装置100A还包括辅助电极160A和分隔物180A，如图la中所描述的。
[0041] 具体地，第一薄膜晶体管130A形成于第一子像素区A中，第二薄膜晶体管130A'形 成于第二子像素区B中。第一薄膜晶体管130A包括形成在缓冲层111A上的有源层131A， 形成在栅极绝缘层113A上的栅极132A，和形成在层间绝缘层112A上的源极133A和漏极 134A，且第二薄膜晶体管130A'也包括有源层、栅极和源极及漏极，与第一薄膜晶体管130A 相似。在图la中，仅示出了用于有机发光显示装置100A的驱动薄膜晶体管。但是，应当理 解，提供相似和/或额外功能的附加TFT可用在独立的子像素区中的任一个或多个中。而 且，虽然本发明附图中描述的TFT具有共面结构，但是TFT的类型不限于此。本发明的有机 发光显示装置可采用具有反向交错类型TFT的TFT。
[0042] 平坦化层114A形成在第一薄膜晶体管130A和第二薄膜晶体管130A'上。平坦化 层114A是平坦化第一薄膜晶体管130A和第二薄膜晶体管130A'的上侧的层，且具有暴露 出第一薄膜晶体管130A和第二薄膜晶体管130A'的各自源极的接触孔。由于图la示出了 其中薄膜晶体管是n型的情况，因此平坦化层114A具有暴露出第一薄膜晶体管130A和第 二薄膜晶体管130A'的各自源极的接触孔。
[0043] 第一有机发光元件150A和第二有机发光元件150A'分别形成在第一子像素区A 和第二子像素区B中的平坦化层114A上。阳极151A和有机发光层152A设置在第一子像 素区A中。尽管未用数字标示，但是第二有机发光元件150A'的阳极（即第二阳极）和有 机发光层（即第二有机发光层）也类似地设置在第二子像素区B中。如图la中所示，阴极 153A设置在第一子像素区A、第二子像素区B和中间区C上。因此，第一有机发光元件150A 包括设置在第一子像素区A中的阳极和有机发光层以及阴极153A。相似地，第二有机发光 元件150A'包括设置在第二子像素区B中的阳极和有机发光层以及阴极153A。
[0044] 阳极151A可被形成为导电层的叠层。例如，阳极151A包括电连接到第一TFT130A 的源极133A的反射层155A(即，第一导电层）。反射层155A是能够反射光的导电层。阳 极151A还包括形成在反射层155A上的透明导电层154A(即第二导电层）。透明导电层 154A由具有高功函数的导电材料制成，用于向有机发光层152A提供空穴。例如，透明导电 层154A可由透明导电氧化物（TCO)包括（但不限于）氧化铟锡（ITO)、氧化铟锌（IZO)、氧 化铟锡锌（ITZO)、氧化锌、氧化锡和其组合物制成。
[0045] 而且，阴极153A包括金属层156A和透明导电层157A。金属层156A由具有低功函 数的导电材料制成，用于向有机发光层152A提供电子。用于形成金属层156A的材料可包 括（但不限于）银（Ag)、钛（Ti)、铝（A1)、钼（Mo)或银（Ag)和镁（Mg)的合金。即使形成 金属层156A的材料是不透光的且具有一定程度的光反射特性，但是如果以足够薄的厚度 例如200A或以下形成，光可穿过金属层156A。如此，阴极153A可被形成为具有几百人:或 更小的厚度，例如200A或以下。
[0046] 透明导电层157A(S卩第一导电元件）形成在金属层156A(S卩第二导电元件）上且 由具有高台阶覆盖率的材料制成。尽管图la中未标示，但是在子像素区B中的第二有机发 光元件150A'的金属层是第三导电元件的例子。透明导电层157A可由氧化物金属材料包 括（但不限于）氧化铟锡（IT0)、氧化铟锌（IZ0)、氧化铟锡锌（ITZ0)、氧化锌、氧化锡和其 组合物形成。为了具有足够的导电性，透明导电层157A可被形成为具有约l〇〇A或以上的 厚度。
[0047] 在一些实施方式中，阴极153A可由碳纳米管（CNT)和/或石墨烯基复合材料形 成，其能够提供卓越的导电性和透光性。这种碳基复合材料可包括金属材料以为阴极153A 提供低功函数特性。
[0048] 第二有机发光元件150A'形成在形成于第二子像素区B中的平坦化层114A上。第 二有机发光元件150A'的结构与第一有机发光元件150A的结构相同。
[0049] 分隔物180A形成在第一有机发光元件150A和第二有机发光元件150A'之间（更 具体地，在第一有机发光元件150A的第一阳极和第二有机发光元件150A'的第二阳极之 间）的中间区C中的平坦化层114A上。分隔物180A将第一子像素区A的有机发光层152A 与第二子像素区B的有机发光层绝缘。
[0050] 分隔物180A对于白光有机发光型显示装置尤其有用。与需要精细金属掩膜（FMM) 以图案化每个子像素区中的有机发光层的RGB有机发光型显示装置不同，用于白光有机发 光型显示装置的有机发光层可设置在显示装置的较大区域的上方，而不需使用FMM。但是， 当用于白光有机发光型显示装置的有机发光层152A沉积在辅助电极160A上方时，由于有 机发光层152A插入到阴极153A和辅助电极160A之间，阴极153A可能不会接触辅助电极 160A〇
