属化处理，采用蒸发或者溅射的方式在晶圆背面镀上所需的金属层(通常为TI，NI, Ag, Au等)。
[0041](实施例2)
[0042]按如下步骤操作:
[0043]1.对晶圆正面进行贴膜，以对晶圆正面进行保护，要求所使用膜具有一定抗酸腐蚀性；
[0044]2.采用300目磨轮和600目磨轮对经过步骤I处理的晶圆进行减薄，得到所需厚度的薄片(通常为160um?350um)；
[0045]3.将经过步骤2处理的晶圆放入按照氢氟酸(HF):硝酸(HN03):冰乙酸(CH3C00H)=1:7:7体积比配比的混合溶液中，在溶液温度为26°C?30°C时，腐蚀80秒；
[0046]4.将经过步骤3处理的薄片在去离子水中进行冲水，冲水完成后在具有去离子水和氮气环境的甩干机进行甩干处理；
[0047]5.将经过步骤4处理的薄片进行背面离子注入；
[0048]6.将经过步骤5处理后的薄片进行去膜处理；
[0049]7.将经过步骤6处理的薄片进行背面注入后退火处理；
[0050]8.将经过步骤7处理的晶圆再次放入按照
[0051]BOE (40:1):C2H602=1:1.5体积比配比的混合溶液中，在溶液温度为26°C?30°C时，腐蚀120秒；
[0052]9.将经过步骤8处理的薄片在去离子水中进行冲水，冲水完成后在具有去离子水和氮气环境的甩干机进行甩干处理；
[0053]10.将经过步骤9处理的薄片进行背面金属化处理，采用蒸发或者溅射的方式在晶圆背面镀上所需的金属层(通常为TI，NI, Ag, Au等)。
[0054](实施例3)
[0055]按如下步骤操作:
[0056]1.对晶圆正面进行贴膜，以对晶圆正面进行保护，要求所使用膜具有一定抗酸腐蚀性；
[0057]2.采用300目磨轮和600目磨轮对经过步骤I处理的晶圆进行减薄，得到所需厚度的薄片(通常为160um?350um)；
[0058]3.将经过步骤2处理的晶圆放入按照氢氟酸(HF):硝酸(HN03):冰乙酸(CH3C00H)=1:7:7体积比配比的混合溶液中，在溶液温度为28°C?30°C时，腐蚀1300秒；
[0059]4.将经过步骤3处理的薄片在去离子水中进行冲水，冲水完成后在具有去离子水和氮气环境的甩干机进行甩干处理；
[0060]5.将经过步骤4处理的薄片进行背面离子注入；
[0061]6.将经过步骤5处理后的薄片进行去膜处理；
[0062]7.将经过步骤6处理的薄片进行背面注入后退火处理；
[0063]8.将经过步骤7处理的晶圆再次放入按照
[0064]BOE (40:1):C2H602=1:1.5体积比配比的混合溶液中，在溶液温度为28°C?30°C时，腐蚀800秒；
[0065]9.将经过步骤8处理的薄片在去离子水中进行冲水，冲水完成后在具有去离子水和氮气环境的甩干机进行甩干处理；
[0066]10.将经过步骤9处理的薄片进行背面金属化处理，采用蒸发或者溅射的方式在晶圆背面镀上所需的金属层(通常为TI，NI, Ag, Au等)。
[0067]对于经本发明实施例处理后的晶圆，可以在其完成背面金属化后进行拉力实验及抗剪切力验证。实验结果表明，经本发明方法处理的晶圆，在后续完成背面金属化工艺后，其背面金属层不会出现卷曲、翘曲等现象，也不会出现由于背面金属层剥落而引起的半导体器件可靠性失效现象；同时，可显著地改善在背面加工过程中经常出现的印记、污迹等表观问题。
[0068]以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种改善减薄片表观质量的方法，包括正面贴膜、背面减薄、背面腐蚀硅、去膜、背面清洗、背面金属化的步骤，其特征在于:分别在背面腐蚀硅工艺中及背面金属化前的二氧化硅去除工艺中采用腐蚀液对减薄片进行腐蚀； 所述背面腐蚀硅工艺中腐蚀液的各组分按体积比为: 氢氟酸:硝酸:冰乙酸=1:7:7; 所述背面金属化前二氧化硅去除工艺中腐蚀液的各组分按体积比为: BOE:C2H602=1:1.5，其中 BOE 为 NH4:HF 体积比为:40:1。
2.根据权利要求1所述的改善减薄片表观质量的方法，其特征在于:具体步骤为: (1)对晶圆正面进行贴膜，以对晶圆正面进行保护，要求所使用膜具有一定抗酸腐蚀性； (2)采用低目数磨轮对经过步骤(I)处理的晶圆进行减薄，得到所需厚度的薄片； (3)将经过步骤(2)处理的晶圆放入所述腐蚀液中进行腐蚀处理； (4)将经过步骤(3)处理的薄片进行冲水清洗及甩干处理； (5)将经过方步骤(4)处理的薄片进行背面离子注入、去膜、背面注入后退火处理； (6)将经过步骤(5)处理的薄片再次置入所述腐蚀液中进行腐蚀、清洗及甩干处理； (7)将经过步骤(6)处理的薄片进行背面金属化处理。
3.根据权利要求2所述的改善减薄片表观质量的方法，其特征在于:所述步骤(3)和步骤(6)操作时腐蚀液温度为23°C?30°C时，腐蚀时间为30秒?1500秒。
4.根据权利要求2所述的改善减薄片表观质量的方法，其特征在于:所述步骤(4)和步骤(6)清洗后，以去离子水冲洗，最后在具有去离子水及氮气的甩干机中进行甩干处理。
【专利摘要】本发明涉及一种改善减薄片表观质量的方法，包括正面贴膜、背面减薄、背面腐蚀硅、去膜、背面清洗、背面金属化的步骤，分别在背面腐蚀硅工艺中及背面金属化前的二氧化硅去除工艺中采用腐蚀液对减薄片进行腐蚀；背面腐蚀硅工艺中腐蚀液的各组分按体积比为：氢氟酸∶硝酸∶冰乙酸=1∶7∶7；背面金属化前二氧化硅去除工艺中腐蚀液的各组分按体积比为：BOE∶C2H6O2=1∶1.5。经本发明方法处理的晶圆，在后续完成背面金属化工艺后，其背面金属层不会出现卷曲、翘曲等现象，也不会出现由于背面金属层剥落而引起的半导体器件可靠性失效现象。同时，其表观状况明显优于其他清洗方式处理的晶圆。
【IPC分类】H01L21-306, H01L21-02
【公开号】CN104752161
【申请号】CN201310750925
【发明人】张海欧
【申请人】苏州同冠微电子有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月31日