一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法。
【背景技术】
[0002]现有的阵列基板中有时会根据需要设置有机膜层(有机膜层厚度较厚，可以减小电容)，例如，在源漏金属层和透明导电层之间设置有机膜层，以降低源漏金属层和透明导电层之间的电容。具有该种结构的阵列基板与对向基板对盒形成显示面板后，通常需要进行高温蒸煮试验(PCT，温度120°C /水汽100% /大气压2atm)，由于有机膜层遇高温容易膨胀，因而在高温蒸煮试验中容易出现裂纹，位于有机膜层之上的钝化层在有机膜层膨胀的应力作用下，也容易出现裂纹，出现裂纹后，高温蒸煮试验产生的水汽会从裂纹处进入显示面板的显示区域，导致产生水泡(Bubble)，影响显示。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法，以解决现有的具有有机膜层的显示面板在高温蒸煮试验时，容易产生裂缝，导致水汽进入显示面板的显示区域的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括:衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机膜层和钝化层，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述有机膜层和所述钝化层同时设置于所述显示区域和非显示区域，其特征在于，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上设置有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料。
[0005]优选地，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区。
[0006]优选地，所述阵列基板还包括设置于所述衬底基板上的源漏金属层和第一透明导电层，所述有机膜层位于所述源漏金属层和所述第一透明导电层之间。
[0007]优选地，所述源漏金属层包括:
[0008]位于所述非显示区域的源漏金属引线，所述源漏金属引线在所述衬底基板上的正投影区域至少部分与所述沟槽的槽底在所述衬底基板上的正投影区域重叠；
[0009]所述阵列基板还包括:
[0010]防氧化层，设置在所述沟槽中，至少覆盖所述沟槽的槽底。
[0011]优选地，所述阵列基板还包括第二透明导电层，位于所述钝化层之上；
[0012]所述防氧化层与所述第一透明导电层同层同材料，且通过一次构图工艺形成。
[0013]本发明还提供一种显示面板，包括阵列基板和对向基板，所述阵列基板为上述阵列基板。
[0014]优选地，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区，所述显示面板还包括:部分设置于所述沟槽内的封框胶。
[0015]本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
[0016]本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括:
[0017]提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域；
[0018]在所述衬底基板的显示区域和非显示区域形成有机膜层和钝化层，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上形成有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料。
[0019]优选地，形成有机膜层的步骤包括:
[0020]形成有机材料薄膜；
[0021]在所述有机材料薄膜上涂覆光刻胶；
[0022]采用一掩膜版，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶保留区域和第一光刻胶去除区域，所述第一光刻胶去除区域包括所述沟槽对应区域；
[0023]刻蚀所述第一光刻胶去除区域域的有机材料薄膜，形成有机膜层的图形；
[0024]剥离剩余的光刻胶。
[0025]优选地，形成钝化层的步骤包括:
[0026]形成钝化材料薄膜；
[0027]在所述钝化材料薄膜上涂覆光刻胶；
[0028]采用一掩膜版，对涂覆在所述钝化材料薄膜上的光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶保留区域和第二光刻胶去除区域，所述第二光刻胶去除区域包括所述沟槽对应区域；
[0029]刻蚀所述第二光刻胶去除区域域的钝化材料薄膜，形成钝化层的图形；
[0030]剥离剩余的光刻胶。
[0031]本发明还提供一种显示面板的制作方法，包括形成阵列基板和对向基板的步骤，采用上述方法形成所述阵列基板。
[0032]优选地，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区；
[0033]所述显示面板的制作方法还包括:
