膜晶体管的结构示意图，所述薄膜晶体管包括:包括衬底基板11以及设置于衬底基板11上的栅电极12、栅绝缘层13、氧化物有源层14、刻蚀阻挡层151、绝缘材料层153、源电极161和漏电极162，所述刻蚀阻挡层151采用能够吸附氢原子的导电材料形成，所述绝缘材料层153与所述刻蚀阻挡层151同层设置，且位于源电极161和漏电极162之间的间隙区域。
[0152]本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、氧化物有源层、刻蚀阻挡层、像素电极和源漏电极，所述刻蚀阻挡层采用能够吸附氢原子的导电材料形成。
[0153]优选地，所述刻蚀阻挡层采用的材料为透明导电材料，所述像素电极与所述刻蚀阻挡层同层同材料设置。
[0154]优选地，所述刻蚀阻挡层采用的材料为石墨烯。
[0155]优选地，为保护源漏电极之间的沟道区域，所述薄膜晶体管阵列基板还包括:与所述刻蚀阻挡层同层设置，且位于所述源漏电极之间的间隙区域的石墨烷层。
[0156]请参考图4，图4为本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，所述薄膜晶体管阵列基板包括:包括衬底基板11以及设置于衬底基板11上的栅电极12、栅绝缘层13、氧化物有源层14、刻蚀阻挡层151、绝缘材料层152、像素电极153、源电极161、漏电极162和钝化层17，所述刻蚀阻挡层151采用能够吸附氢原子的透明导电材料形成，所述绝缘材料层152与所述刻蚀阻挡层151同层设置，且位于源电极161和漏电极162之间的间隙区域。像素电极153与所述刻蚀阻挡层151同层同材料设置。
[0157]请参考图5，图5为本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，所述薄膜晶体管阵列基板包括:包括衬底基板11以及设置于衬底基板11上的栅电极12、栅绝缘层13、氧化物有源层14、刻蚀阻挡层151、绝缘材料层152、源电极161、漏电极162、钝化层17和像素电极18，所述刻蚀阻挡层151采用能够吸附氢原子的导电材料形成，所述绝缘材料层152与所述刻蚀阻挡层151同层设置，且位于源电极161和漏电极162之间的间隙区域。
[0158]本发明还提供一种显示面板，包括上述薄膜晶体管阵列基板。
[0159]本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
[0160]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括: 形成氧化物有源层； 形成刻蚀阻挡层和源漏电极，所述刻蚀阻挡层采用能够吸附氢原子的导电材料形成。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层和源漏电极。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层和源漏电极的步骤包括: 形成刻蚀阻挡材料薄膜和源漏金属薄膜； 在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶； 采用半色调或者灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应源漏电极图形区域，所述光刻胶半保留区域对应源漏电极之间的间隙区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域； 采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜和刻蚀阻挡材料薄膜； 采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶； 采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜； 将所述光刻胶半保留区域的刻蚀阻挡材料薄膜转换为绝缘材料层； 剥离剩余的光刻胶，形成刻蚀阻挡层和源漏电极的图形。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡材料为石墨烯，所述绝缘材料为石墨烷。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述将所述光刻胶半保留区域的刻蚀阻挡材料薄膜转换为绝缘材料层的步骤具体为: 对所述光刻胶半保留区域的石墨烯薄膜进行可逆加氢处理，将所述光刻胶半保留区域的石墨烯转换为石墨烷。6.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括: 形成氧化物有源层； 形成刻蚀阻挡层、像素电极和源漏电极，所述刻蚀阻挡层采用能够吸附氢原子的导电材料形成。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层、像素电极和源漏电极，所述刻蚀阻挡层采用透明导电材料形成。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层、像素电极和源漏电极的步骤包括: 形成刻蚀阻挡材料薄膜和源漏金属薄膜； 在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶； 采用半色调或者灰色调对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应源漏电极图形区域，所述光刻胶半保留区域对应源漏电极之前的间隙区域和像素电极图形区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域； 采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜和刻蚀阻挡材料薄膜； 采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶； 采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜； 将所述源漏电极之间的间隙区域的透明导电材料层转换为绝缘材料层； 剥离剩余的光刻胶，形成刻蚀阻挡层、源漏电极和像素电极的图形。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡材料为石墨烯，所述绝缘材料为石墨烷。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述将所述光刻胶半保留区域的刻蚀阻挡材料薄膜转换为绝缘材料层的步骤具体为: 对所述光刻胶半保留区域的石墨烯薄膜进行可逆加氢处理，将所述光刻胶半保留区域的石墨烯转换为石墨烷。11.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、氧化物有源层、刻蚀阻挡层和源漏电极，所述刻蚀阻挡层采用能够吸附氢原子的导电材料形成。12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层采用的材料为石墨烯。13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括: 与所述刻蚀阻挡层同层设置，且位于所述源漏电极之间的间隙区域的石墨烷层。14.一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、氧化物有源层、刻蚀阻挡层、像素电极和源漏电极，其特征在于，所述刻蚀阻挡层采用能够吸附氢原子的导电材料形成。15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层采用的材料为透明导电材料，所述像素电极与所述刻蚀阻挡层同层同材料设置。16.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层采用的材料为石墨稀。17.根据权利要求16所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括: 与所述刻蚀阻挡层同层设置，且位于所述源漏电极之间的间隙区域的石墨烷层。18.—种显示面板，其特征在于，包括如权利要求14-17任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。19.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求18所述的显示面板。
【专利摘要】本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法、显示面板和显示装置，该薄膜晶体管的制备方法包括：形成氧化物有源层；形成刻蚀阻挡层和源漏电极，所述刻蚀阻挡层采用能够吸附氢原子的导电材料形成。本发明中，采用能够吸附氢原子的导电材料形成刻蚀阻挡层，即使使用化学沉积方法沉积刻蚀阻挡层，沉积过程中引入的氢原子也会被刻蚀阻挡层吸附，避免引入的氢原子与氧化物半导体中的氧原子结合，从而提高氧化物薄膜晶体管的稳定性和信赖性。
【IPC分类】H01L27/12, H01L21/34, H01L29/786
【公开号】CN104900533
【申请号】CN201510171034
【发明人】王珂, 王久石, 吕志军
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年4月13日