，相同内容此处不再赘述。
[0048]本发明中的电极包括铜电极1、扩散阻挡层2和刻蚀保护层3，使用该电极作为薄膜晶体管的源极4和漏极5，可减小薄膜晶体管的源极4和漏极5的电阻，保证显示器的图像信号传输速度稳定，且画质质量高，避免在薄膜晶体管两侧均安装驱动电路来驱动电极，降低薄膜晶体管的制造成本；且本发明通过扩散阻挡层2和刻蚀保护层3分别设置在铜电极I的两侧，扩散阻挡层2和刻蚀保护层3均由锌基氮氧化物制成，从而避免铜电极I的铜原子扩散，减少铜电极I的过刻量，且减少铜原子扩散对薄膜晶体管的沟道层6造成的破坏，省去栅极绝缘层9的曝光工艺，缩短加工周期，降低薄膜晶体管的制造成本。
[0049]其中，薄膜晶体管包括基板7、栅极8、栅极绝缘层9、沟道层6、源极4和漏极5，薄膜晶体管的基板7、栅极8、栅极绝缘层9、沟道层6、源极4和漏极5形成底栅结构或顶栅结构。
[0050]如图3所示是底栅结构的薄膜晶体管的结构示意图，栅极8设置在基板7上，栅极绝缘层9设置在栅极8上，沟道层6设置在栅极绝缘层9上，源极4和漏极5并排设置在沟道层6上，且源极4和漏极5的扩散阻挡层2与沟道层6接触。
[0051]如图2所示是带有保护层10的底栅结构的薄膜晶体管的结构示意图，其中，保护层10形成在栅极绝缘层9上，且包裹在沟道层6、源极4及漏极5的外部，保护源极4、漏极5和沟道层6。
[0052]如图4所示是顶栅结构的薄膜晶体管的结构示意图，沟道层6设置在基板7上，源极4和漏极5并列地设置在沟道层6上，且源极4和漏极5的扩散阻挡层2与沟道层6接触，栅极绝缘层9设置在源极4和漏极5上，栅极8设置在栅极绝缘层9上。
[0053]如图5所示是带有保护层10的底栅结构的薄膜晶体管的结构示意图，其中，保护层10形成在基板7上，且包裹在沟道层6、源极4、漏极5和栅极8的外部，保护沟道层6、源极4、漏极5和栅极8。
[0054]源极4和漏极5通过扩散阻挡层2与沟道层6接触，利用锌基氮氧化物的防铜扩散能力，通过扩散阻挡层2避免铜电极I中的铜原子向沟道层6扩散，减少铜电极I的过刻量，且减少铜原子向沟道层6扩散对沟道层6造成的破坏；利用锌基氮氧化物具有较快刻蚀速率的特性，缩短源极4和漏极5的刻蚀时间。且通过源极4和漏极5的刻蚀保护层4由锌基氮氧化物制成，利用锌基氮氧化物优良的防干刻能力，可省去对栅极绝缘层9采取曝光工艺，保护层10和栅极绝缘层9可通过一步刻蚀完成，简化工艺，降低薄膜晶体管的加工成本。
[0055]其中，沟道层6为氧化物沟道层，沟道层6可以由铟镓锌氧化物、铪铟锌氧化物、铟锌氧化物、非晶铟锌氧化物、非晶氧化物掺杂氟氧化物、氧化铟掺杂锡氧化物、非晶氧化铟掺杂钼氧化物、铬锡氧化物、非晶氧化锌掺杂铝氧化物、非晶氧化钛掺杂铌氧化物或其他金属氧化物制成。
[0056]实施例三
[0057]本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括薄膜晶体管。
[0058]由于本实施例中的薄膜晶体管包括实施例二中的全部内容，相同内容此处不再赘述。
[0059]本发明中的电极包括铜电极、扩散阻挡层和刻蚀保护层，使用该电极作为薄膜晶体管的源极和漏极，可减小薄膜晶体管的源极和漏极的电阻，保证显示器的图像信号传输速度稳定，且画质质量高，避免在薄膜晶体管两侧均安装驱动电路来驱动电极，降低薄膜晶体管的制造成本；且本发明通过扩散阻挡层和刻蚀保护层分别设置在铜电极的两侧，扩散阻挡层和刻蚀保护层均由锌基氮氧化物制成，从而避免铜电极的铜原子扩散，减少铜电极的过刻量，且减少铜原子扩散对薄膜晶体管的沟道层造成的破坏，省去栅极绝缘层的曝光工艺，缩短加工周期，从而降低薄膜晶体管的制造成本。
[0060]实施例四
[0061]本发明实施例提供了一种显示设备，该显示设备包括阵列基板。
[0062]由于本实施例中的阵列基板包括实施例三中的全部内容，相同内容此处不再赘述。
