导电基板及制造该导电基板的方法
【技术领域】
[0001]本申请要求享有于2012年11月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0138364和10-2012-0138340的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容以参考的方式并入本文中。
[0002]本发明涉及一种导电基板及制备该导电基板的方法。
【背景技术】
[0003]在相关领域中，有机发光装置、有机太阳能电池等的阴极基本上采用氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)作为主电极，且主要使用由金属制成的辅助电极，以防止由ITO的高电阻所造成的光学效率的损失等。
[0004]在形成辅助电极的方法里，辅助电极的形成可通过在完全沉积于基板上的ITO上沉积并图案化金属，再钝化金属，或者在带沟槽的基板的沟槽部分处形成辅助电极，然后在其上沉积ITO作为主电极。然而，这个方法并非是一个适宜的方法，因为工序数目很多，且基板价格上涨。
【发明内容】
[0005][技术问题]
[0006]在本领域中，需要研宄一种性能卓越、制备方法简单的导电基板，及制备该导电基板的方法。
[0007][技术方案]
[0008]本发明提供一种制备导电基板的方法，包括:
[0009]I)在基板上形成结晶透明导电层；
[0010]2)在所述结晶透明导电层上形成非晶态透明导电层；
[0011]3)通过使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出部分的结晶透明导电层；以及
[0012]4)在所述至少一个图案开放区域中形成金属层。
[0013]另外，本发明提供一种导电基板，包括:
[0014]基板；
[0015]设置于所述基板上的第一透明导电层；以及
[0016]设置于所述第一透明导电层上的第二透明导电层，
[0017]其中，所述第二透明导电层中包括金属图案。
[0018]此外，本发明提供一种包括所述导电基板的防窥膜(privacy film)。
[0019]另外，本发明提供一种包括所述导电基板的电子器件。
[0020][有益效果]
[0021]根据本发明的示例性实施例，可凭借简单的工艺而形成高效导电基板。此外，在本发明中，引入了非晶态透明导电层和金属层以将结晶透明导电层的电阻损耗减至最低。
[0022]此外，根据本发明的示例性实施例，由于制备导电基板可不需要如在相关领域中的引入形成于辅助电极上的附加绝缘层，所以可减少工序数目，因此能够确保有竞争力的价格。
【附图说明】
[0023]图1至3为示意性说明根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法的图。
[0024]图4至6为示意性说明根据本发明的示例性实施例的导电基板的图。
[0025][附图标记说明]
[0026]10:基板
[0027]20:第一透明导电层
[0028]30:第二透明导电层
[0029]40:金属层
[0030]50:图案开放区域
[0031]60:金属氧化物层
【具体实施方式】
[0032]下文中，将更加详细地描述本发明。
[0033]根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法包括:1)在基板上形成结晶透明导电层；2)在所述结晶透明导电层上形成非晶态透明导电层；3)通过使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出部分的结晶透明导电层；以及4)在所述至少一个图案开放区域中形成金属层。
[0034]在根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法中，在步骤I)中，所述结晶透明导电层形成于所述基板上。
[0035]所述基板没有特别限定，且可采用本领域公知的材料。例如，玻璃、塑料基板、塑料膜等均可采用，但本发明并不限于此。
[0036]实施步骤I)的方法为，在所述基板上形成非晶态透明导电层，然后对所述非晶态透明导电层进行热处理，或者在沉积工艺中进行高温沉积。更详细的说，采用用于非晶态透明导电层的材料，通过沉积法或涂布法而在基板上形成非晶态透明导电层，然后可以通过热处理使非晶态透明导电层结晶，并且由沉积步骤实施高温沉积，由此实现所述高温沉积。本领域的技术人员可根据所用基板的玻璃态转变温度(Tg, Glass transit1nTemperature)来选择与使用形成结晶透明导电层的方法。作为热处理方法的详细的举例，当结晶透明导电层形成于具有低玻璃态转变温度的基板(如聚对苯二甲酸乙二酯膜(PETfilm))上时，以120°C作为透明导电材料的沉积温度进行沉积，然后于150°C、Ar气氛下，再热处理透明导电材料30至50分钟，以得到结晶透明导电层。此外，当结晶透明导电层形成于具有高Tg的基板(如玻璃)上时，通过升高沉积透明导电材料时的腔室的温度在200°C以上来进行沉积，由此实现所述沉积。本领域的技术人员可根据基板和目的加以选择。
