基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及对被处理基板进行溅射、CVD、蚀刻等处理的真空处理装置等的基板处理装置，尤其是涉及在基板处理装置中使用了一面保持被处理基板一面进行搬运的基板托盘的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]在真空处理装置中，为了提高生产率，将多张基板处理同时搬运至处理室，或为了不变更装置构成地处理外形尺寸不同的基板，使用可以保持基板并进行搬运的基板托盘。
[0003]图12A?12C是表示以往的基板托盘的第I例(参照专利文献I)。图12A?12C表示具备用于保持小的基板的锪孔702，示出了呈碟形状的基板托盘701。通过图12A?12C所记载的保持托盘701，8寸、6寸这样小的基板也可以设置在直径12寸用基板处理装置。
[0004]图13A、13B表示以往的基板搬运用托盘的第2例(参照专利文献2)。图13A、13B表示由具有绝缘性并且具有柔软性的物质805构成了由具有凹部802且热传导性优良的物质所构成的托盘本体801的一部分表面的基板托盘801。在图13A、13B中，803是上推用销通过的贯通孔，804是用于吸附基板的贯通孔，806是具有耐蚀性或耐溅射性的物质。在通过图13A、13B所记载的基板搬运用托盘时，可使基板和托盘本体801之间的密接性及热传导性变好，通过使基板的温度均匀，可以缩小电路图案的线宽等偏差。
[0005]另外，在成膜装置等真空处理装置中，需要根据处理内容进行处理中的基板的温度管理。因此，一般使用如下的技术，即，通过使用冷却水等的温度控制部件对保持基板、基板托盘的保持器进行温度控制，并通过与该保持器的热传递，进行基板的温度管理。
[0006]但是，在真空中，与在大气中相比，热传导效率在零件和零件的微小的间隙中恶化。因此，真空处理装置，尤其是在溅射装置等工艺压力低的装置中，为了进行成膜等真空处理中的基板的温度管理，需要通过例如对基板的背面、托盘的背面供给冷却气体等热传递介质的方法等，改善被温度调整的保持器和基板之间的热传导效率。
[0007]图14表示以往的基板搬运用托盘的第3例(参照专利文献3)。图14公开了基板搬运用托盘901，其具备有在基板载置面形成对应于基板S的外形的至少一个凹部911，并在该凹部911的底面配置环状的密封部件902 ;和对密封部件902推压通过落入凹部911而被设置的基板5的外周缘部的推压部件903。并且，在图14所记载的基板搬运用托盘901中，开设有与凹部911连通的至少一条气体通路913a、913b，作为密封部件902发挥功能的O型环902被形成在凹部911的底面911a，被配置在具有比O型环902的线径大的宽度的环状槽912。并且，在图14中，B为螺栓，S为基板，911b为基板S背面和凹部911底面之间的空间，931为中央开口。
[0008]图15表示将基板收容于基板收容孔的托盘配置在基板承载器上，以高效率冷却托盘的等离子处理装置的第4例(参照专利文献4)。图15的等离子处理装置通过由夹紧环600所产生的推压，利用O型环606、607A?607B将托盘615的下面615c和托盘支撑面628之间的空间密闭。并且，在图15中，615a为托盘本体，615b为上面，615c为下面，615d为孔壁，615e为定位缺口，619A?619D为基板收容孔，621为基板支撑部，621a为上面，621b为前端面，623为电介体板，625为间隔物板，626为引导筒体，627为接地屏蔽，628为托盘支撑面，629A?629D为基板载置部，631为基板载置面，636为圆形开口，643为直流电压施加机构，644为供给孔，645为导热气体供给机构，600为夹紧环，604、605A?60?为收容槽，606、607A?607D为O型环，608A、608B为供给孔。
[0009]先行技术文献
[0010]专利文献
[0011]专利文献1:日本特开2008-021686号公报
[0012]专利文献2:日本特开2002-313891号公报
[0013]专利文献3:日本特开2010-177267号公报
[0014]专利文献4:日本特开2010-225775号公报
【发明内容】
