高于含Si层中所含的Si-N键、Si-H键 的键能，因此通过将该活性种的能量施加于含Si层，则含Si层中所含的Si-N键、Si-H键被切断。与Si的键被切断了的N、H、及与N键合的C被从含Si层中除去，WN2、H2、C02 等的形式被排出。此外，通过与N、H的键被切断而剩余的Si的键，与活性种所含的0结合 而形成Si-0键。如此，使含Si层变为娃氧化层（SiO层）（被改性）。
[0127](残留气体除去）
[0128] 其后，停止向椿状电极269、270之间的高频电力供给。此外，关闭阀243b，停止向 处理室201内的化气体供给。此时，将排气管231的APC阀244例如全开，通过真空累246 对处理室201内进行真空排气，将残留于处理室201内的未反应或助于反应后的〇2气体、 反应副生成物从处理室201内排除（残留气体除去）。但只要可获得充分的排气量，则可W 不使APC阀244为全开。此时，阀243c在保持打开的状态下进一步将阀243d打开，维持向 处理室201内供给作为惰性气体的馬气体。N2气体作为吹扫气体发挥作用，由此，能够提 高将残留于处理室201内的未反应或助于反应后的〇2气体、反应副生成物从处理室201内 排除的效果。
[0129] 此时，可W将残留于处理室201内的气体不完全排除，也可W对处理室201内不完 全吹扫。若残留于处理室201内的气体是微量，则在其后进行的步骤1中不会产生不良影 响。此时向处理室201内供给的N,气体的流量也不需要是大流量，例如可W通过供给与反 应管203 (处理室201)的容积相同程度的量，来进行在步骤1中不会产生不良影响的程度 的吹扫。如此，通过不将处理室201内完全吹扫，由此可W缩短吹扫时间、提高处理量。而 且，可W将馬气体的消耗也抑制到所需最低限。
[0130] 图5中通过描绘线的高度表示各步骤中的馬气体的目标流量（图中的N2气体的 流量为，残留气体除去时>扩散用馬气体供给时>BTBAS气体供给时> 〇2气体供给时）。 如此，通过将扩散用N,气体供给时的N2气体的流量至少比BTBAS气体供给时的N2气体的 流量增大，由此能够补偿由于BTBAS气体的供给停止所引起的整体的气体流量的降低，而 且能够进一步提高利用N,气体进行的使BTBAS气体在处理室201内的扩散速度。因此，能 够W更短时间使BTBAS气体在处理室201内均匀遍布。也就是说，能够W更短时间形成从 处理室201内的下方到上方、BTBAS气体更均匀扩散的状态。此外，能够抑制因整体的气体 流量的急剧变化所致的处理室201内的压力变动等，实现稳定的压力上升。但馬气体的各 流量、其大小关系终归仅是一例，不受此限。
[0131] 此外，图5中通过描绘线的高度表示各步骤的处理室201内的设定压力（图中的 设定压力为；BTBAS气体供给时N扩散用N,气体供给时> 〇2气体供给时N残留气体除去 时）。由此，至少将向晶片200的BTBAS气体供给时、也就是说BTBAS气体供给时及扩散用 馬气体供给时的处理室201内的压力，维持在比02气体供给时、残留气体除去时的处理室 201内的压力高的高压状态。也就是说，能够更可靠地维持将BTBAS气体W高压状态封入处 理室201内的状态。但处理室201内的各设定压力、其大小关系终归仅是一例，不受此限。
[0132] 作为含氧气体、即氧化气体，除了化气体之外，可W使用臭氧（〇3)气体、水蒸气 化2〇气体）等。此外，也可W使用一氧化氮（NO)气体、氧化亚氮（馬0)气体等。作为惰性 气体，除了馬气体之外，可W使用Ar气体、化气体、Ne气体、Xe气体等稀有气体。
[0133](实施规定次数）
[0134] 将上述的步骤1、2作为1次循环，实施该循环1次W上（规定次数），由此在晶片 200上形成规定组成及规定膜厚的SiO膜。上述的循环优选是重复多次。目P，优选是使每1 次循环所形成的SiO层的厚度小于所希望的膜厚，重复多次上述循环直到达到所希望的膜 厚。
