中空型电子器件密封用片、及中空型电子器件封装体的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及中空型电子器件密封用片、及中空型电子器件封装体的制造方法。
【背景技术】
[0002] -直以来，在对电子器件和基板之间为中空结构的中空型电子器件进行树脂密封 而制作中空型电子器件封装体时，作为密封树脂，有时使用片状的密封树脂（例如参见专 利文献1)。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1:日本特开2006-19714号公报
【发明内容】
[0006]发明要解决的问题
[0007] 对于中空型电子器件封装体，有时中空型电子器件会受来自密封所使用的片状密 封树脂的各种离子性杂质影响。尤其是在中空型电子器件封装体中，如果离子性杂质从片 状密封树脂渗出，则容易积存于中空空间，由于其影响，可能无法充分发挥作为中空型电子 器件的特性（例如用作压力传感器、振动传感器等时的传感器特性、用作SAW滤波器等时的 滤波器特性等）。因此，要求使用离子性杂质的含量少的密封树脂。
[0008] 本发明是鉴于上述问题而做出的发明，其目的在于，提供离子性杂质的渗出量少 的中空型电子器件密封用片、及离子性杂质的渗出量少的中空型电子器件封装体的制造方 法。
[0009] 用于解决问题的方案
[0010] 本申请发明人等发现，通过采用下述方案，能够解决前述问题，从而完成了本发 明。
[0011] 即，本发明为一种中空型电子器件密封用片，其特征在于，满足下述（a)~下述 (d)的至少一者。
[0012] (a)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121°C、 2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的氯化物离子浓度以质量基准计小于 30ppm，
[0013] (b)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121°C、2个 大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的钠离子浓度以质量基准计小于lOppm，
[0014] (c)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121°C、 2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的磷酸根离子浓度以质量基准计小于 30ppm，
[0015] (d)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121°C、 2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的硫酸根离子浓度以质量基准计小于 5ppm〇
[0016] 根据本发明的中空型电子器件密封用片，满足上述（a)~上述（d)的至少一者。因 此，离子性杂质（氯化物离子、钠离子、磷酸根离子(P〇43_)、及硫酸根离子（so 42o中的至 少一种）的渗出量减少。其结果，使用该中空型电子器件密封用片制造的中空型电子器件 封装体能够抑制特性的降低，提高产品可靠性。
[0017] 在前述方案中，优选的是，制成250 ym厚度时的热固化后的透湿度在温度85°C、 湿度85%、168小时的条件下为500g/m2 ? 24小时以下。
[0018] 本发明人等发现，即使浸渍在离子交换水中时的离子性杂质的渗出量少，如果透 过中空型电子器件密封用片到达中空部分的水分多，则离子性杂质也可能会溶入该水分等 而流入电子器件侧，从而在电子器件上蓄积离子性杂质。因此，前述中空型电子器件密封 用片的厚度为250 ym时的热固化后的透湿度在温度85°C、湿度85%、168小时的条件下为 500g/m2 ? 24小时以下时，水分不易从外部侵入中空部分。其结果，能够抑制离子性杂质溶 入来自外部的水分而到达电子器件上。
[0019] 通过像这样不仅预先减少了中空型电子器件密封用片的离子性杂质的渗出量，而 且预先降低了透湿度，能够进一步提高使用该中空型电子器件密封用片制造的中空型电子 器件封装体的产品可靠性。需要说明的是，将透湿度的评价条件设为温度85°C、湿度85%、 168小时是为了符合半导体封装体的耐焊接可靠性试验（MSL试验）中最严格的吸湿条件即 Leveil 条件。
[0020] 需要说明的是，厚度不是250 ym时，利用下述式1进行换算，作为温度85°C、湿度 85%、168小时的条件下的厚度为250 y m时的透湿度。
[0021] (式 1) A-(250-D) X0. 101
[0022] (A :透湿度、D :样品厚度（y m))
[0023] 在前述方案中，优选的是，相对于中空型电子器件密封用片整体，含有70~90体 积％的无机填充剂。无机填充剂的含量相对于中空型电子器件密封用片整体为70体积％ 以上时，能够容易地降低透湿度。而无机填充剂的含量相对于中空型电子器件密封用片整 体为90体积％以下时，柔软性、流动性、粘接性更好。
[0024] 在前述方案中，优选的是含有离子捕捉剂。含有离子捕捉剂时，能够进一步抑制离 子性杂质到达电子器件。
[0025] 在前述方案中，优选的是，前述离子捕捉剂为水滑石系化合物。水滑石系化合物不 含有锑等重金属而具有离子捕捉性。
[0026] 此外，本发明的中空型电子器件封装体的制造方法的特征在于，包括如下工序：
[0027] 层叠工序，以覆盖安装在基板上的1个或多个中空型电子器件的方式将以上记载 的中空型电子器件密封用树脂片层叠在前述中空型电子器件上；以及
[0028] 密封体形成工序，使前述中空型电子器件密封用树脂片固化而形成密封体。
[0029] 使用以上记载的中空型电子器件密封用树脂片制造的中空型电子器件封装体的 离子性杂质的渗出量少。因此，使用该中空型电子器件密封用树脂片制造的中空型电子器 件封装体能够抑制特性的降低，使产品可靠性提高。
[0030]发明的效果
[0031] 根据本发明，能够提供离子性杂质的渗出量少的中空型电子器件密封用片、及离 子性杂质的渗出量少的中空型电子器件封装体的制造方法。
【附图说明】
[0032] 图1是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件密封用片的截面图。
[0033] 图2A是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法 的一个工序的图。
[0034] 图2B是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法 的一个工序的图。
[0035] 图2C是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法 的一个工序的图。
【具体实施方式】
[0036] 以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。但本发明并不仅限定于这些实施 方式。
[0037][中空型电子器件密封用片]
[0038] 图1是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件密封用片的截面图。 中空型电子器件密封用片11(以下也称为"密封用片11"）代表性的是以层叠在聚对苯二 甲酸乙二醇酯（PET)薄膜等支撑体11a上的状态提供。需要说明的是，对于支撑体11a，为 了容易进行密封用片11的剥离，可以实施脱模处理。
[0039] 密封用片11满足下述（a)~下述（d)的至少一者。
[0040] (a)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121°C、 2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的氯化物离子浓度以质量基准计小于 30ppm，
[0041] (b)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121°C、2个 大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的钠离子浓度以质量基准计小于lOppm，
[0042] (c)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121°C、 2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的磷酸根离子浓度以质量基准计小于 30ppm，
[0043] (d)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121°C、 2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的硫酸根离子浓度以质量基准计小于