[0015]发明要解决的课题
[0016]但是，如专利文献I那样仅放置基板而不固定的基板托盘701中，虽然有可以使质量变轻的优点，但是存在在搬运中基板移动的问题。在专利文献2中，使由形成有抗蚀剂掩模的LaT13等所构成的基板盛放在托盘本体801的凹部802。设置在托盘本体801的凹部802的物质805，因具有绝缘性并具有柔软性，所以，通过其绝缘性基板与托盘本体801绝缘，通过基板带电的静电，基板通过静电力拉引至托盘本体801并被固定。但是，即使在专利文献2的基板托盘中，为了使基板通过静电力被拉引至托盘本体801并被固定，因基板为由LaT13所构成的强电介体，并且需要施加电场使其基板表面带电，产生静电，因此，在对装置施加高频电力的基板处理中，首先基板是被固定于托盘本体801的，并非解决在基板处理前的搬运中基板移动的问题，另外有在基板并非强电介体时就没有效果的问题。
[0017]另外，为了进行成膜等真空处理中的基板温度管理，需要在基板的背面密封热传递介质。
[0018]在专利文献3中，因能够通过螺栓B对基板托盘901推压基板S并在基板S背面密封热传递介质，因此，有可以改善基板的温度控制性能的优点，没有在基板的处理前的搬运中基板移动的问题。但是，在专利文献3中，推压部件903通过将螺栓B螺合在形成于基板托盘901的凹部911的外周上的螺丝孔而被安装。因此，当在螺栓B形成膜时，其膜剥落，有成为微粒的原因的课题。另外，因具有构造物，所以，有在成膜等基板处理时产生影响的情形(例如，处理不均匀性)。然后，为了螺合螺栓B，由于需要有相应于基板托盘901的螺丝孔的深度，因此，基板托盘901变厚，有基板托盘901的热电阻变大的问题。若在基板S背面密封热传递介质，基板托盘901的热阻也大，则在真空处理中，难以对用于载置保持基板S的基板托盘901的被温度控制的基板保持器(未图示)传达流入至基板S的热量。因此，存在无法取得充分的基板的温度控制性能的问题。
[0019]另外，在专利文献3中，为了装卸基板S，必须取下螺栓B。但是，在量产装置中，为了装卸基板S，时而拆卸时而栓紧螺栓B，装卸装置的结构变得复杂，因此，存在不能容易进行基板S的装卸的问题。
[0020]另外，在专利文献4中，托盘615的下面615c和托盘支撑面628之间的空间，因通过O型环606、607A?607B而被密闭，因此，由热传递介质所产生的冷却性能(温度控制)优良。但是，基板602因仅在贯通在托盘615的厚度方向的基板收容孔619A?619D收容基板，因此，在搬运中有基板602移动的问题。并且，在专利文献4中，基板602直接被载置于各个基板载置部629A?629D的基板载置面631，并且被静电吸附。因此，在基板602为玻璃基板时，存在基板的吸附、脱离大幅度地需要时间的问题。
[0021]本发明的目的在于提供使用了例如抑制微粒的产生、构造物对基板处理的影响，由热传递介质所产生的冷却性能(温度控制)优良，并且与量产装置对应并容易进行基板装卸的基板托盘的基板处理装置。
[0022]用于解决课题的手段
[0023]本发明的第一方面所记载的发明是一种基板处理装置，具有:处理室、托盘保持器、气体导入部和排气部，上述托盘保持器用于对保持基板的基板托盘进行保持，上述气体导入部用于将工艺气体导入上述处理室内，上述排气部用于对上述处理室内进行排气，上述基板处理装置用于对上述基板进行处理，其特征在于，上述基板托盘具备托盘本体和包含支撑上述基板的基板支撑部的基板支撑板，上述托盘本体包含基板保持部和磁铁，上述基板保持部以上述基板应处理的部分露出的方式保持上述基板的周端部，上述磁铁以上述托盘本体通过磁力保持上述基板支撑板的方式被配置在上述基板保持部的外侧，上述基板托盘经由密封构件通过上述托盘保持器保持。
[0024]本发明的第二方面所记载的发明，在第一方面所记载的发明中，设置有夹紧上述托盘本体的周边部的夹紧环，通过由上述夹紧环所产生的推压，上述托盘本体的下面和上述托盘保持器的托盘本体支撑面通过上述密封构件密封。
[0025]本发明的第三方面所记载的发明，在第一方面所记载的发明中，上述夹紧环被配置成将与上述密封构件相向的上述托盘本体的周边部夹紧。
[0026]本发明的第四方面所记载的发明，在第一方面所记载的发明中，上述密封构件为O型环。