间，或者介于70与150Pa之间，或者介于80与130Pa之间。
[0044]根据进一步的可能实现，电气器件可以包括单层石墨烯部分、与该石墨烯部分间隔开的石墨部分，以及在单层石墨烯部分与石墨部分之间提供过渡区的多层石墨烯结构，其中，多层石墨烯结构与石墨部分形成针对单层石墨烯部分的电气接触。
[0045]尽管已经在装置的上下文中描述了一些方面，但是清楚的是，这些方面也代表对对应方法的描述，其中框或器件对应于方法步骤或方法步骤的特征。类似地，在方法步骤上下文中描述的方面也代表对对应装置的对应框或项目或特征的描述。
[0046]上述实施例仅仅是对本发明的原理的说明。理解的是，对本文中描述的布置和细节的修改和变型对于本领域技术人员将是清楚的。因此，其意图仅由所附专利权利要求的范围来限定，而不由通过对本文中的实施例的描述和解释的方式给出的具体细节来限定。
【主权项】
1.一种电气器件，包括: 单层石墨稀部分，在横向方向延伸； 多层石墨烯结构，与所述单层石墨烯部分横向接触；以及 石墨部分，与所述多层石墨烯结构的表面接触。
2.根据权利要求1所述的电气器件，其中所述石墨部分在横向方向上与所述单层石墨稀部分间隔开。
3.根据权利要求1所述的电气器件，其中所述多层石墨烯结构和所述石墨部分形成针对所述单层石墨烯部分的电气接触。
4.根据权利要求1所述的电气器件，其中多层石墨烯结构形成在所述单层石墨烯部分与所述石墨部分之间的过渡区。
5.根据权利要求1所述的电气器件，还包括衬底，其中所述单层石墨烯部分和所述多层石墨烯结构布置在所述衬底的表面处，并且其中所述石墨部分的至少一部分布置在所述多层石墨烯结构的与所述衬底相对的表面处。
6.根据权利要求1所述的电气器件，还包括衬底，其中所述单层石墨烯部分和所述多层石墨烯结构的第一部分布置在所述衬底的表面处，并且其中所述石墨部分嵌入在所述衬底中，使得所述多层石墨烯结构的第二部分与所述石墨部分接触。
7.根据权利要求1所述的电气器件，其中所述石墨部分包括在所述电气器件与另外的电气器件之间提供电气连接的石墨导线。
8.一种电气器件，包括: 石墨稀部分，在横向方向延伸；以及 石墨部分，被配置为提供针对所述石墨烯部分的横向接触。
9.根据权利要求8所述的电气器件，还包括多层石墨烯结构，所述多层石墨烯结构在所述石墨烯部分与所述石墨部分之间提供过渡接触区，其中所述多层石墨烯结构和所述石墨部分形成针对所述石墨烯部分的电气接触。
10.根据权利要求9所述的电气器件，还包括衬底，其中所述石墨烯部分和所述多层石墨烯结构布置在所述衬底的表面处，并且其中所述石墨部分的至少一部分布置在所述多层石墨烯结构的与所述衬底相对的表面处。
11.根据权利要求10所述的电气器件，其中所述石墨烯部分是单层石墨烯部分。
12.根据权利要求9所述的电气器件，还包括衬底，其中所述石墨烯部分和所述多层石墨烯结构的第一部分布置在所述衬底的表面处，并且其中所述石墨部分嵌入在所述衬底中，使得所述多层石墨烯结构的第二部分与所述石墨部分接触。
13.根据权利要求8所述的电气器件，其中所述石墨部分包括在所述电气器件与另外的电气器件之间提供电气连接的石墨导线。
14.一种用于制造电气器件的方法，所述方法包括: 在衬底上形成单层石墨烯部分； 在所述衬底上形成多层石墨烯结构，所述多层石墨烯结构与所述单层石墨烯部分横向相邻并且接触所述单层石墨烯部分；以及 提供接触所述多层石墨烯结构的表面的石墨部分。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述单层石墨烯部分和所述多层石墨烯结构是并发地形成的。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述石墨部分在与所述单层石墨烯部分的延伸平行的方向与所述单层石墨烯部分间隔开。
17.根据权利要求14所述的方法，其中提供所述石墨部分包括将所述石墨部分嵌入在所述衬底中，并且其中所述单层石墨烯部分和所述多层石墨烯结构形成在所述衬底的和所述石墨部分的表面处，使得所述多层石墨烯结构接触所述石墨部分。
