芯片封装结构、制作方法及芯片封装基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电路板制作领域，尤其涉及一种芯片封装结构、制作方法及芯片封装基板。
【背景技术】
[0002]芯片封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。一般地，芯片封装基板在置接芯片侧形成防焊层开口，以暴露出焊垫，进而可以在焊垫表面形成焊球并与芯片焊接。在高密度布线的需求下，线路越来越细，防焊层开口也越来越小，从而由防焊层开口所定义的焊垫的尺寸也越来越小，从而使焊接不良频频发生，一方面，焊球不易填充入防焊层开口进而会造成空焊，另一方面，焊球直径随防焊层开口尺寸变小而变小，以至于焊接高度不足，导致芯片与封装基板之间的距离不够，难以填充封装胶体，进而导致芯片不能被牢固地封装在封装基板上。
【发明内容】
[0003]因此，有必要提供一种能够提高焊接良率的芯片封装结构、制作方法和芯片封装基板。
[0004]一种芯片封装结构的制作方法，包括步骤:提供一承载板，在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层，其中，所述第一介电层内形成有多个第一介电层开口，多个第一导电柱形成于所述第一介电层开口内，位于所述承载板同侧的所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接；在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层，所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口 ；电镀在所述第二介电层开口内形成多个第二导电柱，其中，所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接，所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平；去除所述承载板；在每个所述第二导电柱远离所述第一导电线路层的表面形成一第一焊球；及在多个所述第一焊球表面焊接一芯片，使所述芯片与所述第二导电柱电连接，从而形成所述芯片封装结构。
[0005]一种芯片封装结构的制作方法，包括步骤:提供一承载板，在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层，其中，所述第一介电层内形成有多个第一介电层开口，多个第一导电柱形成于所述第一介电层开口内，位于所述承载板同侧的所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接；电镀从而在所述第二导电线路层表面形成多个第二导电柱，所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接；在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层，所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口，其中，所述多个第二导电柱均形成于所述第二介电层开口内，所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平；去除所述承载板；在每个所述第二导电柱远离所述第一导电线路层的表面形成一第一焊球；及在多个所述第一焊球表面焊接一芯片，使所述芯片与所述第二导电柱电连接，从而形成所述芯片封装结构。
[0006]—种芯片封装结构，包括一第一介电层、一第一导电线路层、一第二导电线路层、一第二介电层、多个第二导电柱及至少一芯片。所述第一介电层包括相对的第一表面及第二表面。所述第一导电线路层形成于所述第一介电层的第一表面并侧嵌设于所述第一介电层内，且所述第一导电线路层远离所述第二表面的面与所述第一表面相齐平。所述第二导电线路层形成于所述第二表面，所述第二导电线路层与所述第一导电线路层通过多个第一导电柱相电连接。所述第二介电层形成于所述第二表面及所述第二导电线路层的表面。所述第二介电层设有多个第二介电层开口。所述多个第二导电柱通过电镀形成于所述第二介电层开口内，所述多个第二导电柱均与所述第二导电线路层相电连接，且所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平。所述芯片通过多个第一焊球与所述第二导电柱相电连接。
[0007]—种芯片封装基板，包括一第一介电层、一第一导电线路层、一第二导电线路层、一第二介电层、及多个第二导电柱。所述第一介电层包括相对的第一表面及第二表面。所述第一导电线路层形成于所述第一介电层的第一表面并侧嵌设于所述第一介电层内，且所述第一导电线路层远离所述第二表面的面与所述第一表面相齐平。所述第二导电线路层形成于所述第二表面，所述第二导电线路层与所述第一导电线路层通过多个第一导电柱相电连接。所述第二介电层形成于所述第二表面及所述第二导电线路层的表面。所述第二介电层设有多个第二介电层开口。所述多个第二导电柱通过电镀形成于所述第二介电层开口内，所述多个第二导电柱均与所述第二导电线路层相电连接，且所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平。
[0008]相对于现有技术，本发明实施例在芯片封装结构、其制作方法及芯片封装基板的所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平，故，在第二导电柱表面形成焊球并与芯片焊接时，焊球不需要填充防焊层开口，故，不易发生空焊接，并且焊球高度即为芯片底部与封装基板之间的距离，从而使芯片底部与封装基板之间的距离足够填满封装胶体，进而使芯片能被牢固地封装在封装基板上，也即，本案的芯片封装结构、其制作方法及芯片封装基板可以提高焊接良率；进一步，本案利用承载板形成无芯层芯片封装结构及芯片封装基板，可以制作的较薄。
【附图说明】
[0009]图1是本发明第一实施例提供的芯片封装结构的剖视图。
[0010]图2是本发明第二实施例提供在承载板上贴合铜箔后的剖视图。
[0011]图3是将图2中的铜箔制作形成第一导电线路层后的剖视图。
[0012]图4是在图3的第一导电线路层表面形成第一介电层后的剖视图。
[0013]图5是在图4中的第一介电层表面形成第一图案化光阻层后的剖视图。
[0014]图6是在图5中的第一介电层内形成第一导电柱及在第一介电层表面形成第二导电线路层后剖视图。
[0015]图7是将图6中的第一图案化光阻层去除后的剖视图。
[0016]图8是在图7中的第二导电线路层表面压合形成第二介电层并形成第二介电层开口后的剖视图。
[0017]图9是在图7中的第二导电线路层表面注塑成型形成第二介电层的示意图。
[0018]图10是在图8中的第二介电层开口内形成第二导电柱后的剖视图。
[0019]图11是将图10中的承载板110去除并形成两个芯片封装基板的示意图。
[0020]图12是在图11的芯片封装基板的第一导电线路层表面形成防焊层后的剖视图。
[0021]图13是本案第三实施例提供的在与第二实施例图4类似第一介电层的表面形成第一图案化光阻层并形成第一导电柱及第二导电线路层后的剖视图。
[0022]图14是在图13中的第一图案化光阻层表面形成第二图案化光阻层并形成第二导电柱后的剖视图。
[0023]图15是将图14中的第一及第二图案化光阻层去除后的剖视图。
[0024]图16是在图15中的第二导电柱侧形成第二介电层后的剖视图。
[0025]图17是将图16中的第二介电层研磨以露出所述第二导电柱后的剖视图。
[0026]主要元件符号说明
[0027]芯片封装结构100
[0028]第一介电层126，926
[0029]第一表面1261
[0030]第二表面1262
[0031]第一导电线路层124，924
[0032]第二导电线路层134，934
[0033]第一导电柱132，932
[0034]第二介电层136，936
[0035]第二介电层开口138，938
[0036]第二导电柱140，940
[0037]芯片148
[0038]第一焊球150
[0039]封装胶体154
[0040]防焊层142
[0041]防焊层开口144
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