61]S305、以第二刻蚀阻挡模块为掩膜，通过一次干法刻蚀工艺刻蚀掉对应于待形成沟道区域的欧姆接触层薄膜，以及刻蚀掉除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的有源层薄膜，在欧姆接触层薄膜形成欧姆接触层的图形，以及在有源层薄膜形成有源层的图形。
[0062]具体地，首先通过一次干法刻蚀工艺对除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的欧姆接触层薄膜进行刻蚀，然后去除掉第一刻蚀阻挡模块，最后通过一次干法刻蚀工艺对对应于待形成沟道区域的欧姆接触层薄膜和除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的有源层薄膜进行刻蚀，同时形成包括有源层和欧姆接触层的图形。上述步骤中主要优点在于缩短了整体时间、节约了原料，较之传统工艺减少了工艺间隔时间，提尚了良率。
[0063]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，步骤S304去除掉第一刻蚀阻挡模块，具体可以采用如下方式实现:
[0064]对第一刻蚀阻挡模块进行灰化处理；此时，针对第一刻蚀阻挡模块的材料为光刻胶时，进行灰化处理。
[0065]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，执行步骤S305在欧姆接触层薄膜形成欧姆接触层的图形，以及在有源层薄膜形成有源层的图形之后，还可以包括:
[0066]S306、对第二刻蚀阻挡模块进行剥离。此时，针对第二刻蚀阻挡模块的材料为光刻胶时，进行剥离。将第二刻蚀阻挡模块进行剥离后，可以得到完整的无残留的源极和漏极的图形。
[0067]下面以一个具体的实例详细的说明本发明实施例提供的薄膜晶体管的制作方法，制作薄膜晶体管的具体步骤如下:
[0068]步骤一、在衬底基板上依次形成栅极的图形、栅极绝缘层薄膜、有源层薄膜、以及欧姆接触层薄膜；
[0069]在具体实施时，如图4a所示，首先在衬底基板I上采用溅射或热蒸发的方法沉积一层栅金属膜，栅金属膜可以选用Cr、Cu、T1、Ta、Mo等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要，通过一次光刻工艺后，形成栅极2的图形；然后通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)方法连续沉积一定厚度的栅绝缘层薄膜3，栅绝缘层薄膜3可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物；接着在栅绝缘层薄膜3上通过溅射或热蒸发的方法沉积一定厚度的有源层薄膜4，该有源层薄膜4可以为金属氧化物半导体层，金属氧化物半导体层可以采用非晶硅、多晶硅、微晶硅或其他氧化物半导体层材料；之后在有源层薄膜4上通过溅射或热蒸发的方法沉积一定厚度的欧姆接触层薄膜5，该欧姆接触层薄膜5可以为η+型a-S1:Η 薄膜；
[0070]步骤二、在欧姆接触层薄膜上位于待形成的沟道区域内形成第一刻蚀阻挡模块；
[0071]在具体实施时，如图4b所示，在完成步骤一的衬底基板I上通过PECVD方法沉积一定厚度的第一光刻胶层薄膜(PR)，经过一次曝光显影后，得到光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；光刻胶完全保留区域对应于沟道区域，光刻胶完全去除区域对应于除沟道区域以外的其他区域；此时，第一光刻胶层薄膜的光刻胶完全保留区域的光刻胶可以作为第一刻蚀阻挡模块61 ;
[0072]步骤三、在形成第一刻蚀阻挡模块的衬底基板上形成源漏极金属层薄膜；
[0073]在具体实施时，如图4c所示，在完成步骤二的衬底基板I上采用溅射或热蒸发的方法，镀上一定厚度的金属膜层为源漏极金属层薄膜7 ;
[0074]步骤四、在源漏极金属层薄膜上对应待形成源极和漏极图形的区域形成第二刻蚀阻挡模块；
[0075]在具体实施时，如图4d所示，在完成步骤三的衬底基板I上通过PECVD方法沉积一定厚度的第二光刻胶层薄膜(PR)，经过一次曝光显影后，得到光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；光刻胶完全保留区域对应于待形成源极和漏极图形的区域，光刻胶完全去除区域对应于除待形成源极和漏极图形的区域以外的其他区域；此时第二光刻胶层薄膜的光刻胶完全保留区域的光刻胶可以作为第二刻蚀阻挡模块62 ;
[0076]步骤五、以第二刻蚀阻挡模块为掩膜，利用第一刻蚀阻挡模块遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，对源漏极金属层进行一次湿法刻蚀工艺，形成包括源极和漏极的图形；
[0077]在具体实施时，如图4e所示，在湿刻设备中，以第二刻蚀阻挡模块62为掩膜，利用第一刻蚀阻挡模块61遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，对源漏极金属层薄膜7通过一次湿法刻蚀工艺去除源漏极金属层薄膜7的与沟道区域对应的部分，以及除与待形成有源层的区域以外对应的部分，形成源极71和漏极72的图形；
[0078]步骤六、以第一刻蚀阻挡模块和第二刻蚀阻挡模块为掩膜，通过一次干法刻蚀工艺刻蚀掉除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的欧姆接触层薄膜；
[0079]在具体实施时，如图4f所示，在干刻设备中，通过一次干法刻蚀工艺对除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的欧姆接触层薄膜5进行刻蚀(此刻蚀工艺后，有源层薄膜4有残留)；
[0080]步骤七、去除掉第一刻蚀阻挡模块；
[0081]在具体实施时，如图4g所示，在干刻设备中，对第一刻蚀阻挡模块61进行灰化处理，去除掉第一刻蚀阻挡模块61 ;
[0082]步骤八、以第二刻蚀阻挡模块为掩膜，通过一次干法刻蚀工艺刻蚀掉对应于待形成沟道区域的欧姆接触层薄膜，以及刻蚀掉除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的有源层薄膜，在欧姆接触层薄膜形成欧姆接触层的图形，以及在有源层薄膜形成有源层的图形；
[0083]在具体实施时，如图4h所示，在干刻设备中，通过一次干法刻蚀工艺对对应于待形成沟道区域的欧姆接触层薄膜5和除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的有源层薄膜4进行刻蚀，同时形成包括有源层41和欧姆接触层51的图形；通过刻蚀条件及时间可以在对对应于待形成沟道区域的欧姆接触层薄膜刻蚀结束时，使除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的有源层薄膜刚好完全被刻蚀掉；上述步骤中主要优点在于缩短了整体时间、节约了原料，较之传统工艺减少工艺间隔时间提高良率；
[0084]步骤九、对第二刻蚀阻挡模块进行剥离；
[0085]在具体实施时，如图4i所示，在湿刻设备中，对源极71和漏极72上方的第二刻蚀阻挡模块62进行剥离。
[0086]至此，经过具体实例提供的上述步骤一至步骤九制作出了本发明实施例提供的上述薄膜晶体管。
[0087]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管，由于该结构解决问题的原理与前述一种薄膜晶体管的制作方法相似，因此该结构的实施可以参见薄膜晶体管的制作方法的实施，重