将4H-SiC P型外延片样品依次浸在丙酮、无水乙醇中各5min，再用去离子水冲洗，以去除外延片样品表面的油脂；
[0059]S12将Sll清洗后的4H-SiC P型外延片样品置于H2204: H2O2= I: K体积比)的溶液中浸泡15min，H2S04的浓度为98%，H202的浓度为27%，然后用去离子水冲洗；
[0060]S13将S12清洗后的4H-SiC P型外延片样品置于HF: H2O = I: 10(体积比)的溶液中浸泡Imin以漂去自然氧化层，HF酸的浓度为40%，并用去离子水冲洗；
[0061]S14将S13清洗后的4H-SiC P型外延片样品浸在NH4OH: H2O2: DIff =3:3: 10(体积比)的溶液中煮沸，NH40H的浓度为28%，H202的浓度为27%，再用去离子水冲洗；
[0062]S15将S14清洗后的4H_SiC P型外延片样品置于HF: H2O = I: 10 (体积比)的溶液中浸泡30s，HF酸的浓度为40%，并用去离子水冲洗；
[0063]S16将S15清洗后的4H-SiC P型外延片样品在HCl: H2O2: DIff = 3: 3: 10(体积比)的溶液中煮沸，HCl的浓度为10%，H2O2的浓度为27%，用去离子水冲洗；
[0064]S17将S16清洗后的4H_SiC P型外延片样品在HF: H20 = 1: 10 (体积比)的溶液中浸泡30s，并用去离子水冲洗，HF酸的浓度为40%，最后用队枪吹干。
[0065]S2将步骤SI清洗后的4H_SiC P型外延片样品进行离子注入，具体按照以下步骤实施:
[0066]S21将步骤S17清洗过的4H_SiC P型外延片样品放入高温离子注入室进行沟道As离子注入，将温度调为400°C，所述氮离子注入剂量和能量分别为:4.14X10nCm_2/30K，4.37 X 10ncm_2/55K，4.61 X 10ncm_2/80K，12.1 X 10ncm_2/125K ；
[0067]S22将步骤S21处理后的4H-SiC P型外延片样品放入体积比为1: 10的HF与水的混合溶液漂洗，去除表面的S1Jl，所述HF的浓度为40% ；
[0068]S23源漏高温离子注入，具体按照以下步骤实施:
[0069]S231将步骤S22处理后的4H_SiC P型外延片样品的外延片放入等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n，以下简称 PECVD)反应室，在300°C的条件下使其表面淀积厚度为60nm的3102层；
[0070]S232在淀积了 Si02层的4H_SiC P型外延片样品面涂光刻胶；之后用甩胶进行甩胶处理后，80°C下进行前烘，前烘时间为10?15min，之后利用源漏注入光刻版对前烘之后的外延片样品曝光后，在正性显影液中显影，溶液温度为20°C，显影时间为85s ;之后将显影之后的外延片在超纯水进行坚膜，水温度为20°C，坚膜时间为85s ;之后在等离子体去胶机中去掉曝光过的光刻胶，露出有效源漏区域；
[0071]S233在HF酸溶液当中将4H_SiC P型外延片样品未经光刻胶保护的S12层清洗掉，露出源漏高温离子注入区域；
[0072]S234将步骤S233处理后的4H_SiC P型外延片样品放入高温离子注入机中进行源漏N+离子注入，将温度调为400 °C，注入剂量与能量如下5 X 1014cm_2/30K，6.0X 1014cnT2/60K，8X 1014cnT2/120K，1.5 X 1015cm_2/190K，注入浓度为 I X 102°cnT3左右，深度为0.3μπι左右；
[0073]S235对步骤S234处理后的4H_SiC P型外延片样品在体积比为1: 10的HF与水的混合溶液漂洗，去除表面的Si02层，所述HF的浓度为40%。
[0074]S3:在步骤S2处理后的4H_SiC P型外延片样品的表面形成碳保护膜，具体按照以下步骤实施:
[0075]S31对步骤S235处理后的4H_SiC P型外延片样品表面涂光刻胶，并用甩胶进行甩胶处理后，放入烤箱中在90°C下前烘I分钟；
[0076]S32将步骤S31处理后的4H_SiC P型外延片样品放入高温退火炉中，碳面朝上；之后抽真空2小时，使高温退火炉压力达到4?5E-7Torr后，充Ar气，设置输出压为12psi ；之后打开风扇，首先将电源功率调至10%，然后按照5% /2min速度调到30%的电源功率，然后细调电源功率按照2% /2min的功率调至温度上升到600°C，在600°C下保持30分钟后，关掉升温电源功率调节旋钮，拿出带有碳膜的4H-SiC P型外延片样品.
