有机发光元件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机发光元件，特别是大幅度提高光的取出效率的有机发光元件。
【背景技术】
[0002] 有机发光元件是一种自发光的显示装置，具有轻薄、广视角、低驱动电压、高亮度 发光等特点。
[0003] 通常，有机发光元件发光的原理是电极注入的空穴和电子在发光层再结合通过激 发态跃迁到基态时产生光。该元件的特征是薄型，在低驱动电压下高亮度发光，通过选择不 同发光材料产生不同多种颜色发光，因此倍受关注。
[0004] 该研究自从由柯达公司的C.W. Tang等揭示了有机薄膜元件高亮度发光以来，对 于其应用进行了广泛的研讨，其中有机薄膜发光元件在手机显示屏等领域得到了实际应 用。但是还存在很多技术上的问题，尤其是实现高发光效率·低驱动电压有机发光元件是 一个问题。
[0005] 根据有机发光层发出光线的方向，有机发光兀件可以分为底发射有机发光兀件和 顶发射有机发光7Π 件。在底发射有机发光7Π 件中，光线朝向基板发出，反射电极在有机发光 层上形成，透明电极在有机发光层下形成。如果有机发光元件是有源矩阵的有机发光元件， 其中形成的薄膜晶体管部分不透射光线，所以发光面积减小。另一方面，在顶发射有机元件 中，透明电极在有机发光层上形成，反射电极在有机发光层下形成，所以光线向基板相反方 向发出，从而增加了光线透射面积而改善了亮度。
[0006] 现有技术中，为了提高顶发射有机发光元件的发光效率，采用比如透过发光层发 射光的上面半透明金属电极上形成有机覆盖层，调节光学干涉距离，抑制外光反射，抑制表 面等离子体能移动引起的消光等方法，记载在专利文献1，专利文献2,专利文献3,专利文 献4,专利文献5中。
[0007] 例如，专利文献2记载了顶发射有机发光元件上面半透明金属电极上形成有机覆 盖层，提高了约1.5倍的红色发射光和绿色发射光有机发光元件的发光效率。有机覆盖层 使用的材料是胺衍生物，喹啉酮衍生物等。
[0008] 专利文献4记载了能隙3. 2eV左右的有机覆盖层材料影响蓝色发射光不适合于有 机覆盖层材料，使用的有机覆盖层材料是具有特定化学结构的胺衍生物等。
[0009] 专利文献5记载了实现低CIEy值蓝色发射光有机发光元件，有机覆盖层材料在波 长为430nm - 460nm的折光率变化量为Λ n>0. 08,使用的有机覆盖层材料是具有特定化学 结构的蒽衍生物等。
[0010] 专利文献：
[0011] 专利文献 I :W〇2〇01/〇39554 ;
[0012] 专利文献 2 JP2006-156390 ;
[0013] 专利文献 3 JP2OO7-IO33O3 ;
[0014] 专利文献 4 :JP2〇〇6-3〇 2878 ;
[0015]专利文献 5 :W02011/043083。
【发明内容】
[0016] 如上所述，现有技术是有机覆盖层材料使用了具有高折光率的特定结构的胺衍生 物及使用符合特定参数的材料改善了光取出效率，色度，但是没有同时解决发光效率和色 度的问题，特别是在蓝光发光元件。
[0017] 本发明发现覆盖层材料使用满足特定参数的材料，尤其是具有噻吩结构，呋喃结 构或吡咯结构的化合物，具有芘结构的化合物，具有蒽结构的化合物满足特定参数，同时 解决提高光取出效率，改善色度的问题。
[0018] 本发明为了得到大幅度提高发光取出效率而且具有优越色度的有机发光元 件。提供一种有机发光兀件，包含基板，第一电极，含有一种以上有机层膜的发光层，第 二电极的发光元件，该发光元件具有覆盖层；其中，覆盖层含有有机材料，该有机材料在 430nm-460nm的波长范围中的至少一点上的衰减系数大于0· 10,且在460nm-500nm的波长 范围中，衰减系数为〇. 10以下。
[0019] 本发明的覆盖层在于第一电极和第二电极之间，可以是第二电极和覆盖层之间的 光调整层，也可以是第二电极上。
[0020] 基于从上部发光的顶部结构发光元件具有扩大发光部的优点的原因，上述有机发 光兀件优选为：基板，第一电极，含有一种以上有机层膜的发光层，透过前述发光层发射光 的第二电极，覆盖层的依次顺序形成；其中，覆盖层是提高光取出率的层。
[0021] 上述使用覆盖层材料实现高发光效率、高色度的发光元件，其覆盖层材料具有高 的折光率。从图1所示光学模拟的结果得到，覆盖层材料的衰减系数越大折光率越高、覆 盖层材料的最大吸收波长变化而使高折光率波长范围发生变化。仔细研讨以上结果发现 得到性能优越的有机发光元件的覆盖层材料的衰减系数在430nm-460nm波长范围中至少 一点大于0. 10。为了得到高折光率的覆盖层材料，进一步优选覆盖层材料的衰减系数在 430nm-460nm波长范围中至少一点大于0. 12。为了得到其覆盖层具有良好的透明性并且 提高发光效率以及高色度的有机发光元件，更进一步优选覆盖层材料在波长460nm以上 500nm以下具有0· 1以下的衰减系数。
