在浸泡刻蚀液的过程中不易发生脱离。
[0060]其中，柔性材料可以包括:聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate,简称为PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，简称为PC)、聚甲基丙稀酸甲酯(polymethyl methacrylate，简称为PMMA)、聚酰亚胺(polyimide，简称为PI)以及聚醚砜树脂(polyethersulfone resin，简称为PES)中的至少一种。
[0061]在上述基础上，针对上述步骤S02中采用化学成膜法形成石墨烯膜层30，下面提供具体实施例以详细描述上述的化学成膜法:
[0062]方法一、化学气相沉积法
[0063]将形成有图案层20的基底层10放置在真空反应腔体内，真空条件为I X 10 4Pa,反应温度为873?1073K。采用乙醇溶液(分析纯)为反应原料，氩气(Ar)为携载气体。将氩气通入流量计，以一定的流速通入乙醇溶液，乙醇分子在氩气的携载下进入真空反应腔体内。在高温作用下，乙醇分子分解为C、H原子，C原子通过在图案层20以及基底层10的暴露区1a表面发生吸附、迀移等过程沉积形成石墨烯膜层30。
[0064]方法二、碳化硅热解外延生长法
[0065]在形成有图案层20的基底层10上沉积一层SiC，对SiC表面进行氧化或氢气(H2)刻蚀，之后在高真空条件下(1.32X10 8Pa)对SiC进行电子轰击并加热到1000°C以去除氧化物，用俄歇电子能谱(Auger electron spectroscopy，简称为AES)检测SiC表面氧化物的去除情况，氧化物被完全去除后将SiC加热至1250?1450°C即可在图案层20以及基底层10的暴露区1a表面形成石墨稀膜层30。
[0066]方法三、化学氧化还原法
[0067]在形成有图案层20的基底层10上沉积一层石墨，加入强氧化剂对石墨进行氧化处理，通过超声剥离在图案层20以及基底层10的暴露区1a表面形成氧化石墨烯，之后加入还原剂对氧化石墨烯进行还原，从而得到石墨烯膜层30。
[0068]在上述基板上进一步的，本发明实施例还提供了一种采用上述步骤SOl?S04形成的石墨烯图案01。
[0069]进一步的，本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，该制备方法包括形成导电图案的步骤；该导电图案为采用上述任一项所述的方法形成的石墨烯图案01。
[0070]这里，上述的导电图案例如可以为阵列基板中的数据线图案、栅线图案、公共电极线图案；或者也可以为触摸显示基板中连接感应电极的桥接电极图案，具体不作限定。
[0071]进一步的，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示基板。
[0072]上述显示装置具体可以为液晶显示(Liquid Crystal Display，简称IXD)面板、液晶电视、有机电致发光显示(Organic Light-Emitting Display，简称0LED)面板、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
[0073]其中，液晶显不面板或液晶电视可以为ADS (Advanced Super Dimens1nalSwitching，高级超维场转换技术)型、IPS (In Plane Switch，横向电场效应)型、TN型(Twist Nematic，扭曲向列型)以及VA型(Vertical Align，垂直排列型)中的任一种。
[0074]需要说明的是，本发明所有附图是上述的石墨烯图案形成方法简略的示意图，只为清楚描述本方案体现了与发明点相关的结构，对于其他的与发明点无关的结构是现有结构，在附图中并未体现或只体现部分。
[0075]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种石墨烯图案的形成方法，其特征在于，所述方法包括: 在基底层上形成图案层；其中，所述图案层的图案与待形成的石墨烯图案相一致； 采用化学成膜法，形成位于所述图案层上方且覆盖所述基底层的石墨烯膜层；其中，所述石墨烯膜层的厚度小于所述图案层的厚度； 将包括有所述基底层、所述图案层以及所述石墨烯膜层的层级结构与目标衬底层相贴合，形成复合层；其中，所述目标衬底层与所述石墨烯膜层覆盖所述图案层的第一部分相接触，所述目标衬底层与所述石墨烯膜层的其他部分不接触； 将所述复合层浸泡在刻蚀液中以去除所述图案层，形成与所述基底层以及所述其他部分相分离的贴合在所述目标衬底层表面的石墨烯图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基底层上形成图案层，包括: 采用构图工艺，在氧化硅基底层上形成金属图案层； 其中，构成所述金属图案层的金属元素包括:Cu、Fe、N1、Co、Ru、Au、Ag中的至少一种。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀液为酸性刻蚀液。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述酸性刻蚀液包括:硝酸、硫酸、磷酸、盐酸以及乙酸中的至少一种。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述采用化学成膜法，形成覆盖所述图案层与所述暴露区的石墨烯膜层的步骤之前，所述方法还包括: 对氧化硅基底层待覆盖石墨烯膜层的一侧表面进行氢化处理，以使氢原子与所述氧化硅基底层表面上的至少部分硅悬挂键相结合。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学成膜法包括:化学气相沉积法、碳化硅热解外延生长法以及化学氧化还原法中的任一种。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用热压法，将包括有所述基底层、所述图案层以及所述石墨烯膜层的层级结构与目标衬底层相贴合，形成复合层； 其中，所述目标衬底层采用柔性材料构成。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述柔性材料包括:聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺以及聚醚砜树脂中的至少一种。9.一种石墨烯图案，其特征在于，所述石墨烯图案采用上述权利要求1至8任一项所述的方法形成。10.一种显示基板制备方法，其特征在于，所述制备方法包括形成导电图案的步骤；所述导电图案为采用权利要求1至8任一项所述的方法形成的石墨烯图案。11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括采用如权利要求10所述的方法形成的显示基板。
【专利摘要】本发明实施例提供了一种石墨烯图案及其形成方法、显示基板制备方法及显示装置，涉及显示技术领域，不受限于激光设备的限定，图案线宽更为精细；且处理时间短，生产效率高、适用于大批量生产。该方法包括：在基底层上形成图案层；图案层的图案与待形成的石墨烯图案相一致；形成位于图案层上方且覆盖基底层的石墨烯膜层；将包括有基底层、图案层以及石墨烯膜层的层级结构与目标衬底层相贴合，形成复合层；将复合层浸泡在刻蚀液中以去除图案层，形成与基底层以及其他部分相分离的贴合在目标衬底层表面的石墨烯图案。用于石墨烯图案及包括该石墨烯图案的显示基板、显示装置的制备。
【IPC分类】H01L21/77, H01L21/3213, G02F1/136
【公开号】CN105070658
【申请号】CN201510511211
【发明人】吕志军, 张方振, 孙双, 张锋, 崔承镇
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年8月19日