一种阵列基板及其制备方法、显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
[0003]TFT-LCD的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极。为了能够实现显示的功能，还需要设置公共电极，这样在通电时，在公共电极和像素电极所形成电场的作用下，液晶会发生旋转，以控制光透过率的大小，进而实现显示。
[0004]目前TFT-1XD的阵列基板，像素电极和公共电极形成在衬底基板的上表面，几乎覆盖整个衬底基板，且像素电极和公共电极形通常采用具有一定遮光特性的半透明金属膜层。这种半透明金属膜层制备的像素电极和公共电极，会降低来自背光源的光的透过率，影响TFT -1XD的亮度等关键参数。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现技术制备的阵列基板中，在衬底基板的上表面制作像素电极和公共电极，导致背光透过率降低的问题。
[0006]本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
[0007]本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板，设置于所述衬底基板的上表面的若干像素单元，所述像素单元呈阵列排布于所述衬底基板上；所述衬底基板的上表面形成有对应每一所述像素单元的第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽由所述上表面向所述衬底基板的下表面延伸；
[0008]所述像素单元包括像素电极和公共电极，所述像素电极形成于所述第一电极槽内，所述公共电极形成于所述第二电极槽内。
[0009]可选的，所述第一电极槽和所述第二电极槽向垂直于所述衬底基板的方向延伸；
[0010]所述第一电极槽和所述第二电极槽的延伸面相互平行。
[0011 ] 可选的，所述第一电极槽和所述第二电极槽相对设置，所述第一电极槽和第二电极槽的深度相等；
[0012]所述第一电极槽和所述第二电极槽之间的距离随着第一电极槽和所述第二电极槽的深度的增加而减小。
[0013]可选的，所述像素电极为面状电极或者梳状电极；
[0014]所述公共电极为面状电极或者梳状电极。
[0015]可选的，所述第一电极槽和第二电极槽的深度范围为I?100 μ m。
[0016]可选的，所述第一电极槽的深度和宽度的比值范围为5:1?50:1。
[0017]可选的，所述像素单元还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述薄膜晶体管的漏电极与所述像素电极电连接。
[0018]本发明实施例提供的一种显示面板，包括所述的阵列基板。
[0019]本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法，包括:
[0020]在衬底基板的上表面对应每个像素单元的区域，形成第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽由所述上表面向所述衬底基板的下表面的方向延伸；
[0021]在所述第一电极槽内形成像素电极、以及在所述第二电极槽内形成公共电极。
[0022]可选的，在衬底基板的上表面形成对应所述像素单元的第一电极槽和第二电极槽，包括:
[0023]在所述衬底基板上形成掩膜层；
[0024]在所述掩膜层上形成光刻胶膜层；
[0025]通过构图工艺将所述光刻胶膜层的图形转移到所述掩膜层上，去除所述光刻胶膜层；
[0026]以所述掩膜层为掩膜，通过构图工艺使所述衬底基板形成所述第一电极槽和所述第二电极槽。
[0027]可选的，所述方法还包括:
[0028]在形成有像素电极和公共电极的衬底基板上形成依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极和钝化层；
[0029]所述漏电极与所述像素电极电连接。
[0030]本发明实施例有益效果如下:通过使所述衬底基板形成向内延伸的所述第一电极槽和所第二电极槽，使所述像素电极和所述公共电极分别设置于所述衬底基板的所述第一电极槽和所第二电极槽内，从而延伸到所述衬底基板的内部并与所述衬底基板具有一夹角，减小对像素区透光区域的遮挡，提高背光透过率，降低了对TFT - LCD的亮度的影响。
【附图说明】
[0031]图1为本发明实施例提供的第一种阵列基板的剖面结构示意图；
[0032]图2为本发明实施例提供的第一种阵列基板的衬底基板的剖面结构示意图；
[0033]图3为本发明实施例提供的第二种阵列基板的剖面结构示意图；
[0034]图4为本发明实施例提供的第二种阵列基板的衬底基板的剖面结构示意图；
[0035]图5为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图；
[0036]图6为本发明实施例提供的较具体的阵列基板的制备方法的流程图；
[0037]图7为本发明实施例中，在衬底基板上形成掩膜层的示意图；
[0038]图8为本发明实施例中，在掩膜层上形成光刻胶膜层的示意图；
[0039]图9为本发明实施例中，将光刻胶膜层的图形转移至掩膜层后的示意图；
[0040]图10为本发明实施例中，去除光刻胶膜层后的示意图；
[0041]图11为本发明实施例中，以掩膜层作为掩膜刻蚀衬底基板后形成第一电极槽和第二电极槽的示意图；
[0042]图12为本发明实施例中，去除掩膜层的示意图；
[0043]图13为本发明实施例中，在第一电极槽内形成像素电极，在第二电极槽内形成公共电极的不意图；
[0044]图14为本发明实施例中，形成薄膜晶体管的栅电极的示意图；
[0045]图15为本发明实施例中，形成栅极绝缘层的示意图；
[0046]图16为本发明实施例中，形成有源层的示意图；
[0047]图17为本发明实施例中，形成包括薄膜晶体管的源电极和漏电极、公共电极线的示意图。
【具体实施方式】
[0048]下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
[0049]参见图1至图4，本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板1，设置于衬底基板I的上表面的若干像素单元，像素单元呈阵列排布于衬底基板I上；衬底基板I的上表面形成有对应每一像素单元的第一电极槽2和第二电极槽3，第一电极槽2和第二电极槽3由上表面向衬底基板I的下表面延伸；
[0050]像素单元包括像素电极21和公共电极31，像素电极21形成于第一电极槽2内，公共电极31形成于第二电极槽3内。
[0051]本实施例中，通过使衬底基板I形成向内延伸的第一电极槽2和所第二电极槽3，使像素电极21和公共电极31分别设置于衬底基板I的第一电极槽2和所第二电极槽3内，从而延伸到衬底基板I的内部并与衬底基板I具有一夹角，减小对像素区透