m-NTAZ)，2，5-双(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4-噁二唑(CzOXD)中至少一种。
[0043]所述铷的化合物掺杂层601中所述铷的化合物材料与电子传输材料的质量比为5:1?10:1，所述铁盐掺杂层602中所述铁盐材料与所述双极性有机传输材料的质量比为0.01:1 ?0.1:1。
[0044]所述铷的化合物掺杂层601厚度为5nm?20nm，所述铁盐掺杂层602厚度为20nm ?80nmo
[0045]所述热阻蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X 10_3?5X 10_5Pa，电流为IA?5A,有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?1nm/sο
[0046]所述磁控溅射方式的工艺具体为:工作压强为2X10—3?5X10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0047]步骤S130、在电子注入层表面通过蒸镀的方法制备阴极层70，阴极层70由材料为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)，优选Ag，厚度为80nm?250nm，优选厚度为125nm，蒸镀制备的工作压强为2X 1(Γ3?5Χ l(T5Pa,阴极的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
[0048]上述有机电致发光器件制备方法，工艺简单，制备的有机电致发光器件的发光效率较高。
[0049]以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
[0050]本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能。
[0051]实施例1
[0052]本实施例制备的结构IT0/Mo03/NPB/Alq3/Bphen/RbCl:Bphen/FeCl3:2，6Dczppy/Ag的有机电致发光器件，本实施例及以下实施例中“/”表示层，“:”表示掺杂。
[0053]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为IT0，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理:氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W ;厚度为80nm，蒸镀空穴注入层，材料为MoO3,厚度为25nm ;蒸镀空穴传输层，材料为NPB，厚度为55nm ;蒸镀发光层，材料为Alq3,厚度为16nm ;蒸镀电子传输层，材料为Bphen,厚度为200nm ;电子注入层包括铷的化合物掺杂层和铁盐掺杂层，采用热阻蒸镀铷的化合物掺杂层，材料为RbCl:Bphen，RbCl与Bphen的质量比为8:1，厚度为1nm ;在所述铷的化合物掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备铁盐掺杂层，所述铁盐掺杂层材料为FeCl3:2，6Dczppy,FeCl3与2，6Dczppy的质量比为0.02:1,厚度为50nm,蒸镀阴极,材料为Ag，厚度为120nm。
[0054]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为8X 10_5Pa，电流为3.5A，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为3nm/s。
[0055]磁控溅射工艺条件:磁控溅射条件为:工作压强为8 X 10_4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为250W/cm2。
[0056]请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为IT0/Mo03/NPB/A1 q3/Bphen/RbCl:Bphen/FeCl3:2, 6Dczppy/Ag的有机电致发光器件(曲线I)与对比例制备的结构为IT0/Mo03/TCTA/BCzVBi/Bphen/CsF/Ag的有机电致发光器件(曲线2)的电流密度与流明效率的关系。对比例制备的有机电致发光器件中各层厚度与实施例1制备的有机电致发光器件中各层厚度相同。
[0057]从图上可以看到，在不同的电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大流明效率为6.601m/W，而对比例的仅为4.721m/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，本发明专利通过制备电子注入层结构层60由铷的化合物掺杂层和铁盐掺杂层组成，所述铷的化合物掺杂层包括铷的化合物材料组和掺杂在所述铷的化合物材料中的电子传输材料，铷的化合物熔点较低容易蒸镀，因为存在金属离子，所以功函数较低，有利于电子的注入，降低电子的注入势垒，提高电子注入效率，铷的电子浓度较高，可提高电子的传输速率，电子传输材料与铷的化合物材料可形成η掺杂，提闻电子传输速率，从而使空穴和电子的复合几率提闻，达到提闻发光效率的目的，所述铁盐掺杂层包括铁盐材料及掺杂在所述铁盐材料中的双极性有机传输材料，铁盐掺杂由铁盐材料与双极性有机材料组成，铁盐材料可提高载流子的浓度，提高电子的传输速率，双极性有机材料具有传输空穴与传输电子的作用，提高电子的传输速率，降低与阴极之间的电子注入势鱼，提闻其电子注入效率从而提闻发光效率。
[0058]以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
[0059]实施例2
[0060]本实施例制备的结构为IT0/V205/NPB/DCJTB/TPBi/Rb2C03:Alq3/Fe&vTRZ4/Au 的有机电致发光器件。
[0061]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为ΙΤ0，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为V2O5,厚度为40nm ;蒸镀空穴传输层:材料为NPB，厚度为45nm ;蒸镀发光层:所选材料为DCJTB，厚度为8nm ;蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为65nm ;电子注入层包括铷的化合物掺杂层和铁盐掺杂层，采用热阻蒸镀铷的化合物掺杂层，材料为Rb2CO3 = Alq3, Rb2CO3与Alq3的质量比为5:1，厚度为20nm ;在所述铷的化合物掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备铁盐掺杂层，所述铁盐掺杂层材料为FeBr3:TRZ4，FeBr3与TRZ4的质量比为0.01:1，厚度为20nm,蒸镀阴极,材料为Au,厚度为80nm。
[0062]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X 10_3Pa，电流为5A，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s ；
[0063]磁控溅射工艺条件:工作压强为2 X 10?,蒸镀速率为lnm/s，磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2。
[0064]实施例3
[0065]本实施例制备的结构为AZ0/V205/TAPC/ADN/TAZ/RbN03: PBD/Fe2S3: ρ-TPAm-NTAZ/Al的有机电致发光器件。
[0066]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为AZO，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为V2O5，厚度为20nm ;蒸镀空穴传输层:材料为TAPC，厚度为60nm ;蒸镀发光层:所选材料为ADN，厚度为1nm ;蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为200nm ;电子注入层包括铷的化合物掺杂层和铁盐掺杂层，采用热阻蒸镀铷的化合物掺杂层，材料为RbN03:PBD，RbNO3与PBD的质量比为10:1，厚度为5nm ;在所述铷的化合物掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备铁盐掺杂层，所述铁盐掺杂层材料为Fe2S3:p-TPAm-NTAZ,Fe2S3与p-TPAm-NTAZ的质量比为0.1:1，厚度为80nm，蒸镀阴极，材料为Al，厚度为120nm。
[0067]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为5X 10_5Pa，电流为1A，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s ；
[0068]磁控溅射工艺条件:工作