[0022] 如上所述，得到性能优越的覆盖层材料，覆盖层应含有衰减系数在430nm-460nm 波长范围中至少一点大于0. 10,且460nm-500nm的波长范围中，衰减系数为0. 10以下的有 机材料。
[0023] 为了满足上述参数的化合物具有覆盖层材料的优越的性能，优选具有噻吩结构、 呋喃结构或吡咯结构中的一种或几种的化合物，具有芘结构的化合物，具有蒽结构的化合 物。
[0024] 上述满足参数的具有噻吩结构、呋喃结构或吡咯结构的化合物详述如下：
[0025] 衰减系数和吸光系数有下式（A)的关系。（α :吸光系数、k :衰减系数、ω :光频率、 c :光速）
【主权项】
1. 有机发光兀件，其特征在于：包含基板，第一电极，含有一种以上有机层膜的发光 层，第二电极的发光元件，该发光元件具有覆盖层；其中，覆盖层含有有机材料，该有机材料 在430nm-460nm的波长范围中的至少一点上的衰减系数大于0· 10,且在460nm-500nm的波 长范围中，衰减系数为0. 10以下。
2. 根据权利要求1所述的有机发光元件，其特征在于：所述的有机材料在430nm-460nm 的波长范围中的至少一点上的衰减系数大于0. 12，且在460nm-500nm的波长范围中，衰减 系数为〇. 10以下。
3. 根据权利要求1或2所述的有机发光元件，其特征在于：所述覆盖层含有具有噻吩 结构、呋喃结构或吡咯结构中的一种或几种的化合物。
4. 根据权利要求3所述的有机发光元件，其特征在于：所述具有噻吩结构、呋喃结构或 吡咯结构的化合物具有下述通式（1):
其中，X选自硫原子、氧原子、或N_R，R分别选自氢〇氣、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、 环烯基、炔基、烷氧基、烷巯基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、羰基、羧基、氧羰基、氨 基甲醜基、氣基或娃烷基中的一种或几种； 其中，R1~R4可以相同或不同，分别选自氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、 环烯基、炔基、烷氧基、烷巯基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、氰基、羰基、羧基、氧羰 基、氣基甲醜基、氣基或娃烷基中的一种或几种，也可以是以相邻的取代基键合，形成环； 所述取代基选自于氘、卤素、C1-C15的烷基、C2-C15的环烷基、C3-C15的杂环基、 C2-C15的链烯基、C4-C15的环烯基、C2-C15的炔基、C1-C55的烷氧基、C1-C55的烷巯基、 C6-C55的芳基醚基、C6-C55的芳基硫醚基、C6-C55的芳基、C4-C55的芳香族杂环基、C1-C55 的羰基、C1-C55的羧基、C1-C55的氧羰基、C1-C55的氨基甲酰基、C1-C55的氨基、或C3-C15 的娃原子数为1-5的娃烷基中的一种或几种。
5. 根据权利要求3所述的有机发光元件，其特征在于：所述具有噻吩结构、呋喃结构或 吡咯结构的化合物具有下述通式（2):
其中，X选自硫原子、氧原子、或N_R，R分别选自氢〇氣、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、 环烯基、炔基、烷氧基、烷巯基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、羰基、羧基、氧羰基、氨 基甲醜基、氣基或娃烷基中的一种或几种； 其中，R1~R4可以相同或不同，分别选自氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环 烯基、炔基、烷氧基、烷巯基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、羰基、羧基、氧羰基、氨基 甲酰基、氨基或硅烷基中的一种或几种，也可以是以相邻的取代基键合，形成环； L1选自亚芳基或杂亚芳基且与R1-R4中的一种或几种形成单键； R5、R6可以相同或不同，分别选自无取代或取代的烷基、环烷基、芳基、杂芳基或杂环基， Ii1是1-4整数，且R1-R4中至少一个与L1形成键； 所述取代基选自于氘、卤素、C1-C15的烷基、C2-C15的环烷基、C3-C15的杂环基、 C2-C15的链烯基、C4-C15的环烯基、C2-C15的炔基、C1-C55的烷氧基、C1-C55的烷巯基、 C6-C55的芳基醚基、C6-C55的芳基硫醚基、C6-C55的芳基、C4-C55的芳香族杂环基、C1-C55 的羰基、C1-C55的羧基、C1-C55的氧羰基、C1-C55的氨基甲酰基、C1-C55的氨基、或C3-C15 的娃原子数为1-5的娃烷基中的一种或几种。
6. 根据权利要求5所述的有机发光元件，其特征在于：ηι是1或2。
7. 根据权利要求6所述的有机发光元件，其特征在于：所述具有噻吩结构、呋喃结构或 吡咯结构的化合物具有下述通式（3):<