18.根据权利要求14所述的方法，还包括: 在所述单层石墨烯部分的表面处和在所述多层石墨烯结构的表面的第一部分处形成硬掩膜； 将石墨沉积在所述硬掩膜的暴露表面和所述多层石墨烯结构的表面的第二部分处，所述第二部分未被所述硬掩膜覆盖；以及 移除所述硬掩膜和所述石墨的已经沉积在所述硬掩膜的暴露表面处的部分，同时留下所述石墨的已经沉积在所述多层石墨烯结构的表面的所述第二部分处的另一部分。
19.根据权利要求14所述的方法，其中所述单层石墨烯部分和所述多层石墨烯结构形成在临时衬底上，并且其中所述方法还包括: 将包括所述单层石墨烯部分和所述多层石墨烯结构的组合结构从所述临时衬底转移到最后衬底。
20.根据权利要求14所述的方法，还包括: 提供第一金属的表面； 提供与所述第一金属的表面横向邻近的第二金属的表面； 并发地将所述单层石墨烯部分和所述多层石墨烯结构沉积在所述第一金属和所述第二金属的表面处，其中所述单层石墨烯部分沉积在所述第一金属的表面处，并且所述多层石墨烯结构沉积在所述第二金属的表面处。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述第一金属的表面和所述第二金属的表面通过扩散阻挡层彼此分离。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述扩散阻挡层具有介于Inm与20nm之间的横向分离宽度。
23.根据权利要求20所述的方法， 其中所述第一金属和所述第二金属的表面分别是所述第一金属和所述第二金属与所述衬底之间的界面，其中所述单层石墨烯部分和所述多层石墨烯结构分别形成在所述第一金属或所述第二金属分别与所述衬底之间的界面处； 其中所述方法还包括: 移除所述第一金属和所述第二金属。
24.根据权利要求20所述的方法，其中沉积所述单层石墨烯部分和所述多层石墨烯结构包括在介于500与1500摄氏度之间的温度和介于50与200Pa之间的压强的化学汽相沉积。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，乙烯用作所述化学汽相沉积中的前体。
26.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一金属是镍并且所述第二金属是铜。
27.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一金属是合金和镍硅合金之一。
28.一种用于制造电气器件的方法，所述方法包括: 提供彼此横向邻近的第一金属衬底和第二金属衬底； 在所述第一金属衬底的表面或界面处形成单层石墨烯部分； 在所述第二金属衬底的表面或界面处形成多层石墨烯结构； 在所述多层石墨烯结构的表面处形成石墨部分。
29.一种用于制造电气器件的方法，所述方法包括: 在衬底上形成石墨烯部分；以及 在所述衬底上提供与所述石墨烯部分横向相邻的石墨部分，来提供针对所述石墨烯部分的横向接触。
【专利摘要】本发明涉及用于石墨烯部分的电气接触。公开了电气或电子器件。在一些实施例中，一种电气器件包括：单层石墨烯部分，其在横向方向延伸；以及多层石墨烯结构，其与所述单层石墨烯部分横向接触。所述电气或电子器件还包括石墨部分，其与所述多层石墨烯结构的表面接触。在其他实施例中，一种电气器件包括：石墨烯部分，其在横向方向延伸；以及石墨部分，其被配置为提供针对所述石墨烯部分的横向接触。
【IPC分类】H01L21-04, H01L21-28
【公开号】CN104810254
【申请号】CN201510042685
【发明人】R.费尔格, G.鲁尔
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年1月28日
【公告号】DE102015201385A1, US20150214303