm，工作压强为 25Pa，射频功率为0. 2W/cm2 ;
[0126] 步骤211，交替重复步骤210和步骤209共3次。
[0127] 对比例1
[012引如图3所示，本对比例的有机电致发光器件为；阳极导电基板301为IT0玻璃基 板、空穴注入层302为Mo03 ;WB层、空穴传输层303为TCTA层、发光层304为TPBI ;Ir(ppy)3 层、电子传输层305为化hen层、电子注入层306为CsNg ;B地en层、阴极层307为A1层，其 中，冒号"："表示相互惨杂。
[0129] 上述有机电致发光器件的制备步骤同实施例1的步骤201~步骤207。
[0130] 本发明对各实施例及对比例1的有机电致发光器件进行了发光效率、防水氧能力 和透射率的性能测试，测试结果如表1所示。
[0131] 表 1
[0132]
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构包括依次层 叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层及 在所述阴极层上交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层，其特征在于， 所述有机阻挡层的材质为氨化碳氮化合物； 所述无机阻挡层的材质为蹄化物、氮化物和合金氧化物组成的混合物；所述蹄化物为 訊2T63、BiaTe、CdTe、InaTes、SnTe 或 PbTe 的任意一种；所述氮化物为 SisN*、A1N、BN、HfN、 TaN或TiN的任意一种；所述合金氧化物为MgAl2〇4、BiaTiAi、CrNi〇4、CoCr2〇4、化2山〇4或 Y3AI5O。的任意一种；所述氮化物占所述蹄化物的重量百分比为l(T40wt% ;所述合金氧化物 占所述蹄化物的重量百分比为l(T30wt%。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氨化碳氮化合物W CH4 和N,为原材料采用等离子增强化学气相沉积的方法制备。
3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻 挡层交替层叠的层数均为3、4或5。
4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为 400nm~600nm，所述无机阻挡层的厚度为lOOnm~200nm。
5. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于， 所述阳极导电基板包括阳极导电层和基板，所述阳极导电层的材质为导电金属氧化 物，所述基板的材质为玻璃、塑料或金属； 所述空穴注入层的材质为将Mo〇3惨杂入N，N' -二苯基-N，N' -二（1-蔡基）-1，1' -联 苯-4, 4' -二胺的混合物，其中Mo〇3占N，N' -二苯基-N，N' -二（1-蔡基）-1，1' -联 苯-4, 4' -二胺的重量百分比为30wt%~40wt〇/〇; 所述空穴传输层的材质为4, 4'，4' ' - H(巧哇-9-基）H苯胺； 所述发光层的材质为将H(2-苯基化巧）合镶惨杂入1，3, 5- H (1-苯基-1H-苯并 咪哇-2-基）苯的混合物，其中H(2-苯基化巧）合镶占1，3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪 哇-2-基）苯的重量百分比为5wt%~8wt〇/〇; 所述电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗晰； 所述电子注入层的材质为将CsNs惨杂入4, 7-二苯基-1，10-菲罗晰的混合物，其中 CsNj占4, 7-二苯基-1，10-菲罗晰的重量百分比为30wt%~40wt〇/〇; 所述阴极层的材质为金属。
6. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括W下步骤： 步骤1，采用真空蒸锻的方法在清洗干净的阳极导电基板上依次制备空穴注入层、空穴 传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；及 步骤2,在所述阴极层上，首先，采用等离子增强化学气相沉积的方法制备有机阻挡层； 然后，在所述有机阻挡层上采用磁控姗射的方法制备无机阻挡层；最后，依次交替层叠制备 有机阻挡层和无机阻挡层；其中， 所述有机阻挡层的材质为氨化碳氮化合物； 所述无机阻挡层的材质为蹄化物、氮化物和合金氧化物组成的混合物；所述蹄化物为 訊2T63、BiaTe、CdTe、InaTes、SnTe 或 PbTe 的任意一种；所述氮化物为 SisN*、A1N、BN、HfN、 TaN或TiN的任意一种；所述合金氧化物为MgAl2〇4、BiaTiAi、CrNi〇4、CoCr2〇4、化2LUO4或 Y3AI5O12的任意一种；所述氮化物占所述蹄化物的重量百分比为l(T40wt% ;所述合金氧化物 占所述蹄化物的重量百分比为l(T30wt%。
7. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1中，采用真空蒸锻的 方法制备所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层时，真空度为 3Xl〇-中a~3Xl〇-中a,蒸发速度为0. 1 A/s~0. 2A/s，蒸发厚度为10 nm~30nm;采用真空 蒸锻的方法制备所述阴极层时，真空度为3X1(T中a~3X1(T中a,蒸发速度为0. 5 A/s~ SA/s,厚度为 lOOnm ~150nm。
8. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，所述氨化碳氮化合 物W C&和馬为原材料采用等离子增强化学气相沉积的方法制备，制备时通入的C&的流 量为5 seem~15sccm，N2的流量为5 seem~15sccm，工作压强为10化~80Pa，射频功率为 0. lW/cm2 ~0. 5W/cm2,厚度为 400nm ~600nm。
9. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，采用磁控姗射的方 法制备所述无机阻挡层时，本底真空度为1 X 1(T中a~1 X 1(T中a,厚度为100皿~200皿。
10. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，所述有机阻挡层和 无机阻挡层交替层叠制备的次数均为3、4或5。
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层及在所述阴极层上交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层。本发明选取氢化碳氮化合物组成有机阻挡层，选取蹄化物、氮化物和合金氧化物按照一定比例掺杂组成无机阻挡层，对有机电致发光器件产生了协同致密的作用，再通过有机阻挡层和无机阻挡层的交替层叠，仅需要封装若干层就能有效地改善器件的防水氧性能和稳定性，大大提高器件的发光效率和寿命。
【IPC分类】H01L51-52, H01L51-54, H01L51-56
【公开号】CN104638186
【申请号】CN201310562063
【发明人】周明杰, 钟铁涛, 王平, 黄辉
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月12日