[0077]S4:将步骤S3处理后的4H_SiC P型外延片样品进行去除表面碳膜处理，具体按照以下步骤实施:
[0078]S41将步骤S32处理后的4H_SiC P型外延片样品放入高温氧化炉中，带有碳面的一面朝下；之后抽真空，使高温氧化炉内压力达到4?5E-7T0rr后，充Ar气，设置输出压为12psi ;之后打开风扇，首先将电源功率调至60%，然后按照1% /1s速度调至温度上升到1600°C，在1600°C下保持30分钟，后关掉升温电源功率调节旋钮，拿出带有碳膜的经过高温离子注入退火之后的4H-SiC P型外延片样品；
[0079]S42:将步骤S41处理后的4H_SiC P型外延片样品放入反应离子刻蚀(Reactive1n Etching，以下简称RIE)腔体中充N2，打开RIE反应室门；之后将4H_SiC P型外延片样品放置在腔体正中，带有碳膜的一面朝上，用镊子压紧，关上反应室门然后拧紧阀门后开始通O2，流速47sCCm ;打开射频网络适配器，调节功率设置为18±3W，并开始计时90分钟去除SiC样品表面的碳膜；之后关掉射频网络适配器，关掉O2后。充N 2直到反应室腔门可以自动打开，取出样品进行RCA清洗。
[0080]B5:将步骤S4处理后的4H-SiC P型外延片样品牺牲氧化层的生长处理，具体按照以下步骤实施:
[0081]B51:将步骤S42处理后的4H_SiC P型外延片样品放入高温氧化炉中，在1200°C的纯干氧条件下氧化表面30min，使表面生成厚度为20nm的S12氧化膜；
[0082]B52将步骤B51处理后的4H-SiC P型外延片样品放入HF酸中，将表面的氧化层清洗掉。
[0083]S6:将步骤B5处理后的4H-SiC P型外延片样品进行S12栅介质层的生长，具体按照以下步骤实施:
[0084]S51将步骤B52中处理后的4H_SiC P型外延片样品放入高温氧化炉中，放入高温氧化炉中，在温度为750°C的N2环境中推入氧化炉恒温区中；之后按3°C /min速率对恒温区进行升温，当温度升至1180°C时通入氧气，氧气流量为0.51/min，在纯干氧条件下氧化外延片表面10小时，在外延片正面生成厚度为51nm的S12氧化膜后关掉02，打开Ar，通Ar气15分钟；
[0085]S52按照3°C /min速率对恒温区进行升温，当温度升到1175°C时，打开NO，流量577sccm，时间2小时；之后关掉NO气体，将高温氧化炉炉温降到900°C，完成4H_SiC P型外延片样品的NO退火处理，之后停止Ar气体的输入，取出样品。
[0086]S6:在步骤S5处理后的4H_SiC P型外延片样品表面形成源漏欧姆接触，具体按照以下步骤实施:
[0087]S61对步骤S52处理后的4H_SiC P型外延片样品表面涂剥离胶，并用甩胶进行甩胶处理；
[0088]S62在步骤S61处理后的4H_SiC P型外延片样品表面涂光刻胶，并用甩胶进行甩胶处理；之后将甩过胶的4H-SiC P型外延片样品在80°C下前烘10?15min后，利用源漏接触光刻版对前烘之后的外延片曝光；之后在正性显影液中显影，溶液温度为20°C，显影时间为85s ;之后将显影之后的外延片在超纯水进行坚膜，水温度为20°C，坚膜时间为85s ;之后在等离子体去胶机中去掉曝光过的光刻胶，露出有效源漏区域；之后将去过光刻胶的4H-SiC P型外延片样品在丙酮中浸泡5小时以及利用丙酮超声处理I分钟，然后再丙酮、酒精清洗各一次，去掉源漏欧姆接触区域的剥离胶，露出有效源漏接触区域；
[0089]S63将步骤S62处理后的4H_SiC P型外延片样品放入电子束蒸发室中，大面积蒸发三种金属Al/Ni/Au做源漏欧姆接触电极，其厚度分别为150nm、50nm和70nm ；
[0090]S64对步骤S63处理后的4H_SiC P型外延片样品进行剥离，形成源漏欧姆接触图形；
[0091]S65将步骤S64处理后的4H-SiC P型外延片样品置于退火炉中，在950°C下合金退火30分钟。
[0092]S7:将步骤S5处理后的4H_SiC P型外延片样品进行栅图形的形成，具体按照以下步骤实施:
[0093]S71对步骤S62处理后的4H_SiC P型外延片样品表面涂剥离胶，并用甩胶进行甩胶处理；
[0094]S72在步骤S71处理后的4H_SiC P型外延片样品表面涂光刻胶，并用甩胶进行甩胶处理后，然后对甩过胶的4H-SiC P型外延片样品在80°C下前烘10?15min ;之后利用栅光刻版对前烘之后的外延片曝光；在正性显影液中显影，溶液温度为20°C，显影时间为85s ;之后将显影之后的外延片在超纯水进行坚膜，水温度为20°C，坚膜时间为85s ;之后在等离子体去胶机中去掉曝光过的光刻胶，然后将去过光刻胶的外延片在丙酮中浸泡5小时以及利用丙酮超声I分钟，然后再丙酮、酒精清洗各一次，去掉栅金属区域的剥离胶，露出有效栅区域；
[0095]S73将步骤S72处理后4H_SiC P型外延片样品置于电子束蒸发室中，在去过胶的外延片正面大面积电子束蒸发Ni/Au金属做栅，蒸发其中Ni金属的厚度为20nm，Au金属的厚度为240nm ；
[0096]S74将步骤S73处理后的4H_SiC P型外延片样品利用剥离方法形成栅图形。