一种超高密度led显示器件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED显示技术领域，特别是涉及一种超高密度LED显示器件。
【背景技术】
[0002]LED显示器件，主要是由LED点阵组成，通过控制各色LED，如红色、蓝色、白色、绿色LED等的亮、灭来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。由于LED工作电压低(仅1.5?3.6V)，能主动发光且有一定亮度，亮度又能通过电压(或电流)调节，本身耐冲击、抗振动，寿命长达10万小时，所以在大型的显示设备中，尚无其他的显示方式能与LED显示方式匹敌。
[0003]然而，现有LED技术显示屏存在有如下缺陷:
[0004]1.LED显示屏的点光源元件采用贴片式或直插式LED器件组装在基板上，单个点光源体积较大，像素点间距较大，要实现Imm以下的像素节距，对SMD器件封装的要求较高，封装成本大幅提高，不利于LED显示屏在数字及微型显示领域的广泛应用。
[0005]2.各像素点采用不同半导体材料的LED芯片，其光衰和电压漂移特性不一致，从而在使用过程中发生颜色漂移，影响屏幕图像的显示效果。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于克服现有技术中的缺点与不足，提供一种具有高集成度、高分辨率、光色一致性更好的超高密度LED显示器件。
[0007]本发明是通过以下技术方案实现的:一种超高密度LED显示器件，包括复数个LED发光芯片，芯片上设有通过自身发光固化的方式涂敷的光转换材料。
[0008]进一步，芯片与芯片之间通过模塑料进行光隔离。
[0009]优选的，所述模塑料材料为热塑性聚邻苯二甲酰胺，热固性环氧树脂等高反射率材料。
[0010]其中，在不同LED芯片上可设有多于I种颜色的通过自身发光固化的方式涂敷的光转换材料，所述LED芯片单元为结构和发光波段相同的同种LED芯片单元。
[0011]进一步，所述光转换材料为荧光粉与环氧树脂胶或硅胶混合物；
[0012]或者，所述光转换材料为量子点荧光材料与环氧树脂胶或硅胶混合物；
[0013]上述一种超高密度LED显示器件的制造方法，包括如下步骤:
[0014](I)准备一基板，将芯片阵列设置到基板上，并且在芯片周边设置不透光材料以实现芯片与芯片之间的光隔离；在芯片设置到基板之前或之后，于基板上设置通孔及金属布线层；
[0015](2)将荧光粉通过芯片自身发光固化的方式设置在该LED芯片阵列上。
[0016]进一步，上述步骤I)与步骤2)之间还可以包含如下步骤:将驱动控制电路的芯片及器件设置在模塑料或基板下表面，使之与LED实现电连接；
[0017]相较于现有技术，本发明具有以下优点和有益效果:
[0018]采用扇出式晶片级封装(Fan-Out Wafer-Level Package，F0WLP)可以缩小芯片间距和封装面积，提高显示器件的分辨率。
[0019]采用结构与发光波段相同的芯片可以使得光衰减一致，提高显示屏的色彩一致性。
[0020]荧光粉采用芯片自身发光固化的方式进行涂覆，可以使得色坐标稳定性、色彩饱和度提高。
[0021]芯片与芯片之间填充具有高反射性的模塑料可以防止相邻芯片之间的光扩散发生，提高显示的分辨率和对比度。
[0022]在封装中集成驱动芯片，可以进一步解决显示密度提升时驱动电路所占面积需要缩小的问题。
【附图说明】
[0023]图1是本发明LED器件的结构示意图；
[0024]图2是本发明实施例1的LED芯片结构示意图；
[0025]图3(a)，3(b)，3(c)，3(d)是本发明扇出式晶圆级封装的流程图；
[0026]图4是本发明实施例2的LED芯片封装结构示意图；
[0027]图5是本发明实施例3的LED芯片封装结构示意图；
[0028]图6是本发明实施例4的LED芯片封装结构示意图；
【具体实施方式】
[0029]以下结合附图和具体实施例对本发明提出的超高密度LED显示器件作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明。
