薄膜晶体管阵列的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列的制备方法。
【背景技术】
[0002] 随着各种信息和通讯技术的发展，显示设备已经确立为现代人类的必需品。显示 设备通过将内部光发出至外侧而向使用者提供图像。内部光可以是由任何外部照明设备或 本身发光的光源提供的光。
[0003] 显示设备的具体实例可以包括液晶显示设备或有机发光二极管显示设备等。这样 的显示设备可以包括多个的像素来呈现图像。就这一点而言，各个像素可以包括其中已配 置薄膜晶体管的驱动元件。在此情况下，薄膜晶体管可以是用于控制各个像素的驱动薄膜 晶体管。此外，薄膜晶体管可以是用于开关驱动薄膜晶体管的开关薄膜晶体管。
[0004]图1是表明常规薄膜晶体管的结构的示例性剖面图。
[0005] 如图1中示出，常规薄膜晶体管包括具有预定形状的基板10、在基板10上形成的 栅电极21、在栅电极21上形成的栅极绝缘膜15a、在具有半导体的栅极绝缘膜15a上形成 的活性层24、通过将半导体用高浓度的n型杂质掺杂而在活性层24的上部形成的n+掺杂 层25、电连接至n+掺杂层25的预定区域的源/漏电极22和23、在源/漏电极22和23上 形成的保护膜15b、和电连接至漏电极23的像素电极18。
[0006] -般，像素电极18由钼系金属膜或金属氧化物膜形成。通常，像素电极通过将 钼-钛合金膜或铟氧化物膜由例如溅射等方法层压在玻璃基板等上，其上涂布光刻胶，且 通过曝光和显影工艺而形成图案，并且将其蚀刻从而制备像素电极来形成。
[0007] 钼系金属膜或金属氧化物膜是具有优异的耐化学品性并且不易通过化学反应蚀 刻的材料，因此在相关技术中不用于制备像素电极。因此，用于蚀刻钼系金属膜或金属氧化 物膜的技术尚未报道。但是，作为用于蚀刻用作数据线的单一钼膜的蚀刻剂，过氧化氢系蚀 刻剂公开于韩国专利特开公布No. 2001-0100226。
[0008] 然而，当将过氧化氢系蚀刻剂应用至钼系金属膜或金属氧化物膜时，由于钼系金 属膜或金属氧化物膜的非常高的耐蚀刻性，蚀刻是不可能的。另外，当钼系金属膜或金属 氧化物膜与铜膜或硅系化合物膜以多层膜形式形成时，损伤会发生于铜膜或硅系化合物膜 中。
【发明内容】
[0009] 因此，本发明的目的是提供蚀刻剂组合物，其能够选择地蚀刻钼系金属膜或金属 氧化物膜而不导致铜膜或硅系化合物膜的损伤（damage)。
[0010] 另外，本发明的另一目的是提供使用上述蚀刻剂组合物的薄膜晶体管阵列的制备 方法。本发明的以上目的将通过以下特征来实现：
[0011] (1) 一种薄膜晶体管阵列的制备方法，其包括：(a)在基板上形成栅电极；(b)在其 上已形成所述栅电极的所述基板上形成栅绝缘层；（C)在所述栅绝缘层上形成半导体层； (d)在所述半导体层上形成源极导线/漏极导线；和（e)形成连接至所述漏极导线的像素 电极，
[0012] 其中步骤（e)包括将由钼系金属膜或金属氧化物膜形成的层使用蚀刻剂组合物 来蚀刻，所述蚀刻剂组合物包括：5至25重量％的过氧化氢；0. 05至1重量％的含氟化合 物；0. 5至3重量％的芳香族有机酸或其盐或酯；和余量的水。
[0013] (2)根据以上（1)所述的方法，其中所述薄膜晶体管阵列包括铜线作为数据线。
[0014] (3)根据以上（1)所述的方法，其中所述钼系金属膜是由钼或钼合金形成的膜。
[0015] (4)根据以上（3)所述的方法，其中所述钼合金是包括钼和选自由Ti、Ta、Cr、Ni、 Nd和In组成的组的至少一种金属的合金。
[0016] (5)根据以上⑴所述的方法，其中所述金属氧化物膜是通过包括由AxByCzO表 示的三组分体系或四组分体系氧化物而形成的膜（其中A、B和C各自独立地是选自由锌 (Zn)、钛（Ti)、镉（Cd)、镓（Ga)、铟（In)、锡（Sn)、铪（Hf)、锆（Zr)和钽（Ta)组成的组的金 属；并且x、y和z各自表示金属比并且是0以上的整数或小数）。
