薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置。
【背景技术】
[0002]平板显示器或薄膜太阳能电池等近年来所制造的电气产品都在基板上配置有薄膜晶体管，薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。液晶显示器上的每一液晶像素点都是由集成在其后的TFT来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。随着智能机的兴起，手机的透过率、分辨率越来越高，这就要求开口率高、薄膜晶体管的尺寸小，为了满足这个要求，需要薄膜晶体管有较大的宽长比(W/L)。
[0003]综上所述，为了适应未来技术的发展，需要制作出宽长比较大的薄膜晶体管。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置，用以增加薄膜晶体管的宽长比，提高开口率。
[0005]本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层和源极、漏极，其中，
[0006]所述衬底基板为具有突起的衬底基板，所述突起的位置与需要制作半导体有源层的位置对应。
[0007]由本发明实施例提供的薄膜晶体管，由于该薄膜晶体管设置在具有突起的衬底基板上，其中突起的位置与需要制作半导体有源层的位置对应，即本发明实施例通过将薄膜晶体管的半导体有源层设置在具有一定高度的突出物上，因此能够增加薄膜晶体管的宽长比，提尚开口率。
[0008]较佳地，所述衬底基板为具有突起的玻璃基板。
[0009]较佳地，所述突起的高度为0.5微米-7微米。
[0010]本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括上述的薄膜晶体管。
[0011]本发明实施例还提供了一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板为上述的阵列基板。
[0012]较佳地，所述显示面板还包括位于阵列基板上的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜用作隔垫物，所述有机绝缘膜在预设位置处设置有过孔。
[0013]本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
[0014]本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，该方法包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层和源极、漏极，所述方法还包括:
[0015]通过构图工艺制作具有突起的衬底基板，所述突起的位置与需要制作半导体有源层的位置对应。
[0016]较佳地，所述通过构图工艺制作具有突起的衬底基板，包括:
[0017]在衬底基板上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，仅保留需要制作半导体有源层的位置对应的衬底基板位置处的光刻胶；
[0018]对完成上述步骤的衬底基板进行湿法刻蚀；
[0019]去除剩余光刻胶，形成具有突起的衬底基板。
[0020]较佳地，所述在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层和源极、漏极，包括:
[0021]通过构图工艺在所述衬底基板上制作栅极；
[0022]在完成上述步骤的衬底基板上制作栅极绝缘层；
[0023]在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作半导体有源层；
[0024]在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作源极和漏极。
【附图说明】
[0025]图1为现有技术薄膜晶体管沿水平方向切的截面结构示意图；
[0026]图2为现有技术薄膜晶体管沿垂直方向切的截面结构示意图；
[0027]图3为现有技术薄膜晶体管的平面结构示意图；
[0028]图4为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管沿水平方向切的截面结构示意图；
[0029]图5为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管沿垂直方向切的截面结构示意图；
[0030]图6为本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；
[0031]图7为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法流程图；
[0032]图8为本发明实施例提供的一种衬底基板的制作方法流程图；
[0033]图9为本发明实施例提供的一种衬底基板制作过程中的截面结构示意图。
【具体实施方式】
[0034]如图1和图2所示，现有技术的薄膜晶体管包括位于衬底基板10上方的栅极11，位于栅极11上的栅极绝缘层12，位于栅极绝缘层12上的半导体有源层13，位于半导体有源层13上的源极14和漏极15，图中的W表示薄膜晶体管的宽度，L表示薄膜晶体管的长度。
[0035]图3为现有技术的薄膜晶体管的平面结构示意图，图3中除了示出薄膜晶体管外，还示出了与薄膜晶体管的栅极连接的栅极线20和与薄膜晶体管的源极连接的数据线21，图中的W表示薄膜晶体管的宽度，L表示薄膜晶体管的长度。现有技术对显示面板的透过率和分辨率的要求越来越高，现有技术薄膜晶体管的宽长比(W/L)相对较小，已经不能满足技术发展的需要。
[0036]有鉴于此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置，用以增加薄膜晶体管的宽长比，提高开口率。
[0037]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0038]下面结合附图详细介绍本发明具体实施例提供的薄膜晶体管及其制作方法。
[0039]本发明具体实施例提供的薄膜晶体管可以为底栅型的薄膜晶体管，也可以为顶栅型的薄膜晶体管，还可以为其它类型的薄膜晶体管，本发明具体实施例并不对薄膜晶体管的具体类型作限定。本发明具体实施例中的薄膜晶体管以底栅型薄膜晶体管为例具体介绍。
[0040]如图4和图5所示，本发明具体实施例提供了一种薄膜晶体管，包括衬底基板30，位于衬底基板30上的栅极31、栅极绝缘层32、半导体有源层33和源极34、漏极35，其中，衬底基板30为具有突起300的衬底基板，该突起300的位置与需要制作半导体有源层的位置对应。优选地，本发明具体实施例中的衬底基板30为具有突起300的玻璃基板，当然，在实际生产过程中，衬底基板还可以是陶瓷基板等基板，本发明具体实施例并不对衬底基板的具体材料作限定。优选地，本发明具体实施例中突起300的高度为0.5微米-7微米，在实际生产过程中，突起300的高度根据实际的生产需求进行设定，本发明具体实施例并不对突起的高度作限定。
[0041]图4为本发明具体实施例提供的薄膜晶体管沿水平方向切的截面结构示意图，图4中的L表示本发明具体实施例提供的薄膜晶体管的长度，图5为本发明具体实施例提供的薄膜晶体管沿垂直方向切的截面结构示意图，图5中的W表示本发明具体实施例提供的薄膜晶体管的宽度。与现有技术的薄膜晶体管的宽度W和长度L相比，即分别与现有技术的图1和图2相比，由于本发明具体实施例提供的薄膜晶体管的沟道区域位于具有一定高度的突起300上，因此，本发明具体实施例中的薄膜晶体管的宽度W增大，长度L不变，即本发明具体实施例中的薄膜晶体管的宽长比相对于现有技术增大。
[0042]如图6所示，本发明具体实施例还提供了一种显示面板，显示面板包括相对设置的阵列基板50和彩膜基板51，以及位于阵列基板50和彩膜基板51之间的液晶层(图中未示出)。本发明具体实施例中的阵列基板包括本发明具体实施例提供的薄膜晶体管52，本发明具体实施例提供的显示面板包括位于阵列基板50上的钝化层53和有机绝缘膜54，有机绝缘膜54用作隔垫物，有机绝缘膜54在预设位置处设置有过孔，如:有机绝缘膜54在阵列基板周边引线区需要