0的和层结构100的横向区域中注入，在V型缺陷300的区域中简化了载流子的注入、尤其是正载流子从P型掺杂的晶体120的注入。这能够伴随着:光有源层200在V型缺陷300的区域中具有比在V型缺陷300之外的横向区域中更小的串联电阻。由此，在V型缺陷300的区域中可以用载流子更好地填充光有源层200的量子膜210、220、230。
[0067]在V型缺陷300的区域中注入到量子膜210、220、230中的载流子在下述情况下能够通过扩散到达V型缺陷300之外的横向区域中:所述横向区域与V型缺陷300具有典型地位于载流子扩散长度的、尤其是空穴扩散长度的数量级中的间距。在此，间距例如能够位于0.2 μ m和1ym之间。
[0068]在V型缺陷300的区域中注入到光有源层200的量子膜210、220、230中的载流子由此能够在光有源层200在V型缺陷之外的横向区域中复合。特别地，在光有源层200在V型缺陷300之外的横向区域中，注入到量子膜210、220、230中的载流子能够以辐射的方式进行复合。
[0069]层结构100具有多个V型缺陷300。优选地，V型缺陷300在层结构100的横向方向上分布成，使得光有源层200的每个横向部段在横向方向上最多与V型缺陷300具有下述最大间距，所述最大间距大致对应于载流子扩散长度、尤其大致对应于空穴扩散长度。由此确保:层结构100的光有源层200的每个横向部段能够用通过V型缺陷300注入的载流子供应。
[0070]V型缺陷300在层结构100的光有源层200中的横向布置能够在制造层结构100时规定或至少影响。已知的是，V型缺陷尤其在晶体范围中形成，所述晶体范围具有晶体缺陷、尤其是线缺陷。V型缺陷在此能够直接地在线缺陷处形成。这种缺陷的横向密度能够在制造层结构100期间通过对衬底或层结构100的层的预先结构化来影响。因此，也能够在层结构100的光有源层200的不同的横向部段中预设V型缺陷300的横向密度。
[0071]图4示出层结构400的俯视示意图。层结构400具有预先结构化的表面401。预先结构化的表面401能够是衬底的表面，将其余的层结构400生长到所述表面上。预先结构化的表面401但是也能够是层结构400的已经生长到衬底上的层的表面。
[0072]预先结构化的表面401结构化成，使得其具有近似规则设置的结构，所述结构共同地形成第一横向区域403。预先结构化的表面401的其余的部段形成第二横向区域404。在所示出的示例中，第一横向区域403的结构圆盘形地构成并且大约设置在矩形栅格的节点处。然而，各个结构也能够不同地成形并且不同地设置。例如，第一横向区域403的结构能够设置在六边形栅格的节点处。
[0073]图5示出层结构400的光有源层402的示意俯视图，所述层结构在预先结构化的表面401之上生长。在第一横向区域403的每个结构或几乎每个结构之上，在光有源层402中已经形成V型缺陷300。因此，第一横向区域403具有比第二横向区域404更高的V型缺陷300的密度。
[0074]第二横向区域404的每个横向部段最大以间距405远离最近的V型缺陷300。间距405位于载流子扩散长度的、尤其是空穴扩散长度的数量级中。间距405例如能够位于0.2 μπι 和 10 μπι 之间。
[0075]图6示出层结构410的预先结构化的表面411的俯视示意图。预先结构化的表面411又能够是衬底的表面，将其余的层结构410生长到所述表面上。预先结构化的表面411也能够是层结构410的外延生长的层的表面。
[0076]预先结构化的表面411又具有规则设置的结构，所述结构共同地形成第一横向区域413。第一横向区域413的结构在所示出的示例中又设置在矩形栅格的节点附近，然而也能够不同地设置。预先结构化的表面411的其余的部段形成第二横向区域414。
[0077]图7示出层结构410的光有源层412的示意俯视图。光有源层412已经通过外延生长在预先结构化的表面411之上产生。在此，在预先结构化的表面411的形成第一横向区域413的结构之上，已经分别形成V型缺陷300的组416。在第一横向区域413的结构之上设置有一个或多个V型缺陷300。因此，光有源区域412的第一横向区域413具有比第二横向区域414更高的V型缺陷300的密度。
