Ito透明导电薄膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种可用于诸如电容触摸面板之类的显示器配件上的光学导电膜片，尤其涉及一种可用于上述用途的ITO透明导电薄膜。
【背景技术】
[0002]掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide, ITO)作为一种用半导体材料制备而成的ITO透明导电薄膜，已经被广泛地应用于太阳能电池、显示器件(例如触摸面板)等许多方面。以往通过在玻璃上形成ITO电极层的所谓导电玻璃，由于基材为玻璃，其挠性和加工性方面较差。近年来由PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)为基材的ITO透明导电薄膜由其挠性好、加工性能优异、重量轻等优点，尤其在触摸面板领域等到了广泛应用。
[0003]ITO透明导电薄膜需要在PET基材上方的ITO电极层上形成电极图案，由于ITO电极层的蚀刻部位和未蚀刻部位以及作为基材的PET层在反射率和透射率上都存在差异，有时能从外部清楚地看到电极图案，通常的解决方案是设置多层结构的光学调整层以减小反射率差值以及透射率差值来消除电极图案的影像，制备所谓的ITO消影膜。
[0004]有关ITO透明导电薄膜消除电极图案的影像的现有技术很多，例如CN203455798U，CN 102779570Α，CN 104240799Α，CN 103745766Α 以及 CN 104360765Α 中都提及了多层结构形式的ITO透明导电薄膜，对于消影的原理，效果参数的定义等做了广泛的说明，并且均很详细地提及了 ITO透明导电薄膜的现有工艺情况，此处全文引用作为参考，本领域技术人员可以借由上述现有技术的描述理解本发明的内容，因此不再一一赘述其中的背景常识。
[0005]但是上述现有技术文件中，所用到的原料基材基本上都是带有硬化层(HardCoating layer，HC层)的PET基材。如图1所示，其显示了一种现有典型结构的基于带有双HC层的PET基材的ITO透明导电薄膜的结构示意图，以下将这种带有HC层的PET基材称作HC基材，该HC基材可以通过市售的方式购买获得。如图所示，所述HC基材10由一层PET基材I以及在PET基材I的单面或两面通过湿式涂布的方式涂布的一层HC层2所构成。
[0006]这种现有ITO透明导电薄膜的基本消影结构是，在上述HC基材10的HC层2的上方依次镀上一层高折射层Al以及一层低折射层A2，最后在上述低折射层A2的上方镀上ITO透明电极层30，以形成三层镀层(高折射层Al、低折射层A2、IT0透明电极层30)的形式，最后对最上层的ITO透明电极层30进行蚀刻，去除部分结构形成蚀刻区32，剩下的非蚀刻区31形成电路，从而获得最终具导电线路的ITO透明导电薄膜，这是基于HC基材10的最基本的一种消影方案，也是厚度最薄的一种方案。
[0007]其它类型的改进方案大体上都是如此，无非是在HC基材10上，调整光学层厚度及折射率，以此最大限度地减小蚀刻区32和非蚀刻区31以及其它各层结构的反射率差值以及透射率差值，尽量实现电极图案视觉上的不可见。
[0008]但是上述基于HC基材10的消影工艺的缺陷是镀层厚度很大，三层基本形式的镀层总厚度接近90nm，这还是厚度最薄的方案。由于镀层效率受到镀层厚度的影响最大，因而整个方案的生产速度相对偏低，其消影效果是；于360?740nm波长范围内的透射率差值Δ T只能够达到1.3%左右，反射率差值AR只能够达到1.0%左右。
【发明内容】
[0009]本发明要解决的技术问题是提供一种ITO透明导电薄膜，以减少或避免前面所提到的问题。
[0010]为解决上述技术问题，本发明提出了一种ITO透明导电薄膜，所述ITO透明导电薄膜包括頂基材，所述頂基材由一层PET基材以及涂布于所述PET基材的第一侧面上折射率大于1.6的IM层所构成，其中，所述IM基材的所述IM层的上方依次镀有一层第一低折射层、一层第二高折射层、一层第三低折射层以及一层ITO透明电极层。
[0011]优选地，所述PET基材具有与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第二侧面镀有一层硬化层。
[0012]优选地，所述第一低折射层的折射率为1.45-1.49。
