一种oled结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及OLED结构改造，尤指一种能保证OLED的信赖性的OLED结构。
【背景技术】
[0002]OLED(Organic Light Emitting Display,中文名有机发光显示器)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。其原理是用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。辐射光可从ITO —侧观察到，其中的金属电极膜同时也起了反射层的作用。
[0003]而OLED的生产瓶颈主要取决于电性与信赖性有关的良品率问题。电性主要为显示面的不均匀(mura)，此问题于OLED成品完成之后，于工厂端自身的质量检查系统可以有效拦堵。至于信赖性问题主要为阳极电极膜的突丘(hill lock)，会在使用中造成OLED的阴极与阳极的短路，或是组件烧毁所形成的暗点(DP)。此问题经常是质检之后才会出现，往往不良出现时，已经流至终端用户端，造成公司商誉的损害。
[0004]如图1所示，为现有技术OLED结构示意图。包括阴极9、有机发光层8和阳极7，阳极7为阳极金属反射平面，阴极9使用银、镁或是氧化铟锡(ITO)等相关具有高透光性金属构成。现有技术中阳极7 (Anode)结构可为双层或是三层结构，例如:IT0/Ag/IT0的三层式，或ITO/Ag的双层式。其中ITO可由任何透明导电金属取代，能实现OLED阳极功能(Anode)，Ag为光反射层，可由一切具有高反射率的金属取代，例如Al。然而这种OLED结构，由于使用中的高电场或高电流，OLED阴极9与阳极7之间的距离为0.3um左右，相对的电场强度非常大。Ag/Al会受到电场的影响，以至于原子会沿着晶界(grain boundary),随着电流方向移动，就会造成尖刺现象(spiking),也就是电迁移现象(Electromigrat1n)。会使阳极7中金属成份向阴极9方向形成突丘(hill lock)，这样会在使用中造成OLED的阴极9与阳极7的短路，或是组件烧毁形成暗点(DP)。
[0005]另外，如公开号为CN1691860A中国发明专利中，公开了一种顶部发射有机场致发光显示器。参照图2所示，该顶部发射有机场致发光显示器包括:在衬底200上设置具有反射层210a、金属-硅化物层210b和透明电极层210c的第一电极层210 ;包括至少一层发射层的有机层230 ；以及第二电极层240。金属-娃化物层210b设置在反射层210a和透明电极层210c之间以抑制在反射层210a和透明电极层210c的界面处产生的电腐蚀，且稳定层间的接触电阻，从而获得亮度均匀的像素和实现高质量图像。
[0006]但是，此专利中金属-硅化物层210b仅能抑制反射层和透明电极层界面上的电现象和金属氧化物层的形成。并未从根本上解决反射层210a的金属材料受电场和电流影响形成突丘(hill lock)的问题。
【发明内容】
[0007]为解决现有技术的问题，本发明的目的就在于提供一种能保证OLED的信赖性的OLED结构。
[0008]本发明实施例提供一种OLED结构，包括阴极层、有机发光层和阳极层，所述有机发光层位于所述阴极层和阳极层之间，其中，所述阴极层或阳极层下方形成一反射层，所述反射层与所述阴极层或阳极层之间具有一个绝缘隔离层，且所述反射层电位浮置。
[0009]根据一实施例，所述绝缘隔离层为单层氧化硅或氮化硅膜。
[0010]根据一实施例，所述绝缘隔离层为多层氧化硅或氮化硅膜。
[0011]根据一实施例，所述反射层结构为铝、银或镍金属膜。
[0012]根据一实施例，所述反射层上下两面以氧化铟锡或氧化铟锌进行修饰。
[0013]根据一实施例，所述反射层与栅极层或漏极层共同成形。
[0014]根据一实施例，所述隔离层为多层有机光学材料层。
[0015]根据一实施例，所述有机光学材料层是对制成膜状的聚乙烯醇类树脂的单层体实施染色处理及拉伸处理制成。
[0016]根据一实施例，所述有机光学材料层通过在热塑性树脂基体材料上涂敷形成聚乙烯醇类树脂层，并将形成于该树脂基体材料上的聚乙烯醇类树脂层与树脂基体材料一起进行拉伸制成。
[0017]本发明针对OLED结构的阳极进行结构性的变更，直接避免阳极发生突丘(hilllock)的可能性。进而保证OLED的信赖性以及可量产性与良品率的提升。
【附图说明】
[0018]图1为现有OLED结构示意图。
[0019]图2为现有另一种OLED结构不意图。
[0020]图3为本发明实施例中OLED结构示意图。
[0021]图4为本发明实施例中另一种OLED结构示意图。
[0022]附图标记说明
[0023]阴极层1、有机发光层2、阳极层3、隔离层4、反射层5、阴极9、有机发光层8、阳极7、衬底200、反射层210a、金属-娃化物层210b、透明电极层210c、第一电极层210、有机层230、第二电极层240。
【具体实施方式】
[0024]体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及图示在本质上是当作说明之用，而非用以限制本发明。
[0025]本发明实施例提供一种OLED结构(参照图3、图4),包括阴极层1、有机发光层
2、阳极层3、隔离层4和反射层5，有机发光层2位于阴极层I和阳极层3之间，在阴极层I或阳极层2( 二者可以互换)下方形成有反射层5，而反射层5与电极层之间形成有绝缘隔离层4。以此，将电极与反射层功能分离，反射层单独行使反射功能，不兼具电极功能。从而彻底解决现有技术中，高电场或高电流情况下，阳极中金属成份向阴极方向形成突丘(hilllock)，造成OLED的阴极与阳极的尖刺现象(spiking)，避免组件烧毁形成暗点的问题。
[0026]如图3所示，为本发明【具体实施方式】，OLED结构从上到下可依次为阴极层1、有机发光层2、阳极层3、隔离层4和反射层5。
[0027]阴极层I是透明或半透明导体，可使用银、镁或是氧化铟锡(ITO)等相关具有高透光性金属构成。制作中需要将细微的阴极与阴极之间隔离，所用的工艺为蘑菇构型法(Mushroom structure approach),此工艺类似印刷技术的负光阻显影技术。
[0028]有机发光层2位于阴极层I和阳极层3之间，有机发光层2通常还具有两个输入层和一个发光层。输入层分为电子传输层与空穴