一种阵列基板及其制作方法、显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
【背景技术】
[0002]液晶显示面板一般包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶，其是通过两个电极(公共电极和像素电极)形成电场，驱动液晶发生偏转从而控制光的透过率来实现显示。
[0003]液晶显示面板根据公共电极和像素电极的设置方式分为水平电场型和垂直电场型。其中一种水平电场型显不面板的为SADS (Advanced-Super Dimens1nal Switching，高级超维场开关)型显示面板，其阵列基板上的显示单元结构如图1、图2所示，图2为图1所示像素结构的截面图。参照图2，阵列基板包括衬底基板10以及形成在衬底基板10上的栅线11、公共电极线12、栅绝缘层13、有源层14、源极15、漏极16、钝化层17、有机绝缘层18、公共电极19、绝缘层20、像素电极21以及连接电极22。其中，过孔I贯穿绝缘层20以及钝化层17，使得像素电极21通过过孔I与漏极16连接；连接电极22通过绝缘层20的过孔2与公共电极19连接；过孔3贯穿绝缘层20、有机绝缘层18、钝化层17以及栅绝缘层13，使得连接电极22通过过孔3与公共电极线12连接，从而公共电极线12通过连接电极22向公共电极19输入电信号。
[0004]如图1所示，由于连接电极22通过过孔2和过孔3分别与公共电极19和公共电极线13连接，过孔2和过孔3均需贯穿绝缘层20，从而绝缘层20上的过孔多，不利于阵列基板的制作。且过孔2和过孔3形成在显示单元内，从而连接电极的面积较大，显示单元内像素电极21和公共电极19相对的面积较小，降低了显示单元的开口率。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，所述阵列基板上显示单元内的连接电极通过一个过孔连接公共电极和公共电极线，不仅简化基板结构且增大了显示单元的开口率。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]—方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板；形成在所述衬底基板上的第一信号传输层；覆盖所述第一信号传输层的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第一电极层；覆盖所述第一电极层的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的第二电极层；所述第一信号传输层包括公共电极线；所述第一电极层包括公共电极；所述第二电极层包括连接电极；
[0008]在对应所述公共电极线的同一位置处，具有贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔，在所述第一过孔处，至少所述公共电极线的上表面以及所述公共电极的侧面露出，所述连接电极在所述第一过孔分别与所述公共电极的侧面和所述公共电极线的上表面直接接触。
[0009]可选的，在所述第一过孔处，所述公共电极的上表面露出，所述连接电极在所述第一过孔还与所述公共电极露出的上表面直接接触。
[0010]可选的，所述连接电极在所述衬底基板上的投影位于所述公共电极线在所述衬底基板上的投影区域内。
[0011]可选的，所述第一信号传输层还包括与所述公共电极线不接触的栅线以及栅极；
[0012]所述阵列基板还包括覆盖所述第一信号传输层的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的有源层；位于所述有源层上的第二信号传输层；位于所述第二信号传输层上的钝化层以及位于所述钝化层上的有机绝缘层；其中，所述第二信号传输层包括数据线、源极和漏极；
[0013]所述第一电极层位于所述有机绝缘层上，所述第一绝缘层包括所述栅绝缘层、所述钝化层和所述有机绝缘层。
[0014]可选的，所述第二电极层还包括与所述连接电极不接触的像素电极；
[0015]在对应所述漏极的同一位置处，具有贯穿所述钝化层、所述有机绝缘层和所述第二绝缘层的第二过孔，在所述第二过孔处，至少所述漏极上表面的部分露出，所述像素电极在所述第二过孔与所述漏极露出的上表面直接接触。
[0016]可选的，所述第一信号传输层还包括与所述公共电极线不接触的栅线以及栅极；
[0017]所述阵列基板还包括第二信号传输层、位于所述第二信号传输层上的有源层以及覆盖所述有源层的栅绝缘层；其中，所述第二信号传输层包括数据线、源极和漏极；所述第一信号传输层形成在所述栅绝缘层上；所述阵列基板还包括位于所述第一信号传输层上的有机绝缘层；所述第一电极层位于所述有机绝缘层上；
[0018]所述第一绝缘层包括所述有机绝缘层。
[0019]可选的，所述第二电极层还包括与所述连接电极不接触的像素电极；
[0020]在对应所述漏极的同一位置处，具有贯穿所述有机绝缘层和所述第二绝缘层的第二过孔，在所述第二过孔处，至少所述漏极上表面的部分露出，所述像素电极在所述第二过孔与所述漏极上表面露出的部分直接接触。
[0021]可选的，所述阵列基板还包括位于第二信号传输层上的钝化层，所述有机绝缘层位于所述钝化层上，所述第一绝缘层包括所述钝化层和所述有机绝缘层。
[0022]可选的，所述第二电极层还包括与所述连接电极不接触的像素电极；
[0023]在对应所述漏极的同一位置处，具有贯穿所述栅绝缘层、所述钝化层、所述有机绝缘层和所述第二绝缘层的第二过孔，在所述第二过孔处，至少所述漏极上表面的部分露出，所述像素电极在所述第二过孔与所述漏极露出的上表面直接接触。
[0024]另一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括:
[0025]在衬底基板上形成第一信号传输层；其中，所述第一信号传输层包括公共电极线；
[0026]在所述衬底基板上形成覆盖所述第一信号传输层的第一绝缘层；包括:在所述衬底基板上形成覆盖所述第一信号传输层的第一绝缘薄膜，对所述第一绝缘薄膜进行刻蚀，在对应所述公共电极线的位置处形成过孔；
[0027]在所述第一绝缘层上形成第一电极层；包括:在所述第一绝缘层上形成第一导电薄膜，其中，所述第一导电薄膜覆盖所述第一绝缘层过孔的侧面以及底面；对所述第一导电薄膜进行刻蚀，去除覆盖所述第一绝缘层过孔侧面以及底面的第一导电薄膜并形成公共电极；
[0028]在所述第一电极层上形成覆盖所述第一电极层的第二绝缘层；包括:在所述第一电极层上形成覆盖所述第一电极层的第二绝缘薄膜，其中，所述第二绝缘薄膜覆盖所述公共电极的侧面以及所述第一绝缘层过孔的侧面以及底面；对所述第二绝缘薄膜进行刻蚀，去除覆盖所述公共电极的侧面以及所述第一绝缘层过孔侧面以及底面的第二导电薄膜以形成第一过孔；
[0029]在所述第二绝缘层上形成第二电极层；包括:在所述第二绝缘层上形成第二导电薄膜，其中，所述第二导电薄膜覆盖所述第一过孔的侧面和底面；刻蚀所述第二导电薄膜形成连接电极；其中，所述连接电极在所述第一过孔分别与所述公共电极的侧面和所述公共电极线的上表面直接接触。
[0030]再一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的任一所述的阵列基板。
[0031 ] 本发明