[0078]第二横向区域414的每个横向部段在此最大以间距415远离最近的V型缺陷300，所述间距处于载流子扩散长度的、尤其是空穴扩散长度的数量级中。间距415例如又能够位于0.2 μ m和1ym之间。
[0079]图8示出层结构420的预先结构化的表面421的俯视示意图。预先结构化的表面421又能够是衬底的表面，将其余的层结构420生长到所述表面上。预先结构化的表面421但是也能够是层结构420的外延生长的层的表面。
[0080]预先结构化的表面421具有如下结构，所述结构共同地形成第一横向区域423。结构在此沿着矩形的边设置并且分别大致圆盘形地构成。预先结构化的表面421的其余的部段形成第二横向区域424。
[0081]图9示出层结构420的光有源层422的示意俯视图。光有源层422已经外延地在层结构420的预先结构化的表面421之上产生。在此，在第一横向区域423中已经形成V型缺陷300。由此，光有源区域422的第一横向区域423具有比第二横向区域424更高的V型缺陷300的密度。
[0082]第二横向区域424的每个横向部段最高以间距425远离第一横向区域423的最近的V型缺陷300。间距425位于载流子扩散长度的、尤其是空穴扩散长度的数量级中，并且例如能够位于0.2 μπι和10 μm之间。
[0083]图10示出贯穿未制成的层结构500的示意剖面图。层结构500包括衬底510。衬底510例如能够具有蓝宝石、SiC或Si。
[0084]在衬底510上设置有半导体层520，所述半导体层外延地生长。半导体层520例如能够具有GaN。半导体层520具有多个缺陷560，所述缺陷在竖直方向上或在生长方向上延伸穿过半导体层520。缺陷560尤其能够为线错位。
[0085]在层结构500的半导体层520上设置有结构化的掩模层530。图11示出掩模层530的示意俯视图。掩模层530例如能够具有Si02或SiN。
[0086]结构化的掩模层530具有开口，所述开口共同地形成掩模层530的敞开的区域531。半导体层520的由掩模层530覆盖的区域共同地形成覆盖的区域532。敞开的区域531形成第一横向区域。覆盖的区域532形成第二横向区域534。
[0087]第一横向区域533例如能够具有层结构400的第一横向区域403的形状、层结构410的第一横向区域413的形状或层结构420的第一横向区域423的形状。然而，第一横向区域533和第二横向区域534也能够构成为交替的条带，如这示意地在图11的俯视图中示出。形成第二横向区域534的掩模层530的覆盖的区域532的部段优选具有在大约3 ym和大约8μπι之间的宽度。覆盖的区域532的两个部段之间的间距、即敞开的区域531的部段的宽度优选具有在I μπι和10 μπι之间的大小。
[0088]图12示出贯穿在已经生长另一个半导体层540和光有源区域550之后的层结构500的另一个示意剖面图。图13示出光有源层550的示意俯视图。
[0089]另一个半导体层540能够具有GaN并且是η型掺杂的。层结构500的另一个层结构540于是对应于层结构100的η型掺杂的晶体110。光有源层550对应于层结构100的光有源层200并且如其那样构成。
[0090]在生长另一个半导体层540期间，在第一横向区域533中、即在敞开的掩模区域531之下设置的缺陷560作为伸展的缺陷563从半导体层520穿过另一个半导体层540沿层结构500的生长方向伸展。一些设置在半导体层520的第一横向区域533中的缺陷560在生长另一个半导体层540期间也作为抵消的缺陷562相互抵消。在半导体层520的第二横向区域534中在覆盖的掩模层532下方设置的缺陷560作为阻挡的缺陷561不沿层结构500的生长方向穿过另一个半导体层540伸展。
[0091]因此，基本上仅在第一横向区域533中，缺陷560、563穿过另一个半导体层540伸展。在生长光有源层550时，缺陷560、563引起形成V型缺陷300的更高的概率。因此，在光有源层550的第一横向区域533中与在光有源层550的第二横向区域534中相比在每横向单位面积形成更多的V型缺陷300。因此，在第一横向区域533中，光有源层550具有比在第二横向区域534中更高的V型缺陷300的密度。
[0092]图14示出贯穿衬底610的示意剖面图。图15示出衬底610的表面的示意俯视图。衬底610具有蓝宝石。
[0093]衬底610的表面结构化成，使得构成隆起