电压等，一般工作电压较高，需要相邻栅极之间的介质层具有较高的致密度，以避免施加在施加较高电压时，相邻栅极之间发生击穿等问题，所以，本实施例中，在所述第二区域II上形成不具有空气隙的第二介质层，以满足外围电路晶体管对介质层的要求。
[0057]本实施例中，在第一凹槽110和第二凹槽210内形成具有空气隙的第一介质层300之后，采用湿法刻蚀工艺，去除第二区域II上的第二凹槽210内的第一介质层300。在去除所述第二区域II上的第一介质层时，在所述第一区域I上形成掩膜层，以保护所述第一区域I上的第一介质层300不受损伤。所述掩膜层可以是光刻胶等掩膜材料。所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液可以是氢氟酸溶液。在后续在第二区域II上形成第二介质层时，所述第一区域I上的掩膜层还可以保护所述第一区域I上的第一介质层300及第一栅极结构。
[0058]去除第二区域II上的第二凹槽210内的第一介质层300后，对所述第二凹槽210的侧壁表面进行亲水处理，在所述第二凹槽210的侧壁表面形成亲水性基团或化学键，使所述第二凹槽210具有亲水性侧壁。
[0059]采用湿法处理进行所述亲水处理，所述亲水处理采用的溶液可以是具有氧化作用的溶液。本实施例中，所述亲水处理采用的溶液为NH4OH和H2O2的混合水溶液，其中，NH4OH和H2O2的浓度比为1:0.5?1:2。在本发明的其他实施例中，所述亲水处理采用的溶液还可以是HCl和H2O2的混合水溶液，其中，HCl和H2O2的浓度比为1:0.5?1:2。所述亲水处理的溶液具有一定的氧化性，可以在第二凹槽210的侧壁和底部表面进行氧化，在所述第二凹槽210的内壁表面形成自然氧化层，由于化学极性的作用，使得第二凹槽210内壁表面形成S1-OH键，由于羟基(-0H)为亲水基团，易于吸附水分子，形成氢键，从而使得所述第二凹槽210的内壁表面具有亲水性。
[0060]并且，所述亲水性处理的溶液中，氧化剂的浓度不能过高，例如本实施例中H2O2的浓度，避免将第二凹槽210的内壁表面形成较厚的氧化层而影响形成的晶体管的性能。
[0061]请参考图4，采用流动性化学气相沉积工艺在所述第二凹槽210 (请参考图3)内形成第二介质层400，所述第二介质层400内没有空气隙。
[0062]所述流动性化学气相沉积工艺的反应物包括硅烷、二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、三甲硅烷基胺、二甲硅烷基胺中的一种。所述反应物为具有一定流动性和较高粘度的材料，可以通过旋涂等工艺是所述反应物填充所述第第二凹槽210。
[0063]所述流动性化学气相沉积工艺还包括:使所述反应物在02、03、Ν0、Η20蒸气、N2、He、Ar中的一种或多种气体下进行退火处理并且所述气体中至少具有一种含有O的气体，所述退火处理的温度为200°C?1200°C。最终使所述反应物在退火过程中形成氧化硅，作为第二介质层400。在本发明的其他实施例中，所述流动性化学气相沉积工艺也可以采用其他亲水性的反应物，形成其他介质材料作为第二介质层400的材料。
[0064]由于所述流动性化学气相沉积工艺的反应物为亲水性物质，而所述第二凹槽210在亲水处理之后具有亲水性内壁，所以在表面张力作用下，所述亲水性的反应物与第二凹槽210的亲水性内壁之间的接触面完全贴合，不会存在微小的气泡，具有较高的界面质量。在填充好所述反应物之后进行退火处理的过程中，虽然反应物与退火气体反应会产生一定的气体副产物，并且在所述反应物中形成一定数量的气泡，但是由于所述气体副产物所产生的气体泡数量较少，与形成第一介质层300相比，反应物中的气泡数量明显下降，所以当所述反应物固化形成第二介质层400之前，反应物中的气泡可以完全从反应物中逸出，使得最终形成的第二介质层400内不存在空气隙。
[0065]在本发明的其他实施例中，也可以仅在第一凹槽110内壁表面进行疏水处理之后，在第一凹槽I1内形成第一介质层300，同时在第二凹槽210内形成第二介质层400。
