显示基板及其制作方法以及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板、一种显示装置和一种显示基板制作方法。
【背景技术】
[0002]在平板显示技术中，OLED (有机发光二极管)显示具有轻薄，低功耗，高对比度，高色域，可以实现柔性显示等优点，是下一代显示器的发展趋势。OLED显示包括PMOLED(被动式有机电激发光二极管)和AMOLED (有源矩阵有机发光二极管)两种方式，其中，AMOLED显示方式可以通过LTPS (低温多晶硅)背板+FMM Mask (精细金属掩膜)的结构实现，适用于大尺寸面板，对应Monitor (显示屏)和电视等应用。
[0003]现在LTPS背板+FMM Mask的方式已经初步成熟，实现了量产。如图1所示，其中的隔垫物(PS)和像素界定层(roL) —般采用相同的材料制成，但是却通过两道掩膜工艺分别制成，存在工艺较为复杂的缺点。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是，如何简化制作像素界定层和隔垫物层的工艺。
[0005]为此目的，本发明提出了一种显示基板，包括:
[0006]多个像素，设置于下基板之上；
[0007]像素界定层，设置于所述多个像素的相邻像素之间，与所述多个像素的上基板相接触，用于界定每个像素，还用于支撑所述上基板和所述下基板之间的间隙。
[0008]优选地，所述像素界定层的材料为聚酰亚胺树脂。
[0009]优选地，每个像素包括:
[0010]设置在所述下基板之上的缓冲层；
[0011]设置在所述缓冲层之上的有源层；
[0012]设置在所述有源层上的栅绝缘层；
[0013]设置在所述栅绝缘层之上的栅线；
[0014]设置在所述栅线之上的间隔层；
[0015]设置在所述间隔层之上的源漏层；
[0016]设置在所述源漏层之上的平坦层；
[0017]设置在所述平坦层之上的第一电极。
[0018]优选地，在所述栅绝缘层中设置有第一过孔，在所述间隔层中设置有第二过孔，所述源漏层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层电连接；
[0019]在所述平坦层中设置有第三过孔，所述第一电极通过所述第三过孔与所述源漏层中的漏极电连接。
[0020]优选地，所述源漏层包括第一钛金属层、铝金属层和第二钛金属层，所述铝金属层设置在所述第一钛金属层和第二钛金属层之间。
[0021]优选地，还包括:
[0022]粘结剂，设置在所述上基板与所述间隔层之间，用于粘接所述上基板和所述间隔层O
[0023]优选地，在所述粘结剂的内侧和/或外侧还设置有隔离层。
[0024]本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示基板。
[0025]本发明还提出了一种显示基板制作方法，包括:
[0026]在下基板之上形成多个像素；
[0027]在所述多个像素的相邻像素之间，形成与所述多个像素的上基板相接触的像素界定层，用于界定每个像素，以及支撑所述上基板和所述下基板之间的间隙。
[0028]优选地，所述像素界定层的材料为聚酰亚胺树脂。
[0029]优选地，所述在下基板之上形成多个像素包括:
[0030]在所述下基板之上形成缓冲层；
[0031 ] 在所述缓冲层之上形成有源层；
[0032]在所述有源层之上形成栅绝缘层；
[0033]在所述栅绝缘层之上形成栅线；
[0034]在所述栅线之上形成间隔层；
[0035]在所述间隔层之上形成源漏层；
[0036]在所述源漏层之上形成平坦层；
[0037]在所述平坦层之上形成第一电极。
[0038]优选地，所述在下基板之上形成多个像素包括:
[0039]在所述栅绝缘层中形成第一过孔，在所述间隔层中形成第二过孔，以使所述源漏层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层电连接；
[0040]在所述平坦层中形成第三过孔，以使所述第一电极通过所述第三过孔与所述源漏层中的漏极电连接。
[0041]优选地，所述在所述间隔层之上形成源漏层包括:
[0042]在所述间隔层之上形成第一钛金属层；
[0043]在所述第一钛金属层之上形成铝金属层；
[0044]在所述铝金属层之上形成第二钛金属层。
