FinFET器件及其形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种FinFET器件及其形成方法。
【背景技术】
[0002]由于半导体器件的高度集成，传统的二维晶体管结构由于沟道尺寸的缩小将产生严重的短沟道效应，使得栅极对沟道的控制能力变差，使漏电流(leakage)增加，阻碍了半导体器件的进一步发展。
[0003]鳍式场效晶体管(Fin Field effect transistor, FinFET)是一种新的金属氧化半导体场效应晶体管，这种晶体管结构通常在绝缘体上硅(SOI)基片上形成，包括狭窄而孤立的鳍(Fin)，鳍的侧壁带有栅极结构，即相对于上述二维晶体管具有更多的有效栅，对有源区的控制能力也有一定程度的提高，使得FinFET的结构使得器件尺寸更小，性能更好。
[0004]此时，进一步提高FinFET器件中栅极对有源区的控制能力，成为本领域技术人员亟待解决的问题。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是提供一种FinFET器件及其形成方法，通过改变栅极与鳍的接触面积，以进一步提高栅极对有源区的控制能力。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种FinFET器件的形成方法，包括:
[0007]提供衬底，并在所述衬底上形成若干第一鳍；
[0008]在所述衬底上形成若干横跨所述第一鳍的伪栅；
[0009]在所述衬底、第一鳍以及伪栅上覆盖层间介质层；
[0010]平坦化所述层间介质层，使所述伪栅露出；
[0011]去除所述伪栅，以在所述层间介质层中形成若干间隙，所述间隙暴露出部分衬底以及部分第一鳍；
[0012]对所述间隙中的暴露出的第一鳍进行蚀刻，以形成侧壁向内凹陷的第二鳍；
[0013]在间隙中形成横跨并包覆所述暴露出的第二鳍的栅极结构。
[0014]可选的，形成第一鳍的步骤包括:
[0015]在所述衬底上形成若干条状的硬掩模；
[0016]以所述硬掩模为蚀刻停止层，对所述衬底进行蚀刻，以在衬底中形成若干凹槽，所述衬底上相对所述凹槽的凸出部分为所述第一鳍。
[0017]可选的，所述硬掩模采用氮化硅作为材料，所述硬掩模的厚度范围为3纳米?30纳米。
[0018]可选的，形成第一鳍的步骤包括，使所述第一鳍的横截面呈上小下大的梯形，所述第一鳍与衬底表面之间的角度小于85°。
[0019]可选的，在形成第一鳍的步骤之后，在形成伪栅的步骤之前，还包括以下步骤:
[0020]在所述第一鳍之间形成隔离区域。
[0021]可选的，采用浅沟槽隔离的方式形成所述隔离区域。
[0022]可选的，覆盖层间介质层的步骤包括，采用二氧化硅作为所述层间介质层的材料，并通过沉积的方式形成所述层间介质层。
[0023]可选的，在平坦化层间介质层的步骤中，通过化学机械研磨的方式平坦化所述层间介质层。
[0024]可选的，在去除伪栅的步骤中，采用选择性蚀刻去除所述伪栅。
[0025]可选的，在对暴露出的第一鳍进行蚀刻的步骤中包括:
[0026]采用干法蚀刻去除部分所述暴露出的第一鳍，以形成所述侧壁向内凹陷的第二鳍。
[0027]可选的，所述干法蚀刻的蚀刻剂包括氧气，还包括氯气、三氯化硼中的至少一种。
[0028]可选的，在干法蚀刻的过程中，氧气的流量范围为2?20标况毫升每分，氯气的流量范围为20?500标况晕升每分，三氯化硼的流量范围为20?500标况晕升每分；蚀刻机的功率范围在100瓦?1000瓦。
[0029]可选的，形成栅极结构的步骤包括:
[0030]在所述间隙中形成覆盖所述暴露出的第二鳍的高K介质层；
[0031]在所述高K介质层上形成横跨所述第二鳍的金属栅极。
[0032]可选的，形成栅极结构的步骤包括:使所述栅极结构填充所述间隙。
[0033]此外，本发明还提供一种FinFET器件，包括:
[0034]形成于衬底上的若干鳍；
[0035]若干横跨所述鳍的栅极结构，其中，所述鳍与所述栅极结构相接触的部分具有向内凹陷的侧壁；
[0036]形成于所述衬底以及鳍上的层间介质层，所述层间介质层与所述栅极结构间隔排列。
[0037]可选的，所述栅极结构包括设于所述鳍上的高K介质层，以及包覆于所述的高K介质层外的金属栅极。
[0038]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0039]通过使所述第二鳍的侧壁向内凹陷，使得后续形成的栅极结构与第二鳍之间的接触面积更大，从而提升了栅极结构对于第二鳍的控制能力，减小漏电流问题。
[0040]进一步，使所述第一鳍的横截面呈上小下大的梯形，这样的第一鳍的结构有利于在去除所述伪栅的步骤中，将所述伪栅较为彻底地去除。