[0066]在本发明的其他实施例中，还提供另一种在第一凹槽内形成第一介质层、在第二凹槽内形成第二介质层的方法。
[0067]请参考图5，在所述第一凹槽110和第二凹槽210内壁表面形成疏水层500。
[0068]采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述疏水层500，本实施例中，所述疏水层500的材料为硅。本实施例中，采用化学气相沉积工艺形成所述疏水层500，具体的，所述化学气相沉积工艺采用的硅源气体为SiH4或SiH2Cl2等含硅化合物，采用H2作为载气，反应温度为600°C?1100°C，压强为I托?500托，其中硅源气体的流量为Isccm?100sccm, H2的流量是0.1slm?50slm。沉积工艺形成的疏水层500表面具有氢键，化学性能较为稳定，不能吸附水分子，所以所述疏水层500表面具有疏水性，使得第一凹槽110和第二凹槽210具有疏水性内壁。
[0069]所述疏水层500的厚度为Inm?2nm,所述疏水层500材料的介电系数较高,但是由于所述疏水层500的厚度较低，所以对后续形成的第一凹槽110内形成的第一介质层、第二凹槽210内形成的第二介质层的介电系数基本没有影响。
[0070]请参考图6，对所述第二凹槽210内壁表面进行亲水处理，使所述第二区域II上的疏水层500 (请参考图5)变为亲水层500a。
[0071]对所述第二区域II上的第二凹槽210内壁的疏水层500进行亲水处理之前，在所述第一区域I上形成保护层，所述保护层可以保护所述第一区域I上的疏水层500不受亲水处理的影响，所述保护层的材料可以是光刻胶等合适的材料。
[0072]所述亲水处理可以采用与前一实施例相同的方法，采用具有氧化作用的溶液清洗所述第二凹槽210，使所述第二区域II上的疏水层500变为亲水层500a，所述具有氧化作用的溶液可以是NH4OH和H2O2的混合水溶液或者是HCl和H2O2的混合水溶液。所述亲水处理可以使疏水层500表面形成自然氧化层，从而使疏水层500a表面形成S1-OH键，由于轻基(-0H)为亲水基团，易于吸附水分子，形成氢键，从而使得所述第二凹槽210的内壁表面的疏水层500成为未水层500a。
[0073]请参考图7，采用可流动性化学气相沉积工艺在所述第一凹槽110(请参考图6)内形成具有空气隙301的第一介质层300，在第二凹槽210 (请参考图6)内形成不具有空气隙的第二介质层400。
[0074]所述可流动性化学气相沉积工艺的反应物包括硅烷、二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、三甲硅烷基胺、二甲硅烷基胺中的一种。所述反应物为具有一定流动性和较高粘度的材料，可以通过旋涂等工艺是所述反应物填充满所述第一凹槽110、第二凹槽210。
[0075]所述流动性化学气相沉积工艺还包括:使所述反应物在02、03、Ν0、Η20蒸气、N2、He、Ar中的一种或多种气体下进行退火处理并且所述气体中至少具有一种含有O的气体，所述退火处理的温度为200°C?1200°C。最终使所述反应物在退火过程中固化形成氧化硅，在第一区域I上的第一凹槽110内形成第一介质层300、在第二凹槽210内形成第二介质层400。所述反应物为亲水性物质，由于所述第一凹槽110的内壁表面具有疏水层500，所以在所述第一凹槽110内形成的第一介质层300内会形成有空气隙301 ;而所述第二凹槽210内壁表面具有亲水层500a，所以在所述第二凹槽210内形成的第二介质层400内不会形成空气隙301。
[0076]在本发明的其他实施例中，也可以仅在第一区域I上的第一凹槽110的内壁表面形成疏水层500，使所述第一凹槽110具有疏水性内壁，而对第二凹槽110的内壁表面部进行处理，或者直接对第二凹槽210内壁表面进行亲水性处理，然后再在所述第一凹槽110内形成具有空气隙301的第一介质层300，在第二凹槽210内形成第二介质层400。在本发明的其他实施例中，所述第一