[0045]优选地，还包括:
[0046]在所述上基板与所述间隔层之间形成粘结剂，用于粘接所述上基板和所述间隔层O
[0047]优选地，还包括:
[0048]在所述粘结剂的内侧和/或外侧形成隔离层。
[0049]通过上述技术方案，由于像素界定层既可以界定每个像素，还可以支撑上基板和下基板之间的间隙，相当于同时起到了现有技术中像素界定层和隔垫物的作用，节省了一道制作隔垫物的工艺，简化了制作流程，并且像素界定层比现有技术中隔垫物的横截面积大，可以更好地支撑上基板和下基板之间的间隙。
【附图说明】
[0050]通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中:
[0051]图1示出了现有技术中显示基板的结构示意图；
[0052]图2示出了图1所示的显示基板的俯视图；
[0053]图3示出了根据本发明一个实施例的显示基板的结构示意图；
[0054]图4不出了图3所不的显不基板的俯视图；
[0055]图5示出了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
[0056]图6示出了根据本发明一个实施例的像素驱动电路的等效电路图；
[0057]图7示出了根据本发明一个实施例的显示基板制作方法的示意流程图；
[0058]图8至图14示出了根据本发明一个实施例的形成显示基板的具体示意流程图。
[0059]附图标号说明:
[0060]1-下基板；2_像素界定层；3_上基板；4_缓冲层；5_栅绝缘层；6_栅线；7_间隔层；8-源漏层；9_平坦层；10-第一电极；11-粘结剂；12_隔离层；像素-20。
【具体实施方式】
[0061]为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0062]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0063]如图3所示，根据本发明一个实施例的显示基板包括:
[0064]多个像素20，设置于下基板I之上；
[0065]像素界定层2，设置于多个像素20的相邻像素之间，与多个像素20的上基板3相接触，用于界定每个像素20，还用于支撑上基板3和下基板I之间的间隙。
[0066]由于像素界定层2既可以界定每个像素20，还可以支撑上基板3和下基板2之间的间隙，相当于同时起到了现有技术中像素界定层和隔垫物的作用，节省了一道制作隔垫物的工艺，简化了制作流程，并且如图4所示，本实施例中的像素界定层2比现有技术中隔垫物的横截面积大，可以更好地支撑上基板3和下基板2之间的间隙。
[0067]其中，像素界定层2的厚度可以设置为与现有技术中的像素界定层和隔垫物的高度之和相等，当然可以根据实际需要进行具体调整。上基板3和下基板2可以采用VAS真空对合。
[0068]优选地，像素界定层2的材料为聚酰亚胺树脂。
[0069]聚酰亚胺(polyimide，简称PI)具有优良的机械性能，具有很强的抗压和抗张能力，可以起到支撑上基板3和下基板2之间间隙的作用，并且具有阻隔光线的作用，可以起到界定像素20的作用。
[0070]优选地，每个像素20包括:
[0071]设置在下基板I之上的缓冲层4，具体可以包括3000A厚度的Si02和2000A厚度的 SiNx ；
[0072]设置在缓冲层4之上的有源层(图中未示出)，具体可以采用非晶硅，厚度为400 ?600A ；
[0073]设置在有源层上的栅绝缘层5，栅绝缘层5具体可以包括800A厚度的Si02和400A厚度的SiNx ；
[0074]设置在栅绝缘层5之上的栅线6，栅线6和与之相连的栅极采用的材料为2000?3000A厚度的Mo ；
[0075]设置在栅线6之上的间隔层7，间隔层7具体可以包括3000A厚度的Si02和2000A厚度的SiNx ；
[0076]设置在间隔层7之上的源漏层8 ；
[0077]设置在源漏层8之上的平坦层9 ；
[0078]设置在平坦层9之上的第一电极10，其中，第一电极可以是金属阳极，第一电极的结构可以为 IT0/Ag/IT0(70A/1000A/70A)。
[0079]优选地，在栅绝缘层5中设置有第一过孔，在间隔层7中设置有第二过孔，源漏层8通过第一过孔和第二过孔与有源层电连接；
[0080]在平坦层9中设置有第三过孔，第一电极10通过第三过孔与源漏