[01巧]此时，通过控制各步骤的处理室201内的压力、气体供给时间等处理条件，由此能 够控制SiO层中的各元素成分、即Si成分、0成分的比例，也就是说，能够调整Si浓度、0浓 度，能够控制SiO膜的组成比。
[0136] 在进行多次循环的情况下，至少在第2次循环W后的各步骤，记载为"对晶片200 供给规定的气体"的部分是指"对形成于晶片200上的层，即对作为层叠体的晶片200的最 外表面，供给规定的气体"，记载为"在晶片200上形成规定的层"的部分是指"在形成于晶 片200上的层之上、即在作为层叠体的晶片200的最外表面之上形成规定的层"。关于该一 点如上所述。关于该一点在后述的变形例等中也同样。
[0137](吹扫及恢复大气压）
[0138] 在进行了形成规定组成及规定膜厚的SiO膜的成膜处理之后，打开阀243c、243d， 从气体供给管232c、232d分别向处理室201内供给作为惰性气体的N,气体，并从排气管231 进行排气。馬气体作为吹扫气体发挥作用，由此，处理室201内被惰性气体吹扫，残留于处 理室201内的气体、反应副生成物被从处理室201内除去（吹扫）。其后，处理室201内的 气氛被置换为惰性气体（惰性气体置换），处理室201内的压力恢复到常压（恢复大气压）。
[0139](卸载晶舟及取出晶片）
[0140] 其后，通过晶舟升降机115使密封盖219下降，集流管209的下端开口，且处理完 毕的晶片200W被支承于晶舟217的状态从集流管209的下端被搬出到反应管203的外部 (卸载晶舟）。其后，自晶舟217取出处理完毕的晶片200 (取出晶片）。
[0141] (3)由本实施方式获得的效果
[0142] 根据本实施方式，起到W下所示的1个或多个效果。
[0143] (a)在实质上停止了处理室201内的排气的状态下，对处理室201内的晶片200 供给BTBAS气体。由此，能够将BTBAS气体封入于处理室201内，能够促进BTBAS气体吸附 于晶片200上。结果，能够提高SiO膜的成膜速率。而且，也能够提高SiO膜的层差覆盖性 (阶梯覆盖性，stepcoverage)。此外，也能提高晶片200的面间及面内的SiO膜的膜厚、 膜质的均匀性。
[0144] 化）在实质上停止了处理室201内的排气及BTBAS气体的供给的状态下，向处理室 201内供给扩散用N,气体。扩散用N,气体作为载体气体发挥作用，也作为活塞发挥作用。 通过该些作用，也能够使BTBAS气体例如从晶片200的外周附近向中屯、附近、即向水平方向 移动。此外，也能使BTBAS气体从处理室201内的下方向上方、即向垂直方向移动。目P，能 够使BTBAS气体均匀地遍布处理室201。结果，能提高晶片200的面间（垂直方向）及面内 (水平方向）的SiO膜的膜厚、膜质的均匀性。
[0145] 作为原料气体，当欲使用容易吸附、反应性高的BTBAS气体形成SiO膜时，在供给 路径容易引起BTBAS气体的吸附等。因此，处理室201内的BTBAS气体的浓度出现偏差，可 能有损形成于晶片200上的SiO膜的膜厚、膜质的面间、面内的均匀性。
[0146] 针对该样的课题，考虑有如下的方法；例如对处理室201内的温度进行调整，使其 在上下方向形成梯度，由此使得SiO膜的成膜速率变得均匀，由此来改善晶片200之间的 SiO膜的膜厚、膜质的不均匀性。然而，如本实施方式该样，在较低温下进行成膜的条件下， 难W形成上述的温度梯度，难W谋求面间、面内的均匀性的提高。
[0147] 因此，在本实施方式中进行扩散用馬气体的供给。由此，减少该样的浓度偏差，能 够提高在晶片200上形成的SiO膜的膜厚、膜质的面间均匀性及面内均匀性。
[0148] (C)在对处理室201内的晶片200供给BTBAS气体的工序中，在BTBAS气体的供给 和扩散用N,气体的供给该2阶段进行BTBAS气体的封入。由此，能够使BTBAS气体在处理 室201内充分扩散，能够使处理室201内的状态短时间达到使BTBAS气体更均匀扩散的状 态。由此，能够确保向晶片200上形成含Si层所需的反应时间。此外，能够减少对含Si层 的形成无益处而被排气的BTBAS气体的量。结果，能够减少BTBAS气体的使用量，能够降低 成膜成本。
