两相 邻线的中心间距为〇? 5~3mm〇
[0078]背面开膜后进行丝网印刷，所述丝网印刷优选按照如下方法进行：采用丝网印刷 机，在硅片背面印刷银浆，烘干后在硅片背面印刷铝浆，烘干后在硅片正面印刷银浆。
[0079] 所述丝网印刷后，进行烧结。所述烧结优选按照如下方法进行：对丝网印刷后的 金属膜层进行一次烧结，在本发明中，优选采用链式烧结炉，所述烧结的温度优选为700~ 900 °C，最终得到形成背钝化太阳电池。
[0080] 本发明提供的三层背钝化太阳电池的叠层膜可以增强钝化效果和内反射效果，提 高太阳电池的开路电压和短路电流，提高太阳电池转换效率。
[0081] 结果表明，采用本发明提供的用于背钝化太阳电池的叠层膜制备的P型多晶硅背 钝化太阳电池的转换效率达到19%以上，开路电压大于或等于645mV，短路电流大于或等 于 37. 69mA/cm2〇
[0082] 为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的用于背钝化太阳电池的 叠层膜及其制备方法以及背钝化太阳电池进行说明，本发明的保护范围不受以下实施例的 限制。
[0083] 实施例1、
[0084] 选用156謹X156謹、电阻率为I. 5Q .cm，厚度为180ym的P型多晶硅片，采用湿 式化学蚀刻法在硅片正面和背面同时进行织构化。所述织构化溶液优选为体积比为1.8: 〇. 6 :1的硝酸、氢氟酸和去离子水的混合溶液，所述制绒的温度为5~15°C。
[0085] 将制绒后的硅片利用三氯氧磷液态源在制绒后的硅片表面进行管式扩散，其中， 所述三氯氧磷液态源由氮气携带，携带三氯氧磷的氮气为800毫升每分钟，氧气500毫升每 分钟，同时通入另一路氮气为10升每分钟，，压强为l〇Pa。扩散后，测定所述硅片的方块电 阻为100/ □，结深为0. 25 y m。
[0086] 将复合有扩散层的硅片置于硝酸、氢氟酸和去离子水的混合溶液中，其中，所述硝 酸、氢氟酸和去离子水体积比为5 :1 :1，在酸液中抛光的温度为10~20°C。
[0087]硅片背面表面处理结束后，采用PECVD设备在所述硅片的正面进行SiNx层的沉 积。向所述PECVD设备中通入SiHjP NH 3在所述硅片正面进行沉积得到SiNx层，所述SiNx 的厚度为80nm，折射率为2。其中，所述SiHjP NH3的流量比为650sccm:6500sccm，所述沉 积设备的管内压力优选为1600~2600mTorr，射频功率优选为5000~7000w，占空比优选 为2/8~2/14,最终得到经过表面处理的P型多晶硅片。
[0088] 实施例2
[0089] 1、采用156mmX 156mm的实施例1制备的P型多晶硅片，在所述P型多晶硅片背面 进行含氧气体的等离子体氧化，即在管式PECVD设备中通入含氧气体N 2O,其中，所述N2O的 流量为5slm，射频功率为7000w，反应时间为5min。反应结束后，得到第一 SiOjl。所述第 一 SiOJl的厚度为2nm，折射率为L 5〇
[0090] 2、在所述第一 SiOJi表面采用管式PECVD设备沉积第二SiO Ji :通入SiHjP N2O, 控制SiH4气体的流量为200sccm，N2O的流量为4slm，管内压力为1600mTorr，射频功率为 6000w，占空比为2/12,沉积时间150s。反应结束后，得到第二SiOjl，所述第二SiO Jl的 厚度为20nm，折射率为1.7。
[0091] 3、在第二SiOJl表面采用管式PECVD设备沉积SiNx层：通入SiHjP NH3，所述NH3 流量为5. 5slm，SiH4流量为550sccm，管内压力为1800mTorr，射频功率为6500w，占空比为 2/14,沉积时间500s。反应结束后，得到SiNx层，所述SiNJl的厚度为80nm，折射率为2。
[0092] 4、在SiNJl表面采用管式PECVD设备沉积第三SiOJl :通入SiHjP N2O，控制SiH4 气体的流量为200sccm，N2O的流量为3slm，管内压力为1600mTorr，射频功率为6000w，占 空比为2/12,沉积时间300s。反应结束后得到第三SiOjl，完成叠层膜的制备。所述第三 SiOJl的厚度为50nm，折射率为L 8〇
[0093] 4、采用Nd/YAG激光器紫色激光对硅片的叠层膜开膜，开膜的形状为线状，单根线 的长度为154mm，宽度为40 ym，两相邻线的中心间距为2mm。