[0037]所述结晶透明导电层可包含选自氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌和透明导电聚合物中的一种或多种，且本发明不仅限于此。
[0038]在根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法中，在步骤2)中，所述非晶态透明导电层形成于所述结晶透明导电层上。
[0039]在此情况下，可通过上述材料和结晶透明导电层的方法形成非晶态透明导电层。
[0040]在根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法中，在步骤3)中通过使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出部分的结晶透明导电层。
[0041]可通过光刻法使所述非晶态透明导电层图案化，且本发明不仅限于此。例如，通过激光使非晶态ITO区域的部分图案结晶，然后将结晶化的图案浸入草酸蚀刻溶液中，以利用蚀刻选择性获得图案。
[0042]由于设置于非晶态透明导电层下的结晶透明导电层在非晶态透明导电层的图案化过程中不被蚀刻，因此可以用一步形成透明导电层的图案。
[0043]也就是说，可通过采用蚀刻溶液来使非晶态透明导电层图案化，且可以通过非晶态透明导电层与结晶透明导电层对蚀刻溶液的溶解度的差异，仅对非晶态透明导电层选择性地图案化。作为蚀刻溶液，可通过考虑非晶态透明导电层与结晶透明导电层的溶解度的差异，采用本领域公知的材料。一般而言，采用盐酸:硝酸:水=4:1:5的组合物来蚀刻结晶透明导电层，而基于草酸的材料等可用于使本发明的非晶态透明导电层图案化的过程中，且本发明不仅限于此。
[0044]在更详细的实施例中，在使非晶态透明导电层图案化的过程中，可采用5%的草酸溶液来进行蚀刻过程，且在此情况下，由于对于草酸出现下部的结晶透明导电层与非晶态透明导电层蚀刻速率的差异，所以下部的结晶透明导电层不被蚀刻而可保留下来。
[0045]在此情况下，在非晶态透明导电层与结晶透明导电层之间取决于蚀刻溶液的溶解度的差异，可根据组成透明导电层的组合物而改变，而某一特定部分可以是普便现象:非晶态透明导电层的部分区域随着在非晶态透明导电层与结晶透明导电层之间的界面上的外延生长(Epitaxial Growth)而结晶，蚀刻后可得到的图案开放区域的厚度小于实际沉积的非晶态透明导电层的厚度。
[0046]以如此方式进行图案化后，如需要，可根据本领域技术人员的选择进行上部的非晶态透明导电层的结晶化过程。
[0047]在根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法中，在步骤4)中，形成至少一个图案开放区域，然后在所述区域中形成金属层。
[0048]所述金属层可包含选自银、铝、铜、钕、钼及其合金中的一种或多种，但本发明不仅限于此。所述金属层可通过沉积法或电镀而形成。
[0049]当通过电镀形成金属层时，可不需移除光致抗蚀剂而进行使非晶态透明导电层图案化的光刻过程，且由于电镀是在露出结晶透明导电层的图案开放区域中进行，因此可形成结晶透明导电层与金属层并行存在的结构。在此情况下，进行电镀的区域可只在露出结晶透明导电层的图案开放区域中实现。特别是，金属层通过电镀而形成，因此，由于表面张力，金属层的顶部具有半球形。因此，之后，当沉积其它材料时，可改善堆积覆盖度(stackcoverage)。接着，通过移除光致抗蚀剂和热处理金属层，可制得最终的导电基板。
[0050]如上所述，作为本发明的示例性实施例，在下图1中示例说明了制备导电基板的方法，其包括利用电镀形成金属层。
[0051]此外，当利用沉积法形成金属层时，可不需移除光致抗蚀剂而进行使非晶态透明导电层图案化的光刻过程，且可在露出结晶透明导电层的图案开放区域中形成金属层。接着，通过剥离而移除光致抗蚀剂和热处理金属层，可制得最终的导电基板。
[0052]如上所述，作为本发明的示例性实施例，在下图2中示例说明了制备导电基板的方法，其包括利用沉积过程形成金属层。
[0053]需要时，可在金属层上额外形成包含有机材料的绝缘层。
[0054]此外，根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方