[0149] (d)在对处理室201内的晶片200供给BTBAS气体的工序中，使处理室201内为规 定压力W下。由此，能够在接着进行的残留气体除去中W短时间对处理室201内排气。结 果，能够防止成膜速率的降低，维持成膜处理的处理量。
[0150] (e)在对晶片200供给BTBAS气体时，即向处理室201内供给BTBAS气体时及向处 理室201内供给扩散用馬气体时，成为停止处理室201内的排气的状态。由此，能够更可 靠地封入BTBAS气体，能够进一步促进BTBAS气体对晶片200上的吸附。此外，若在步骤1 的初始供给步骤1的1次反应所需分量的BTBAS气体，则在步骤1的中途，BTBAS气体不会 从处理室201内被排气，不需要继续进行BTBAS气体的供给。结果，能够减少BTBAS气体的 使用量，降低成膜成本。
[0151] 此外，在向处理室201内供给扩散用馬气体时，成为停止了处理室201内的排气 及BTBAS气体的供给的状态。由此，能够停止从处理室201内的供给侧直接达到排气侧的 BTBAS气体的流动，能够形成处理室201内BTBAS气体的扩散饱和了的状态。也就是说，能 够使BTBAS气体向处理室201内的上方充分扩散，W短时间达到更均匀的状态。
[0152] 此外，向处理室201内供给BTBAS气体时及向处理室201内供给扩散用馬气体时， 仅是成为停止了处理室201内的排气的状态。也就是说，只要将APC阀244仅是全闭即可， 不需要通过反馈控制来细致地调整APC阀244的开度。目P，APC阀244、压力的控制变得容 易。
[0153] (f)向处理室201内供给扩散用馬气体时，为停止了BTBAS气体的供给的状态。 由此，在处理室201内，BTBAS气体难W产生新的浓度偏差，能够W更短时间谋求处理室201 内的BTBAS气体的浓度的均匀化。
[0154] (g)在向处理室201内供给扩散用馬气体时，与向处理室201内供给BTBAS气体 时相比，增大了馬气体的流量。由此，能够进一步提高利用N2气体的BTBAS气体在处理室 201内的扩散速度，能够W更短时间使BTBAS气体在处理室201内均匀遍布。此外，能够抑 制因BTBAS气体的供给停止引起的整体的气体流量的降低，能够稳定地使处理室201内升 压。
[0155] (4)本实施方式的变形例
[0156] 接着，使用图6说明本实施方式的变形例。
[0157] 在图6的（a)所示的变形例的成膜顺序中，
[0158] 在对处理室201内的晶片200供给BTBAS气体的工序中，在对处理室201内稍微 排气的状态下，向处理室201内供给BTBAS气体，其后，对处理室201内稍微排气，在供给少 许BTBAS气体的状态下向处理室201内供给馬气体。在该情况下，处理条件也可W是与例 如图5所示的成膜顺序同样的处理条件。
[0159] 通过做成对处理室201内稍微排气的状态，由此容易抑制处理室201内急剧升压， 或将处理室201内维持在规定压力W下。在该情况下，也可W使BTBAS气体在短时间均匀 地遍布于处理室201内，获得与图5所示的成膜顺序同样的效果。
[0160] 此外，通过做成供给少许BTBAS气体的状态，由此能够补充因含Si层的形成等所 消耗的BTBAS气体的消耗量。在该情况下，也可W使BTBAS气体在短时间均匀地遍布于处 理室201内，获得与图5所示的成膜顺序同样的效果。
[0161] 但是，如图5所示的成膜顺序该样，通过停止处理室201内的排气及BTBAS气体的 供给，由此可W使从供给侧直接到排气侧该样的BTBAS气体的流动停止，可获得更好的效 果。也能抑制在步骤1的中途从处理室201内浪费地排出BTBAS气体。因此，与图6的（a) 所示的成膜顺序相比，图5所示的成膜顺序，能够W更短时间更均匀地使BTBAS气体在处理 室201内扩散，而且能够进一步减少BTBAS气体的使用量，从该一点而言较为优选。