[0030]本发明的核心思想在于，提供一种超高密度LED显示器件，包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列。本发明采用扇出式晶圆级封装，减小了封装面积，提高了 LED显示屏的分辨率；各LED芯片为结构和发光波段均相同的同种LED芯片，通过在LED芯片上分别涂敷红光及绿光和蓝光荧光粉，使其分别发红光、绿光以及蓝光，从而保证各LED芯片在使用过程中的光衰减一致，改善显示屏的显色性能；芯片与芯片之间用模塑料进行隔离，这样可以防止相邻芯片之间的光扩散发生，改善光性能。本发明可以实现像素点间距小于Imm乃至小于0.1mm，实现LED显示器件的高集成度、高分辨率等性能，在室内高密度显示屏、投影、可穿戴式显示器件方面有重要的应用。
[0031]请参考图1，图1为本发明实施例提供的超高密度LED显示器件，如图1
[0032]所示，本发明实施例提供的超高密度LED显示器件结构包括:
[0033]1、基板1，所述LED芯片阵列采用扇出式晶圆级封装(F0WLP，fan_out wafer levelpackaging)或倒装封装于基板上；
[0034]2、LED芯片2，所述LED芯片阵列是由结构和发光波段均相同的LED芯片组成，它们与基板I接触并进行电连接；
[0035]3、光转换材料301，302和303，分别为红光荧光粉、绿光荧光粉和蓝光荧光粉，所述红光荧光粉、绿光荧光粉、蓝光荧光粉利用芯片自身发光固化的方式分别涂覆在所述LED芯片的表面及四周。
[0036]所述LED显示器件的制程主要包括以下步骤:
[0037](I)准备一基板，将芯片阵列设置到基板上，并且在芯片周边设置不透光材料以实现芯片与芯片之间的光隔离；在芯片设置到基板之前或之后，于基板上设置通孔及金属布线层；
[0038](2)将荧光粉通过芯片自身发光固化的方式设置在该LED芯片阵列上。
[0039]以下通过多个实施例说明LED显示器件的具体结构:
[0040]实施例1:
[0041 ] 请参阅图1，其是本发明的超高密度LED显示器件的示意图，包含8x8个像素点，每个像素点由3个单元组成，其中I是基板，2是LED发光芯片，301，302和303分别红色、绿色和蓝色光转换材料。请参阅图2，图2是本发明实施例1的单个像素点中一个单元中的LED芯片的结构示意图，该LED芯片阵列采用扇出式晶圆级封装形式。201为模塑料，2为LED芯片，LED芯片表面设有P型欧姆接触层202和N型欧姆接触层203，金属电极204分别设置在P型欧姆接触层202和N型欧姆接触层203表面，钝化层205设置在两个电极之间及旁边用来避免两电极直接接触造成的短路问题，在金属电极表面设置金属布线层206，在模塑料内部设置通孔207，用于发光芯片与外部驱动电路的连接，另外，模塑料中还设置有散热通道211，与发光芯片相对的模塑料的另一面还设置有金属布线层208，用于连接外部驱动控制电路，以及散热板212。在金属布线层206以及钝化层205表面上涂覆有硅胶层209用于增加荧光粉层与芯片的粘附力，荧光粉层210。
[0042]以下详细说明本发明实施例LED器件的具体制造方法:
[0043]步骤(I)包含如下步骤:
[0044]步骤(1.1)在一块载板301上粘贴胶带302，胶带的上表面用于粘贴芯片，如图
3(a) ο
[0045]步骤(1.2)将测试良好的芯片2有电极一面向下粘贴到胶带302上，如图3(b)。
[0046]步骤(1.3)用模塑料303对芯片以及芯片之间的空隙进行覆盖填充，如图3 (C);然后将其放入烘箱中进行固化，烘箱的温度设定为175°C左右，时间为7小时左右；固化完成以后将载板301和胶带302从系统中剥离，如图3(d)。
[0047]步骤(1.4)采用刻蚀的方法在模塑料201中形成通孔207，并且进行孔金属化。具体包括如下步骤:
[0048]步骤(1.4.1)采用刻蚀的方法在模塑料201中形成通孔207和211。
[0049]步骤(1.4.2)通过PECVD沉积氧化层，通过MOCVD沉积金属粘附层/阻挡层/种子层。并通过电化学反应往通孔中沉积金属层。
[0050]步骤(1.