引线框架及其形成方法、芯片封装方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件封装领域，尤其涉及一种引线框架、引线框架的形成方法和芯片封装方法。
【背景技术】
[0002]引线框架是封装技术中的一种重要基础结构。它在电路中主要起承载IC芯片、连接芯片与外部线路板信号、以及安装固定的作用等。
[0003]随着电子元件的小型化、轻量化及多功能化的需求日渐增加，半导体封装密度不断增加，因而需要缩小封装尺寸。
【发明内容】
[0004]本发明解决的问题是现有技术引线框架形成的封装体尺寸较大。
[0005]为解决上述问题，本发明实施例提供了一种引线框架的形成方法，所述引线框架具有用于放置芯片的位置，所述引线框架的形成方法包括:提供基片；去除所述基片的一部分形成预留空间，从而形成第一结构；对所述第一结构进行冲压，所述第一结构延展至所述预留空间，形成第二结构；对所述第二结构和所述基片进行修整，分别形成第三结构和第四结构，所述第三结构和第四结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第三结构的厚度小于第四结构的厚度。
[0006]可选地，所述第三结构和第四结构各自包含同一个部件的不同部分，所述同一个部件的分别属于第三结构和第四结构的不同部分之间形成台阶。
[0007]可选地，所述预留空间的尺寸根据所述基片的厚度、所述第三结构的面积及厚度确定。
[0008]可选地，所述第二结构的厚度为所述基片厚度的30%?70%。
[0009]可选地，所述第二结构的的厚度为所述基片厚度的50%。
[0010]本发明实施例还提供了一种引线框架的形成方法，所述引线框架具有用于放置芯片的位置，所述引线框架的形成方法包括:提供基片；对所述基片的一部分进行减薄；对所述部分经过减薄的基片进行裁剪，分别形成第一结构和第二结构，所述第一结构和第二结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第一结构的厚度小于第二结构的厚度。
[0011]可选地，所述第一结构和第二结构各自包含同一个部件的不同部分，所述同一个部件的分别属于第一结构和第二结构的不同部分之间形成台阶。
[0012]可选地，所述减薄采用刻蚀方法进行。
[0013]可选地，所述减薄采用冲压方法进行。
[0014]可选地，所述减薄的厚度为所述基片厚度的30%?70%。
[0015]可选地，所述减薄的厚度为所述基片厚度的50%。
[0016]本发明实施例还提供了一种采用如上方法形成的引线框架。
[0017]本发明实施例还提供了一种引线框架，所述引线框架具有放置芯片的位置，所述引线框架包括:第一结构和第二结构，其中，所述第一结构的厚度小于所述第二结构的厚度，所述第一结构和第二结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面。
[0018]可选地，所述第一结构和第二结构各自包含同一个部件的不同部分，所述同一个部件的分别属于第一结构和第二结构的不同部分之间形成台阶。
[0019]可选地，所述第一结构的厚度为所述第二结构厚度的30%?70%。
[0020]可选地，所述第一结构的厚度为所述第二结构厚度的50%。
[0021]本发明实施例提供了一种封装方法，包括:提供芯片和引线框架，所述引线框架具有放置芯片的位置并包括:第一结构和第二结构，其中，所述第一结构的厚度小于所述第二结构的厚度，所述第一结构和第二结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面；将所述芯片装载在所述第一结构的芯片位置；采用封装材料封装所述芯片和所述引线框架的第一结构，所述封装材料包裹所述芯片、第一结构的芯片位置及其相对侧。
[0022]与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点:
[0023]本发明实施例的弓I线框架的形成方法所形成的弓I线框架包括第一结构和第二结构，所述第一结构和第二结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第一结构的厚度小于第二结构的厚度。后续对引线框架和芯片进行封装时，封装材料包裹所述芯片、第一结构的芯片位置极其相对侧，这样，所述引线框架和封装材料之间能够相互扣合，因此在降低封装体厚度的情况下仍然保证了引线框架和封装材料之间的结合强度。
[0024]对应的，本发明实施例的引线框架和芯片封装方法也具有上述的优点。
【附图说明】
[0025]图1是本发明实施例的引线框架的形成方法的流程示意图；
[0026]图2至图8是本发明一实施例的引线框架在形成过程中的中间结构的示意图；
[0027]图9是本发明实施例中的芯片封装方法所形成的封装体的结构示意图；
[0028]图10是图9所示的封装体沿CCl方向的剖视图。
【具体实施方式】
[0029]本发明提供了一种弓I线框架及其形成方法，可以减少封装体的尺寸。
[0030]为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0031]需要说明的是，提供这些附图的目的是有助于理解本发明的实施例，而不应解释为对本发明的不当的限制。为了更清楚起见，图中所示尺寸并未按比例绘制，可能会做放大、缩小或其他改变。
[0032]本发明实施例形成引线框架的流程如图1所示，包括:步骤SI，提供基片和引线框架图案，所述引线框架图案包括第一部分和第二部分，所述引线框架具有用于放置芯片的位置；步骤S2，根据所述引线框架图案，去除基片的一部分形成预留空间，从而形成与引线框架图案的第一部分相对应的第一结构；步骤S3，对所述第一结构进行冲压，所述第一结构延展至所述预留空间，形成第二结构；步骤S4，根据引线框架图案对所述第二结构和所述基片进行修整，分别形成与所述引线框架图案的第一部分和第二部分对应的第三结构和第四结构，所述第三结构和第四结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第三结构的厚度小于第四结构的厚度。
[0033]下面根据一具体实施例，以形成适用于双极型晶体管(BJT)的引线框架为例，对本发明引线框架的形成方法进行说明。
[0034]步骤SI，参考图2和图3，提供基片10和引线框架图案70，所述引线框架图案70包括第一部分70a和第二部分70b，所述第一部分70a具有用于放置芯片的位置。
[0035]参考图2，所述基片10具有第一表面1a和与所述第一表面1a相对的第二表面10b。所述基片10的材料具有良好的导电性、导热性和强度，且所述基片10的材料与封装材料应具有良好的热匹配性。例如，所述基片10的材料可以为铜、或者铁镍合金(如，42#Fe-Ni)。所述基片10的厚度可以为0.003?0.020英寸。
[0036]参考图3，所述引线框架图案70与待形成的引线框架的形状相对应。本实施例中，以形成适用于双极型晶体管的引线框架为例，所述引线框架图案70具有三端结构，分别用于与双极型晶体管的基极、集电极和发射极相连。在其他实施例中，根据具体情况确定，所述引线框架图案也可以为其他结构。
[0037]本实施例中，所述引线框架图案70包括:第一图案71、第二图案72、以及第三图案73。所述第一图案71具有第一部分71a和第二部分71b。类似地，所述第二图案72和第三图案73也分别具有第一部分72a、73a，和第二部分72b、73b。所述第一图案71、第二图案72和第三图案73的第一部分71a、72a和73a共同构成所述引线框架图案70的第一部分70a ;所述第一图案