[0034]在所述阵列基板或对向基板的封框胶设置区域涂覆封框胶；
[0035]将所述阵列基板和所述对象基板对盒，对盒后所述封框胶填充至所述阵列基板上的沟槽中。
[0036]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0037]在阵列基板的非显示区域形成贯通有机膜层和钝化层的沟槽，沟槽为围绕显示区域的封闭图形，在沟槽中填充密封材料后，密封材料可以将显示区域和非显示区域的有机膜层和钝化层隔离。在后续的高温蒸煮试验过程中，即使有机膜层和/或钝化层出现裂纹，由于沟槽中填充的密封材料的阻隔，水汽也不会进入显示区域。
【附图说明】
[0038]图1为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图；
[0039]图2为本发明实施例的显示面板的一结构示意图。
【具体实施方式】
[0040]为解决现有的具有有机膜层的显示面板在高温蒸煮试验时，容易产生裂缝，导致水汽进入显示面板的显示区域的问题，本发明提供一种阵列基板，包括:衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机膜层和钝化层，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述有机膜层和所述钝化层同时设置于所述显示区域和非显示区域，其中，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上设置有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料。
[0041]由于沟槽贯通非显示区域的有机膜层和钝化层，且为围绕显示区域的封闭图形，在沟槽中填充密封材料后，密封材料可以将显示区域和非显示区域的有机膜层和钝化层隔离。在后续的高温蒸煮试验过程中，即使有机膜层和/或钝化层出现裂纹，由于沟槽中填充的密封材料的阻隔，水汽也不会进入显示区域。
[0042]在本发明的一些实施例中，所述阵列基板还可以包括填充于所述沟槽内的密封材料，所述密封材料可以为密封胶等。
[0043]在本发明的其他一些实施例中，也可以利用阵列基板和对向基板的封框胶填充所述沟槽，即所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区。从而，在后续阵列基板和对向基板对盒时，用于封框的封框胶可填充至所述沟槽内。
[0044]本发明实施例中的阵列基板还可以包括:设置于所述衬底基板上的源漏金属层和第一透明导电层，其中，所述有机膜层位于所述源漏金属层和所述第一透明导电层之间，用于减小所述源漏金属层和所述第一透明导电层之间的电容。在一些实施例中，所述阵列基板只包括像素电极，不包括公共电极，此时，所述第一透明导电层为像素电极所在层。在另外一些实施例中，所述阵列基板可以同时包括像素电极和公共电极，即所述阵列基板包括两层透明导电层，所述第一透明导电层可以为像素电极所在层，也可以为公共电极所在层。
[0045]本发明实施例中的源漏金属层可以包括位于显示区域的数据线以及位于非显示区域的源漏金属引线，源漏金属引线与数据线连接，用于为数据线传输信号。在一些实施例中，所述源漏金属引线在所述衬底基板上的正投影区域至少部分与所述沟槽的槽底在所述衬底基板上的正投影区域重叠，即所述源漏金属引线可能部分会位于所述沟槽的槽底，从而存在被氧化的可能。优选地，本发明实施例中的阵列基板还可以包括:防氧化层，设置在所述沟槽中，至少覆盖所述沟槽的槽底，从而防止位于槽底的源漏金属引线被氧化。所述防氧化层可以采用多种类型的材料制成，例如ITO等。
[0046]在所述阵列基板包括两层透明导电层的实施例中，所述阵列基板除了包括位于源漏金属层和有机膜层之间的第一透明导电层之外，还包括位于所述钝化层之上的第二透明导电层。优选地，所述防氧化层可以与所述第一透明导电层同层同材料，且通过一次构图工艺形成，以减少成本。
[0047]本发明实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板和对向基板，所述阵列基板为上述任一实施例所述的阵列基板。
[0048]优选地，所述阵列基板的衬底基板包括显示区域和围绕显示区域设置的非显示区域，所述非显示区域包括封框胶设置区，所述封框胶设置区围绕所述显示区域设置，所述沟槽设置于所述封框胶设置区，所述显示面板还包括:部分设置于所述沟槽内的封框胶，所述封框胶用于封框所述阵列基板和所述对向基板。
[0049]本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
[0050]下面将结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0051]请参考图1，图1为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图，所述阵列基板包括:
[0052]衬底基板101，所述衬底基板101包括显示区域201和围绕所述显示区域201设置的非显示区域202 ;图中仅示出了显示区域201和非显示区域202的部分，并未示出全部。