有机发光二极管阵列的制备方法

文档序号:8432384阅读:329来源:国知局
有机发光二极管阵列的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)阵列及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管具有自发光的特性,因此,采用有机发光二极管的显示屏无需背 光源,能够显著节省电能。而且,采用有机发光二极管的显示屏幕可视角度大,因此,有机发 光二极管成为研究热点。
[0003] 现有技术通常将多个有机发光二极管制备在一基底上形成一阵列。其中,该有机 发光二极管阵列的制备方法包括:在一基底上制备一薄膜晶体管(TFT)阵列;在该薄膜晶 体管阵列上形成一第一绝缘层;在该第一绝缘层上形成多个第一电极;在该第一绝缘层上 形成一第二绝缘层将每个第一电极的边缘覆盖,使每个第一电极的中间部分暴露;在每个 第一电极暴露的部分表面形成一有机发光层;以及在该有机发光层上形成一第二电极。
[0004] 然而,现有技术中形成有机发光层的方法通常为蒸镀,其不仅需要掩模,而且需要 高温真空条件。因此,制备工艺复杂,成本较高。

【发明内容】

[0005] 有鉴于此,确有必要提供一种工艺简单,成本低廉的有机发光二极管阵列的制备 方法。
[0006] -种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:提供一基板;在上述基板一表面 形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素;至少在多个凸部的顶面形成多个 第一电极,且多个第一电极相互间隔设置;形成一图案化的第二绝缘层将相邻凸部之间的 第一电极覆盖,且使每个第一电极至少位于凸部顶面的部分暴露并突出;在每个第一电极 暴露并突出的表面转印形成层叠设置的电洞注入层和电洞传输层;在对应同一像素单元的 三个电洞传输层的表面分别转印形成发不同颜色光的电激发光层;在电激发光层上分别沉 积层叠设置的电子传输层和电子注入层;以及形成一第二电极,该第二电极位于所述电子 注入层远离所述基板的一侧且与该电子注入层电连接。
[0007] -种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:提供一基板;在上述基板一表面 形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素;在多个凸部的表面形成多个第一 电极,该多个第一电极相互间隔设置且设置于对应凸部的顶面、侧面以及相邻的凸部之间 的基板表面;形成一图案化的第二绝缘层将相邻凸部之间的第一电极覆盖,且使每个第一 电极至少位于凸部顶面的部分暴露并突出;在对应同一像素单元的三个第一电极暴露并突 出的表面分别转印形成发不同颜色光的有机发光层;以及形成一第二电极,该第二电极位 于该有机发光层远离所述基板的一侧且与该有机发光层电连接。
[0008] 与现有技术相比较,本发明提供的有机发光二极管阵列的制备方法,通过转印形 成有机发光层,避免了蒸镀所需要的掩模和高温真空条件,因此,制备工艺简单,成本低廉。
【附图说明】
[0009] 图1为本发明第一实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
[0010] 图2为本发明第一实施例的多个凸部成二维阵列排布的示意图。
[0011] 图3为本发明第一实施例的多个条形凸部成一维阵列排布的示意图。
[0012] 图4为本发明第一实施例制备第一电极的工艺流程图。
[0013] 图5为本发明第一实施例制备有机发光层的工艺流程图。
[0014] 图6为本发明第一实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0015] 图7为有机发光二极管的有机发光层的结构不意图。
[0016] 图8为本发明第二实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。 [0017] 图9为本发明第二实施例制备红光有机发光层的工艺流程图。
[0018] 图10为本发明第二实施例制备绿光有机发光层的工艺流程图。
[0019] 图11-12为本发明第二实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0020] 图13为本发明第三实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0021] 图14为本发明第三实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0022] 图15为本发明第四实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0023] 图16为本发明第四实施例制备的有机发光二极管阵列的第二电极的结构示意 图。
[0024] 图17为本发明第五实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0025] 图18为本发明第五实施例一次转印制备不同厚度的电洞传输层的工艺流程图。
[0026] 图19-20为本发明第五实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0027] 图21为本发明第六实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0028] 图22为本发明第六实施一次转印形成电洞注入层和电洞传输层的工艺流程图。
[0029] 图23-24为本发明第六实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0030] 图25为本发明第七实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0031] 图26为本发明第八实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0032] 图27为本发明第八实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0033] 图28为本发明第八实施例提供的有机发光二极管阵列的结构分解图。
[0034] 图29为本发明第九实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0035] 图30为本发明第九实施例提供的有机发光二极管阵列的结构分解图。
[0036] 主要元件符号说明
【主权项】
1. 一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括: 提供一基板; 在上述基板一表面形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素; 至少在多个凸部的顶面形成多个第一电极,且多个第一电极相互间隔设置; 形成一图案化的第二绝缘层将相邻凸部之间的第一电极覆盖,且使每个第一电极至少 位于凸部顶面的部分暴露并突出; 在每个第一电极暴露并突出的表面转印形成层叠设置的电洞注入层和电洞传输层; 在对应同一像素单元的三个电洞传输层的表面分别转印形成发不同颜色光的电激发 光层; 在电激发光层上分别沉积层叠设置的电子传输层和电子注入层;以及 形成一第二电极
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