[0162] 此外，在图6的化）所示的其他变形例的成膜顺序中，进行规定次数的包括如下工 序的循环，即，所述循环包括：
[0163] 相当于图5所示的成膜顺序的步骤1的工序中的、重复了多次BTBAS气体的供给 和扩散用N,气体的供给之后、进行残留气体的除去的工序；相当于上述的实施方式的步骤 2的工序。
[0164] 目P，通过进行规定次数的包括如下工序的循环，由此在晶片200上形成SiO膜，所 述循环包括如下工序：
[01化]重复规定次数的向处理室201内的晶片200供给BTBAS气体的工序；
[0166] 将残留于处理室201内的BTBAS气体排出；
[0167] 向处理室201内的晶片200供给〇2气体；
[0168] 将残留于处理室201内的化气体排出。
[0169] 在该情况下，处理条件也可W是与例如图5所示的成膜顺序同样的处理条件。
[0170] 在此，在对晶片200供给BTBAS气体的工序中，在实质上停止了处理室201内的排 气的状态下，向处理室201内供给BTBAS气体，其后，在实质上停止了处理室201内的排气 及BTBAS气体的供给的状态下向处理室201内供给馬气体。
[OW] 如此，通过相对于供给化气体的工序增减供给BTBAS气体的工序的次数，由此能 够更加高精度地控制晶片200的面间、面内的SiO膜的膜厚、膜质的均匀性。
[0172] 关于晶片200的面间、面内的SiO膜的膜厚、膜质的均匀性的控制性，通过适当增 减BTBAS气体的供给量、适当增减扩散用N,气体的供给时间，也能提高该控制性。
[0173] <其他实施方式>
[0174] W上，具体说明了本发明的实施方式。但本发明不限于上述的实施方式，在不脱离 其要旨的范围可进行各种变更。
[0175] 例如，在上述的实施方式中，说明了从供给BTBAS气体的喷嘴249a供给扩散用N, 气体的例子。但是，本发明不限于该形式。也就是说，可W从与供给BTBAS气体的管线不同 的管线供给扩散用N,气体。此外，也可W从不是如喷嘴249a该样的延伸喷嘴、而是例如在 晶舟217的下端附近具有气体供给孔的短喷嘴进行扩散用馬气体的供给。由此，可W提高 将处理室201内的下方的BTBAS气体向上方推起的效果。
[0176] 此外，在上述的实施方式中，说明了供给BTBAS气体的喷嘴249a包括多个具有相 同的开口面积及开口间距的气体供给孔250a的例子。但是，本发明不限于该形式。也就是 说，各气体供给孔的开口面积、开口间距可W不相同。例如，供给BTBAS气体的喷嘴249a可 W形成为从喷嘴的上游侧向下游侧而气体供给孔的开口面积变大，也可W形成为从喷嘴的 上游侧向下游侧而开口间距变小。由此，增大从喷嘴249a的下游侧供给的BTBAS气体的供 给量，更加容易缓和处理室201内的浓度偏差。
[0177] 此外，在上述的实施方式中，说明了使用喷嘴249a该样的延伸喷嘴将BTBAS气体 向处理室201内供给的例子。但是，本发明不限于该形式。也就是说，BTBAS气体的供给也 可W使用短喷嘴。与可形成向处理室201内的上方引导BTBAS气体的引导路径的延伸喷嘴 不同，通过使用短喷嘴，虽然使BTBAS气体向处理室201内的上方遍布愈加变难，但根据图 5、图6所示的各成膜顺序，能够使BTBAS气体在处理室201内均匀遍布。
[017引此外，在上述的实施方式中，说明了通过扩散用N,气体的供给而使BTBAS气体向 处理室201内扩散的例子。但是，本发明不限于该形式。目P，可W不向处理室201内供给扩 散用N,气体。也就是说，在停止了向处理室201内的BTBAS气体的供给后，不进行向处理 室201内的扩散用馬气体的供给而停止处理室201内的排气规定时间，也可W使BTBAS气 体向处理室201内扩散。但，通过进行扩散用N,气体的供给，能够如上述该样促进BT