[0051] 因此，分隔物180A具有能够隔离第一和第二子像素区A和B的有机发光层152A 的形状，以暴露辅助电极160A的至少一些部分。例如，分隔物180A可具有如图la和lb中 所示的倒锥形。参照图lb，分隔物180A的截面宽度大于分隔物180A的远离平坦化层114A 的部分，使得分隔物180A在其上部较宽且在其与上部相对的下部较窄。也就是，分隔物包 括第一端（即上部）和与第一端相对的第二端（即下部）。辅助电极160A的暴露部分允许 阴极153A和辅助电极160A之间的电连接。
[0052] 在图la和lb中所示的例子中，分隔物180A的下部表面与平坦化层114A的上表 面直接接触。分隔物180A和平坦化层114A由具有相似特性的材料制成以促进彼此之间更 强的粘合。例如，分隔物180A和平坦化层114A可包括相同的有机材料。在本说明书中，彼 此相似的两种材料的特性是指两种材料具有相似的耦合特性。
[0053] 辅助电极160A形成在形成于中间区C中的平坦化层114A上。辅助电极160A由 导电材料形成，其可补偿由阴极153A的高电阻率导致的电压降。
[0054] 在一些实施方式中，辅助电极160A可由与阳极151A相同的材料和/结构形成。如 上所述，阳极151A可被形成为导电层的叠层，包括透明导电层154A和反射层155A。与此相 似，辅助电极160A也可被形成为导电层的叠层，包括透明导电层161A和反射层162A。为 了更简单且更快地制造有机发光显示装置100A，辅助电极160A的透明导电层161A和阳极 151A的透明导电层154A可由相同材料形成且在制造工艺的相同阶段中形成。与此相似，辅 助电极160A的反射层162A和阳极151A的反射层155A可由相同材料形成且在制造工艺的 相同阶段中形成。辅助电极160A和阳极151A的各层可被形成为具有相同厚度。
[0055] 在图la和lb中描述的实施方式中，辅助电极160A形成在分隔物180A上方使得 辅助电极160A覆盖分隔物180A的侧表面以及上表面（即顶表面）。辅助电极160A包括形 成在平坦化层114A的上表面上的第一部分163A、形成在分隔物180A的侧表面上的第二部 分164A和形成在分隔物180A的上表面上的第三部分165A，如图lb中的虚线示出的。辅助 电极160A的第一部分163A包括透明导电层161A和反射层162A，辅助电极160A的第二部 分164A仅包括透明导电层161A，辅助电极160A的第三部分165A包括透明导电层161A和 反射层162A。
[0056] 当形成辅助电极160A时，反射层162A和透明导电层161A沉积在第一子像素区A、 第二子像素区B和中间区C上。通常，用于反射层162A的金属材料具有低台阶覆盖率，而 用于透明导电层161A的透明导电氧化物基材料具有高台阶覆盖率。如此，反射层162A的 低台阶覆盖率和分隔物180A的形状使得难以将辅助电极160A的反射层162A沉积在分隔 物180A的较宽上部（S卩，顶部）下方的部分平坦化层114A上以及分隔物180A的侧表面上。 与此相对照，透明导电层161A的较高台阶覆盖率允许将其形成在与分隔物180A的较宽上 部交叠（即，将其覆盖）的平坦化层114A上以及分隔物180A的侧表面上。
[0057] 辅助电极160A在基板110A上的一个方向上延伸，辅助电极160A的端部电连接至 形成在非像素区中的焊盘部分以便自外部接收预定电压。预定电压例如可以是地GND电 压。
[0058] 需要考虑各种因素以确定在显示装置中的辅助电极160A的尺寸（例如长度、宽度 和厚度）和布局。特别是，阴极153A的表面电阻值是确定辅助电极160A的尺寸和布局的 重要因素。可根据形成阴极153A的材料的电特性以及显示装置中采用的阴极153A的尺寸 计算阴极153A的表面电阻值。基于阴极153A的表面电阻，能够确定足以降低电压降的辅 助电极160A的尺寸和辅助电极160A的沉积间隔。
[0059] 堤部115A形成在平坦化层114A上。堤部115A设置在相邻子像素区A和B之间以 将相邻子像素区分开，且设置在子像素区和中间区C之间，以将子像素区和中间区C分开。
[0060] 堤部115A形成在辅助电极160A的两侧以及阳极151A的两侧。如图lb中所示，堤 部115A包括覆盖辅助电极160A的一侧和第一子像素区A的阳极151A的一侧的第一堤部 116A，以及覆盖辅助电极160A的另一侧和第二子像素区B的阳极的一侧的第二堤部117A。 第一堤部116A包括与形成在分隔物180A的上侧以及侧面的辅助电极160A交叠的第一区 116A'，以及不与形成在分隔物180A的上侧和侧面的辅助电极160A交叠的第二区116A"。 第二堤部117A包括与形成在分隔物180A的上侧和侧面的辅助电极160A交叠的第一区 117A'，以及不与形成在分隔物180A的上侧和侧面的辅助电极160A交叠的第二区117A"。
[0061] 有机发光层152A和182A形成在第一子像素区A，第二子像素区B和中间区C上。 通过将有机发光材料沉积在