[0017] (6)根据以上⑴所述的方法，其中所述含氟化合物包括HF基。
[0018] (7)根据以上⑴所述的方法，其中所述含氟化合物包括选自由HF、NaF、NH4F、 NH4BF4、NH4F?HF、NaF?HF、KF、KF?HF、CaF2、A1F3、H2SiF6和HBF4组成的组的至少一种。
[0019] (8)根据以上（1)所述的方法，其中所述芳香族有机酸或其盐或酯是选自由苯磺 酸、苯甲酸、氨基苯甲酸、水杨酸、烟酸和它们的盐或酯组成的组的至少一种。
[0020] (9)根据以上⑶所述的方法，其中所述芳香族有机酸的盐或酯包括选自由苯甲 酸铵、苯甲酸钠、苯甲酸钾、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸苄酯、和苯磺酸钠组成的组的 至少一种。
[0021] (10)根据以上⑴所述的方法，其中所述蚀刻剂组合物进一步包含选自由表面活 性剂、螯合剂和腐蚀抑制剂组成的组的至少一种添加剂。
[0022] (11) -种钼系金属膜/金属氧化物膜用蚀刻剂组合物，其包括：5至25重量％的 过氧化氢；〇. 05至1重量％的含氟化合物；0. 5至3重量％的芳香族有机酸或其盐或酯；和 余量的水。
[0023] (12)根据以上（11)所述的组合物，其中所述钼系金属膜是由钼或钼合金形成的 膜。
[0024] (13)根据以上（12)所述的组合物，其中所述钼合金是包括钼和选自由Ti、Ta、Cr、 Ni、Nd和In组成的组的至少一种金属的合金。
[0025] (14)根据以上（11)所述的组合物，其中所述金属氧化物膜是通过包括由AxByCzO 表示的三组分体系或四组分体系氧化物而形成的膜（其中A、B和C各自独立地是选自由锌 (Zn)、钛（Ti)、镉（Cd)、镓（Ga)、铟（In)、锡（Sn)、铪（Hf)、锆（Zr)和钽（Ta)组成的组的金 属；并且x、y和z各自表示金属比并且是0以上的整数或小数）。
[0026] (15)根据以上（11)所述的组合物，其中所述含氟化合物包括HF基。
[0027] (16)根据以上（11)所述的组合物，其中所述含氟化合物包括选自由HF、NaF、 NH4F、NH4BF4、NH4F?HF、NaF?HF、KF、KF?HF、CaF2、A1F3、H2SiFjPHBF4 组成的组的至少一 种。
[0028] (17)根据以上（11)所述的组合物，其中所述芳香族有机酸或其盐或酯是选自由 苯磺酸、苯甲酸、氨基苯甲酸、水杨酸、烟酸和它们的盐或酯组成的组的至少一种。
[0029] (18)根据以上（17)所述的组合物，其中所述芳香族有机酸的盐或酯是选自由苯 甲酸铵、苯甲酸钠、苯甲酸钾、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸苄酯和苯磺酸钠组成的组的 至少一种。
[0030] (19)根据以上（11)所述的组合物，其进一步包括选自由表面活性剂、螯合剂和腐 蚀抑制剂组成的组的至少一种添加剂。
[0031] 根据本发明的钼系金属膜或金属氧化物膜用蚀刻剂组合物，可以选择地蚀刻钼系 金属膜或金属氧化物膜而不导致铜膜或硅系化合物膜的损伤，因此，即使当钼系金属膜或 金属氧化物膜用作像素线且铜线用作数据线时，也可以形成阵列而不导致铜线的损伤。
[0032] 另外，根据薄膜晶体管阵列的制备方法，即使当铜膜或硅系化合物膜用作钼系金 属膜或金属氧化物膜的底层时，也可以蚀刻钼系金属膜或金属氧化物膜而不导致铜膜或硅 系化合物膜的损伤，因此本发明的方法可以有效地用于形成钼系金属或金属氧化物膜的线 的像素电极。
【附图说明】
[0033] 本发明的以上和其它目的、特征和其它优势