[0094] 开膜后，采用丝网印刷机，在硅片背面印刷银浆，背银增重为0. 025g/片；烘干后 在硅片背面印刷铝浆，背铝增重为I. 35g/片；烘干后在硅片正面印刷银浆，正银增重为 0. 12g/片。对丝网印刷后的金属膜层采用链式烧结炉在峰值温度为780°C条件下进行烧结 1~2s，最终得到形成背钝化太阳电池。
[0095] 测定所述背钝化太阳电池的性能，结果见表1，表1为本发明实施例2~5以及对 比例1提供的背钝化太阳电池的性能测定结果
[0096] 实施例3
[0097] 1、采用156mmX 156mm的实施例1制备的P型多晶硅片，在所述P型多晶硅片背面 进行含氧气体的等离子体氧化，即在管式PECVD设备中通入含氧气体CO 2，其中，所述0)2的 流量为5slm，射频功率为7000w，反应时间为3min。反应结束后，得到第一 SiOjl。所述第 一 SiOJl的厚度为2nm，折射率为L 5〇
[0098] 2、在所述第一 SiOJl表面采用管式PECVD设备沉积第二SiO Jl :通入SiHjP N2O, 控制SiH4气体的流量为200sccm，N2O的流量为4slm，管内压力为1600mTorr，射频功率为 6000w，占空比为2/12,沉积时间180s。反应结束后，得到第二SiOjl，所述第一 SiO Jl的 厚度为25nm，折射率为1.7。
[0099] 3、在第二SiOx层表面采用管式PECVD设备沉积SiNJl :通入SiHjP NH3,所述NH3 流量为5. 5slm，SiH4流量为550sccm，管内压力为1800mTorr，射频功率为6500w，占空比为 2/14,沉积时间450s。反应结束后，得到SiNjl，所述SiNx层的厚度为78nm，折射率为2。
[0100] 4、在SiNJi表面采用管式PECVD设备沉积第三SiOJi :通入SiHjP N2O，控制SiH4 气体的流量为200sccm，N2O的流量为3slm，管内压力为1600mTorr，射频功率为6000w，占 空比为2/12,沉积时间350s。反应结束后得到第三SiOjl，完成叠层膜的制备。所述第三 SiOJl的厚度为55nm，折射率为L 8〇
[0101] 5、采用Nd/YAG激光器紫色激光对硅片叠层膜开膜，开膜的形状为线状，单根线的 长度为154mm，宽度为40 ym，两相邻线的中心间距为2mm。
[0102] 开膜后，采用丝网印刷机，在硅片背面印刷银浆，背银增重为0. 025g/片；烘干后 在硅片背面印刷铝浆，背铝增重为I. 35g/片；烘干后在硅片正面印刷银浆，正银增重为 〇. 12g/片。
[0103] 对丝网印刷后的金属膜层采用链式烧结炉在峰值温度为780°C条件下进行烧结 1~2s，最终得到形成背钝化太阳电池。
[0104] 测定所述背钝化太阳电池的性能，结果见表1，表1为本发明实施例2~5以及对 比例1提供的背钝化太阳电池的性能测定结果
[0105] 实施例4
[0106] 1、采用156mmX 156mm的实施例1制备的P型多晶硅片，在所述P型多晶硅片背面 进行含氧气体的臭氧氧化，即将所述硅片置于臭氧环境中，进行反应，在硅片表面反应生成 一层薄层二氧化娃，所述臭氧浓度优选为lOOOppm，处理时间为5min。反应结束后，得到第 一 SiOjl。所述第一 SiO Jl的厚度为2nm，折射率为1. 48。
[0107] 2、在所述第一SiOJl表面采用管式PECVD设备沉积第二SiOJl:通入SiHjPN2O, 控制SiH4气体的流量为200sccm，N2O的流量为4slm，管内压力为1600mTorr，射频功率为 6000w，占空比为2/12,沉积时间150s。反应结束后，得到第二SiOjl，所述第二SiOJl的 厚度为20nm，折射率为1.7。
[0108] 3、在第二SiOJl表面采用管式PECVD设备沉积SiNx层：通入SiHjP NH3，所述NH3 流量为5. 5slm，SiH4流量为550sccm，管内压力为1800mTorr，射频功率为6500w，占空比为 2/14,沉积时间500s。反应结束后，得到SiNx层，所述SiNJl的厚度为80nm，折射率为2。
[0109] 4、在SiNJl表面采用管式PECVD设备沉积第三SiOJl :通入SiHjP N2O，控制SiH4 气体的流量为200sccm，N2O的流量为3slm，管内压力为1600mTorr，射频功率为6000w，占 空比为2/12,沉积时间300s。反应结束后得到第三SiOjl，完成叠层膜的制备。所述第三 SiOJl的厚度为50nm，折射率为L 8〇
[0110] 4、采用Nd/YAG激光器紫色激光对硅片的叠层膜开膜，开膜的形状为线状，单根线 的长度为154mm，宽度为