有机发光二极管阵列的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种有机发光二极管（OLED)阵列及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管具有自发光的特性，因此，采用有机发光二极管的显示屏无需背 光源，能够显著节省电能。而且，采用有机发光二极管的显示屏幕可视角度大，因此，有机发 光二极管成为研究热点。
[0003] 现有技术通常将多个有机发光二极管制备在一基底上形成一阵列。其中，该有机 发光二极管阵列的制备方法包括：在一基底上制备一薄膜晶体管（TFT)阵列；在该薄膜晶 体管阵列上形成一第一绝缘层；在该第一绝缘层上形成多个第一电极；在该第一绝缘层上 形成一第二绝缘层将每个第一电极的边缘覆盖，使每个第一电极的中间部分暴露；在每个 第一电极暴露的部分表面形成一有机发光层；以及在该有机发光层上形成一第二电极。
[0004] 然而，现有技术中形成有机发光层的方法通常为蒸镀，其不仅需要掩模，而且需要 高温真空条件。因此，制备工艺复杂，成本较高。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，确有必要提供一种成本低廉，制备工艺简单的有机发光二极管阵列。
[0006] -种有机发光二极管阵列，其包括：一薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列包括多 个薄膜晶体管，且每个薄膜晶体管对应一子像素；一第一绝缘层设置于该薄膜晶体管阵列 的一表面，且该第一绝缘层远离该薄膜晶体管阵列的表面具有多个间隔设置的凸部；多个 第一电极间隔设置于所述多个凸部的表面，且每个第一电极对应一薄膜晶体管设置并与该 对应的薄膜晶体管电连接；多个电激发光层间隔设置于所述多个第一电极的表面，且每个 电激发光层对应至少一第一电极设置；一图案化的第二绝缘层设置于所述第一绝缘层的表 面，将位于相邻的凸部之间的第一电极覆盖，且使每个电激发光层至少顶面暴露；以及一第 二电极设置于该多个电激发光层远离该薄膜晶体管阵列的一侧且与该多个电激发光层电 连接。
[0007] -种有机发光二极管阵列，其包括：一薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列包括多 个薄膜晶体管，且每个薄膜晶体管对应一子像素；一第一绝缘层设置于该薄膜晶体管阵列 的一表面，且该第一绝缘层远离该薄膜晶体管阵列的表面具有多个凸部；多个第一电极间 隔设置于所述多个凸部的表面，且每个第一电极对应一薄膜晶体管设置并与该对应的薄膜 晶体管电连接；多个有机发光层间隔设置于所述多个第一电极的表面，每个有机发光层对 应一第一电极设置，且每个有机发光层包括层叠设置的电洞注入层、电洞传输层、电激发光 层、电子传输层以及电子注入层；一图案化的第二绝缘层设置于所述第一绝缘层的表面，该 图案化的第二绝缘层将位于相邻的凸部之间的第一电极覆盖，且使每个有机发光层至少顶 面暴露；以及一第二电极设置于该多个有机发光层远离该薄膜晶体管阵列的表面且与该有 机发光层电连接。
[0008] -种有机发光二极管阵列，其包括：一薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列包括多 个薄膜晶体管，且每个薄膜晶体管对应一子像素；一第一绝缘层设置于该薄膜晶体管阵列 的一表面，且该第一绝缘层远离该薄膜晶体管阵列的表面具有多个凸部；多个第一电极间 隔设置于所述多个凸部的表面，且每个第一电极对应一薄膜晶体管设置并与该对应的薄膜 晶体管电连接；一连续的电洞注入层设置于所述多个第一电极表面，且将该多个第一电极 覆盖；一连续的电洞传输层层叠于所述电洞注入层远离第一电极的表面，且将该电洞注入 层覆盖；多个电激发光层间隔设置于该电洞传输层远离第一电极的表面，且每个电激发光 层对应至少一第一电极设置；一图案化的第二绝缘层设置于所述电洞传输层的表面，该图 案化的第二绝缘层将位于相邻的凸部之间的电洞传输层覆盖，且使每个电激发光层至少顶 面暴露；一连续的电子传输层设置于所述多个电激发光层表面，且将该多个电激发光层覆 盖；一连续的电子注入层层叠设置于所述电子传输层远离第一电极的表面，且将该电子传 输层覆盖；以及一第二电极设置于该电子注入层远离该薄膜晶体管阵列的表面且与该电子 注入层电连接。
[0009] 与现有技术相比较，本发明提供的有机发光二极管阵列，由于第一电极设置于凸 部表面上，可以通过转印方法形成有机发光层，避免了蒸镀所需要的掩模和高温真空条件， 因此，制备工艺简单，成本低廉。
【附图说明】
[0010]图1为本发明第一实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
[0011] 图2为本发明第一实施例的多个凸部成二维阵列排布的示意图。
[0012] 图3为本发明第一实施例的多个条形凸部成一维阵列排布的示意图。
[0013] 图4为本发明第一实施例制备第一电极的工艺流程图。
[0014] 图5为本发明第一实施例制备有机发光层的工艺流程图。
[0015] 图6为本发明第一实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0016] 图7为有机发光二极管的有机发光层的结构不意图。
[0017] 图8为本发明第二实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
[0018] 图9为本发明第二实施例制备红光有机发光层的工艺流程图。
[0019] 图10为本发明第二实施例制备绿光有机发光层的工艺流程图。
[0020] 图11-12为本发明第二实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0021] 图13为本发明第三实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0022] 图14为本发明第三实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0023] 图15为本发明第四实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0024] 图16为本发明第四实施例制备的有机发光二极管阵列的第二电极的结构示意 图。
[0025] 图17为本发明第五实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0026] 图18为本发明第五实施例一次转印制备不同厚度的电洞传输层的工艺流程图。
[0027] 图19-20为本发明第五实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0028] 图21为本发明第六实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0029] 图22为本发明第六实施一次转印形成电洞注入层和电洞传输层的工艺流程图。
[0030] 图23-24为本发明第六实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0031] 图25为本发明第七实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0032] 图26为本发明第八实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0033] 图27为本发明第八实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
[0034] 图28为本发明第八实施例提供的有机发光二极管阵列的结构分解图。
[0035] 图29为本发明第九实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程 图。
[0036] 图30为本发明第九实施例提供的有机发光二极管阵列的结构分解图。
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