[0063]本发明中的电极包括铜电极、扩散阻挡层和刻蚀保护层，使用该电极作为薄膜晶体管的源极和漏极，可减小薄膜晶体管的源极和漏极的电阻，保证显示器的图像信号传输速度稳定，且画质质量高，避免在薄膜晶体管两侧均安装驱动电路来驱动电极，降低薄膜晶体管的制造成本；且本发明通过扩散阻挡层和刻蚀保护层分别设置在铜电极的两侧，扩散阻挡层和刻蚀保护层均由锌基氮氧化物制成，从而避免铜电极的铜原子扩散，减少铜电极的过刻量，且减少铜原子扩散对薄膜晶体管的沟道层造成的破坏，省去栅极绝缘层的曝光工艺，缩短加工周期，从而降低薄膜晶体管的制造成本。
[0064]上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0065]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种电极，其特征在于，所述电极包括铜电极、扩散阻挡层和刻蚀保护层； 所述扩散阻挡层和所述刻蚀保护层分别设置在所述铜电极的两侧，且所述扩散阻挡层和所述刻蚀保护层均由锌基氮氧化物制成。2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述锌基氮氧化物中掺杂金属元素或非素。3.根据权利要求2所述的电极，其特征在于，所述金属元素为铟、镓、锡、铪、铝、钛、锰或镁中的一种或几种。4.根据权利要求2所述的电极，其特征在于，所述非金属元素为硫、氟、氯或碳中的一种或几种。5.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述扩散阻挡层和所述刻蚀保护层的厚度在2纳米至100纳米之间。6.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述扩散阻挡层与铜的刻蚀选择比在5:1?100:1之间。7.根据权利要求1-6任一项权利要求所述的电极，其特征在于，所述铜电极采用半色调光技术进行图形化处理。8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和漏极为权利要求1-7任一项权利要求所述的电极，且所述源极及所述漏极的扩散阻挡层与所述薄膜晶体管的沟道层接触。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构。10.根据权利要求8或9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道层为氧化物沟道层。11.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求8-10任一项权利要求所述的薄膜晶体管。12.—种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括权利要求11所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明公开了一种电极、薄膜晶体管、阵列基板及显示设备，属于显示设备领域。该电极包括铜电极、扩散阻挡层和刻蚀保护层，扩散阻挡层和刻蚀保护层均由锌基氮氧化物制成。本发明中的电极包括铜电极、扩散阻挡层和刻蚀保护层，使用该电极作为薄膜晶体管的源极和漏极，可减小薄膜晶体管的源极和漏极的电阻，保证显示器的图像信号传输速度稳定，且画质质量高，避免在薄膜晶体管两侧均安装驱动电路来驱动电极，降低薄膜晶体管的制造成本；且本发明通过扩散阻挡层和刻蚀保护层分别设置在铜电极的两侧，扩散阻挡层和刻蚀保护层均由锌基氮氧化物制成，避免铜电极的铜原子扩散，减少铜电极的过刻量，且减少铜原子扩散对薄膜晶体管的沟道层造成的破坏。
【IPC分类】H01L29/417, H01L29/786, H01L27/12
【公开号】CN105161523
【申请号】CN201510497884
【发明人】王美丽, 闫梁臣
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月13日