【附图说明】
[0041]图1是本发明一种FinFET器件的形成方法在具体实施例中的流程示意图；
[0042]图2至图8b是图1中各个步骤中的FinFET器件结构示意图；
[0043]图9a和图9b为本发明一种FinFET器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0044]现有技术中通过将传统的二维晶体管替换为鳍式场效晶体管，增加了栅极与有源区的接触面积，鳍在其凸出的三个面均为受控面，受到栅极的控制。
[0045]另一方面，由于现行的部分FinFET器件采用后栅工艺，在制作过程中，由于有源区呈鳍状，在鳍与衬底的连接处位置可能会发生伪栅(dummy gate)难以完全去除的情况。
[0046]为此，本发明提供一种FinFET器件的形成方法，通过形成侧壁向内凹陷(bowing)、且上小下大的第二鳍，以便于尽量彻底的去除伪栅，并尽量增大后续形成的栅极结构与所述第二鳍的接触面积。
[0047]如图1，为本发明在实施例中所提供的FinFET器件的形成方法的流程示意图，包括:
[0048]步骤SI，提供衬底，并在所述衬底上形成若干第一鳍；
[0049]步骤S2，在所述衬底上形成若干横跨所述第一鳍的多晶硅伪栅；
[0050]步骤S3，在所述衬底、第一鳍以及多晶硅伪栅上覆盖二氧化硅层间介质层；
[0051]步骤S4，平坦化所述二氧化硅层间介质层，使所述多晶硅伪栅露出；
[0052]步骤S5，去除所述多晶硅伪栅，以在所述二氧化硅层间介质层中形成若干间隙，所述间隙暴露出部分衬底以及部分第一鳍；
[0053]步骤S6，对所述间隙中的暴露出的第一鳍进行蚀刻，以形成侧壁向内凹陷的第二鳍；
[0054]步骤S7，在间隙中形成横跨并包覆所述暴露出的第二鳍的高K金属栅极结构。
[0055]通过上述步骤，一方面使得位于所述第二鳍上的伪栅能够被较快的去除，另一方面，在后续形成所述高K金属栅极结构后，所述高K金属栅极结构与第二鳍之间的接触面积也更大。
[0056]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0057]参考图2，执行步骤SI，提供衬底100，并在所述衬底上形成若干第一鳍102 (图2仅示出了一个第一鳍102)。
[0058]在本实施例中，所述衬底100的材料为硅，但是本发明对此不做限制。
[0059]在本实施例中，形成所述第一鳍102包括以下分步骤:
[0060]步骤S11，在所述衬底100上形成若干条状硬掩模101 ；
[0061]在本实施例中，所述硬掩模101的厚度范围为3纳米?30纳米，这样的好处在于能够较好的保护硬掩模101正下方的部分衬底100不受后续工艺的影响。
[0062]步骤S12，以所述硬掩模为蚀刻停止层，对所述衬底100进行蚀刻，以在衬底100中形成若干凹槽，所述衬底100上相对所述凹槽的凸出部分为所述第一鳍102。
[0063]在本实施例中，由于所述第一鳍102的横截面为上小下大的类似于梯形的结构。
[0064]其中，如果所述第一鳍102与所述衬底100连接处的角度α (见图3a)过小，将导致第一鳍102顶端的变得过薄，可能影响FinFET器件的性能；如果所述角度α过大(指过于接近现有的竖直的第一鳍，即角度α为90。)，则不利于后续步骤中多晶硅伪栅的去除。
[0065]所以，在本实施例中，所述第一鳍102与衬底100连接处的角度α在85°至87°之间，这样的角度α的补角为一个钝角，比较有利于在后续步骤中去除所述多晶硅伪栅。
[0066]进一步，为了形成上述角度范围的第一鳍102，在形成所述第一鳍102的过程中，可以采用溴化氢以及氧气作为对衬底100的蚀刻剂，并控制蚀刻剂中氧气的比例，以提高氧气在蚀刻剂中的比例。其原理在于，较大比例的氧气与衬底100生成氧化硅(在本实施例中衬底100为硅衬底)，溴化氢难以蚀刻所生成的氧化硅，于是在蚀刻衬底100的过程中蚀刻程度逐渐减小，最终形成了上小下大形状的第一鳍102。
[0067]在本实施例中，溴化氢的流量范围为50?500标况毫升每分,氧气的流量范围为2?10标况毫升每分，以得到角度α在85°至87°之间的第一鳍102。
[0068]但是本发明对此不作限制，可根据实际情况相应的修改上述参数。
[0069]此外，参考图3a以及3b，在形成所述第一鳍102后，将在这些第一鳍102之间的凹槽中形成隔离材料50，以形成第一鳍之间的隔离区域。
[0070]所述隔离材料50采用二氧化硅作为材料，并通过采用浅沟槽隔离(STI)的方式形成所述隔离区域。但是，本发明对隔离材料50的材料以及形成隔离区域的方法不做限制。
[0071]参考图4a以及图4b (图4b为图4a沿A-A'方向的剖视图)，执行步骤S2，在所述衬底100上形成若干横跨