发光装置和显示器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明揭露一种发光装置和显示器，特别是一种包含提高光取出率光学粒子的发 光装置W及具有此发光装置的显示器。
【背景技术】
[0002] 显示器的发光元件可W是一种由半导体材料制作而成的发光二极管（Li曲t Emitting Diode, LED),也可W是另一种由有机材料制作而成的有机发光二极管Organic Li曲t血itting Diode，0LED)。其中，发光二极管因其具有耗电量低、元件寿命长、反应时 间短（fast response time)、体积小等优点，因此随着技术不断地进步，发光二极管被广泛 地应用于显示器的背光模块。而有机发光二极管则具有广视角、高对比度、低耗电、高反应 速率、全彩化、可提性等优点，故被视为运用于显示器的最具有潜力的发光元件。
[0003] 然而，目前使用发光二极管或有机发光二极管作为发光元件的显示器普遍存在发 光效率不佳而导致亮度偏低的问题。其中造成发光效率不佳的原因，乃是由于发光元件所 发射的光线仅有少部分可W出射至显示器外部，而其余的光线则会因为被显示器内的封装 结构反射而被吸收。
[0004] 目前虽有部分业者在封装结构上增加一光取出层来避免光线被封装结构反射，然 而由于光取出层和显示器外部的折射率变化过大，因而大幅阻碍光线自光取出层出射至显 示器外部。
【发明内容】
[0005] 鉴于W上的问题，本发明提供一种发光装置和包含此发光装置的显示器，藉W改 善光取出层和显示器外部的折射率变化过大而大幅阻碍光线自光取出层出射至显示器外 部的问题。
[0006] 本发明所揭露的发光装置包含基板、光源组件、光取出层和第一光学粒子。光源组 件包含发光元件与封装结构。发光元件设置于基板。发光元件具出光面，且封装结构设置于 出光面。光取出层设置于光源组件的封装结构。光取出层具相对的第一表面和第二表面， 且第二表面面向光源组件。第一光学粒子嵌设于光取出层并且突出于第一表面。第一光学 粒子具第一折射率，光取出层具一第二折射率，且封装结构具一第=折射率。第一折射率大 于空气的折射率，且第二折射率大于第一折射率与第=折射率。
[0007] 本发明所另揭露的显示器包含前述的发光装置、黏着层W及偏光片，黏着层设置 于光取出层的第一表面。偏光片设置于黏着层。
[000引根据本发明所揭露的发光装置W及包含此发光装置的显示器，当光源组件产生的 光线自光取出层出射至发光装置外部时，部分光线先自光取出层入射至第一光学粒子中， 接着再从第一光学粒子入射至发光装置外部。由于光取出层的第二折射率大于第一光学粒 子的第一折射率，且第一折射率大于空气的折射率，因此发光装置于第一表面具有较为缓 和的折射率变化，有助于避免光线自光取出层入射至发光装置外部时产生全反射，进一步 提升发光装置的光取出效率。
[0009]W上的关于本
【发明内容】
的说明及W下的实施方式的说明用W示范与解释本发明 的原理，并且提供本发明所附的权利要求的保护范围更进一步的解释。
【附图说明】
[0010] 图1为根据本发明第一实施例的发光装置的剖切示意图；
[0011] 图2为第1图的局部放大示意图；
[0012] 图3为根据本发明第一实施例的发光元件产生的光线出射至发光装置外部光路 径示意图；
[0013] 图4为根据本发明第二实施例的发光装置的剖切示意图；
[0014] 图5为根据本发明第S实施例的发光装置的剖切示意图；
[0015] 图6为根据本发明第四实施例的发光装置的剖切示意图；
[0016] 图7为根据本发明第五实施例的发光装置的剖切示意图；
[0017] 图8为根据本发明第六实施例的发光装置的剖切示意图；
[001引图9为根据本发明第走实施例的发光装置的剖切示意图；
[0019] 图10为根据本发明第八实施例的发光装置的剖切示意图；
[0020] 图11为应用本发明任一实施例的发光装置的显示器的立体示意图。
[0021] 其中，附图标记：
[0022] 1 显示器
[002引 10 发光装置
[0024] 10a 基板
[002引 20 偏光片
[0026]30 黏着层
[0027]100光源组件
[00測 110发光元件
[0029]111出光面
[0030]120封装结构
[0031]121第一封装层
[0032] 122第二封装层
[0033]121a第一顶面
[0034]1210抗反射结构
[0035]122a第二顶面
[0036] 123缓冲层
[0037]200光取出层 [003引210第一表面
[0039]220第二表面
[0040]300第一光学粒子
[0041] 400第二光学粒子
[0042] 500侧边
[0043] B 光线
[0044] P 第一光学粒子的粒径
[0045] VI 第一光学粒子的本体积
[0046] V2 第一光学粒子的突出体积
【具体实施方式】
[0047] W下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征W及优点，其内容足W使任何熟悉 本领域的相关技术人员了解本发明的技术内容并据W实施，且根据本说明书所揭露的内 容、权利要求的保护范围及图式，任何熟悉本领域的相关技术人员可轻易地理解本发明相 关的目的及优点。W下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非W任何观点限制本发 明的范畴。
[0048] 请参照图1。图1为根据本发明第一实施例的发光装置的剖切示意图。在本实施 例中，发光装置10包含一基板10a、一光源组件100、一光取出层200和多个第一光学粒子 300。
[0049] 基板10a的材质例如为塑料或玻璃。
[0化0] 光源组件100设置于基板10a，并且包含一发光元件110和一封装结构120。发光 元件110例如为有机发光二极管，其具有一出光面111。封装结构120设置于发光元件110 的出光面111，并且包覆发光元件110。详细来说，封装结构120包含多个第一封装层121 W及多个第二封装层122。该些第一封装层121和该些第二封装层122交互堆找，并且相 邻的第一封装层121与第二封装层122直接接触。最靠近发光元件110的第一封装层121 设置于出光面111并且完全包覆发光元件110。在本实施例中，封装结构120为无机膜和有 机膜相互多层堆找而形成的一薄膜封装结构（ThinFilmEncapsulation，町E)，并且封装 结构120的厚度大于等于1微米（ym)，并小于等于5微米。进一步来说，在本实施例中，封 装结构120为了满足良好除水氧效果的需求而包含多个第一封装层121W及多个第二封装 层122,但本发明并不W此为限。在其他实施例中，第一封装层121W及第二封装层122的 数量可作调整，其详细内容将于后续进一步说明。
[0051]光取出层200的材料例如为环氧树脂巧poxy)、聚甲基丙締酸甲醋 (ac巧lie,PMMA)、娃（Silicon)、对苯二甲酸己二醋（PET)、聚蒙酸己醋（阳脚、聚碳酸醋 (PC)、聚酷亚胺（PI)、或氧化铜锡（IT0)。又或者，光取出层200的材料可为一有机无机复 合材料，且该有机无机复合材料为氧化铁-S甲氧基甲娃烷基丙基丙締酸醋（TiOx-MSMA)。 另外，光取出层200的厚度大于等于0. 1微米，且小于等于30微米。
[0化2] 光取出层200具有相对的一第一表面210和一第二表面220。第二表面220面向 光源组件100,且封装结构120的一外表面直接接触光取出层200的第二表面220。详细来 说，最靠近光取出层200的第一封装层121和最靠近光取出层200的第二封装层122分别 具有朝向光取出层200的一第一顶面121a和一第二顶面122a。最靠近光取出层200的第 一封装层121直接接触最靠近光取出层200的第二封装层122的第二顶面122a，并且完全 覆盖第二顶面122a。光