[0013]优选地，所述第二高折射层的折射率为2.2-2.4。
[0014]优选地，所述第三低折射层的折射率为1.45-1.49。
[0015]优选地，所述第一低折射层的厚度为8-15nm。
[0016]优选地，所述第二高折射层的厚度为6-llnm。
[0017]优选地，所述第三低折射层的厚度为30_35nm。
[0018]优选地，所述第一低折射层、第二高折射层、第三低折射层以及ITO透明电极层的总厚度为66_76nm。
[0019]本发明的上述ITO透明导电薄膜，通过将现有HC基材替换成頂基材并加以成本和结构优化改造，不但获得了更薄的厚度，更好的显示器亮度和色彩表现，还获得了一种出人意料的远优于现有技术的消影效果。
【附图说明】
[0020]以下附图仅旨在于对本发明做示意性说明和解释，并不限定本发明的范围。其中，
[0021]图1显示了一种现有典型结构的基于带有双HC层的PET基材的ITO透明导电薄膜的结构示意图；
[0022]图2显示的是一种改进的基于带有頂层的PET基材的ITO透明导电薄膜的结构示意图；
[0023]图3显示的是在图1所示基础上提出的验证实施例的结构示意图；
[0024]图4显示的是在图2所示基础上提出的验证实施例的结构示意图；
[0025]图5显示的是根据本发明的一个具体实施例的基于带有IM层的PET基材的ITO透明导电薄膜的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照【附图说明】本发明的【具体实施方式】。其中，相同的部件采用相同的标号。
[0027]基于图1现有技术中采用双HC基材10获得的ITO透明导电薄膜的缺陷，一种改进的方案针对上述不足而提出，该改进的方案可以使用原料基材是涂布有折射率匹配层(Index Matching layer，IM层)的PET基材。如图2所示，其显示的是上述改进的基于带有頂层的PET基材的ITO透明导电薄膜的结构示意图，以下将这种带有頂层的PET基材称作IM基材，该IM基材可以通过市售的方式购买获得。如图所示，市场上销售的IM基材20通常由一层PET基材I以及采用诸如湿式涂布的方式涂布于PET基材I的一个侧面上的頂层3所构成，所述頂层3为一种具折射率较高的涂层(折射率愈高愈好)，PET基材I上与頂层3相对的另一面可以通过诸如湿式涂布的方式涂布一层HC层2。
[0028]由于上述这种頂基材20本身已经具备一层高折射率的頂层3，因而在后续加工工艺中，仅仅只需要在頂层3的上方镀上一层低折射层BI，最后在上述低折射层BI的上方镀上ITO透明电极层30，以形成二层镀层(低折射层BI和ITO透明电极层30)的形式，最后对最上层的ITO透明电极层30进行蚀刻，去除部分结构形成蚀刻区32，剩下的非蚀刻区31形成电路，从而获得最终具导电线路的ITO透明导电薄膜。
[0029]图2这种采用IM基材20的改进方案，相较于使用【背景技术】部分中提及的HC基材10的方案，具有镀层厚度小(二层镀层总厚度约为45nm)，生产速度快的优点，但是其消影效果略差:于360?740nm波长范围内的透射率差值Δ T只能达到2%，反射率差值ARR能达到2 %。
[0030]通过对比图2的改进方案以及图1的现有方案，可以发现二者其实各有优劣，即，图1所示方案的优点是消影效果好，但是厚度相对较大；图2所示方案的优点是整体厚度小，但是消影效果相对略差。则本领域技术人员可能会想到将图1和图2中两种方案中的HC基材10和頂基材20互换。
[0031]基于上述这种思路，发明人在图1所示现有技术以及图2所示改进技术的基础上，提出了两个验证实施例，即将其中的HC基材10和IM基材20互换，分别形成一种与图1 一样的三层方案以及一种与图2 —样的二层方案，如图3、4所示，其分别显示的是在图1和图2所示基础上提出的验证实施例的结构示意图。
[0032]但是图3中这种验证实施例的结果并不理想:由于頂基材20的各层之间已经存在预先设定的折射率匹配关系，在頂基材20的頂层3上方增加的高折射层Al和低折射层A2无法使ITO透明电极层30与IM层3形成良好的匹配，毕竟IM层3的折射率也很高，其与高折射层Al很难实现良好的匹配关系。另外，发明人也进行了进一步的实验，将图3中的高折射层Al和低折射层A2的上下排列顺序互换，同样也未能获得理想的消影效果。
[0033]当然，图4中的验证实施例的消影效果更差是完全可以预料的事情，由于HC基材1